CN113540004B 凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法 （甬矽电子(宁波)股份有限公司）

本发明的实施例提供了一种凸块封装结构开设缺口，导电层延伸至缺口内并与焊垫相接牢固。同时避免了导电凸起与芯片电极直接接2设置在所述焊垫远离所述芯片基底一侧，并由所述开口延伸至所述设置在所述金属层远离所述芯片基底一侧的导其中，所述金属层包括粘接层和导电层，所述粘接层设置在所在所述芯片基底的一侧形成保护层，并在所述保护层上开设与所述焊垫对应的开口，在所述焊垫远离所述芯片基底的一侧形成金属层，且所述金3其中，所述金属层包括粘接层和导电层，所述粘接层设置在所4[0008]设置在所述芯片基底一侧的保护层，所述保护层上设置有与所述焊垫对应的开567[0042]为了解决上述问题，本发明提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方金属层170和导电凸起190，焊垫130设置在芯片基底110一侧，保护层150设置在芯片基底用涂布机以选择涂布的方式将高分子介电材料均由涂布在芯片基底110上，再经由热盘方法利用光罩将保护层150预定开孔的位置遮住而未曝到光，再次通过显影方式利用显影液以喷洒(Spray)的方式来进行去除未曝光的区域漏出焊垫130对应的开口151位置，再次使用烤箱(Oven)加热将保护层150加速固化至完全熟化的稳定状态，再次利用使用电浆去8小于焊垫130的宽度，使得导电凸起190能够形成在焊垫130的中部位置，保证电连接的同层170的宽度大于开口151的宽度，使得金属层170和导电凸起190同样能够延伸至保护层好，且导电层173局部嵌设在粘接层171的缺口172中，使得导电层173通过缺口172与焊垫层173远离芯片基底110的一侧，且阻挡层175位于导电层173与导电凸起190之间。润湿层润湿层177采用与导电凸起190的底部相同的材料，即润湿层177也采用铜层，通过润湿层177来起到过渡润湿上层的铜柱结构状的导电凸起190，进一步提升导电凸起190的底部结9[0057]导电凸起190包括导电金属柱191和焊帽193，导电金属柱191设置在金属层170远在芯片基底110的表面涂光刻胶/保护胶(photoresist)，然后再次利用光刻工艺(曝光/显171上设置有多个贯通至焊垫130的缺口172，导电层173延伸至缺口172并与焊垫130相接触，导电凸起190与导电层173电连接。阻挡层175设置在导电层173远离芯片基底110的一基底110的一侧，且润湿层177位于阻挡层175和导电凸起190之间，以过渡润湿导电凸起分子介电材料均由涂布在芯片基底110上，再经由热盘(Hotplate)进行软烤(softbake)孔的位置遮住而未曝到光，再次通过显影方式利用显影液以喷洒(Spray)的方式来进行去除未曝光的区域漏出焊垫130对应的开口151位置，再次使用烤箱(Oven)加热将保护层150加速固化至完全熟化的稳定状态，再次利用使用电浆去残胶机(Descum)来清除保护层150[0080]需要说明的是，此处直接通过电镀钛层的方式形成了具有缺口避免了常规的先制备粘接层171再刻蚀形成缺口1工艺(曝光/显影/烘烤)开口151出铝垫的开口151和预设缺口172处的光刻胶柱，再次利用粘接层171设置在焊垫130远离芯片基底110一侧，导电层173设置在粘接层171远离芯片基171上开设缺口172，导电层173延伸至缺口172内并与焊垫130相接触，从而增大了结合面