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文档简介

1本文件描述用于流体输送的聚乙烯电熔(EF)承插接头的相控阵超本文件还规定了对于这一检测技术应用相关的程序资格要本文件可用于制定聚乙烯电熔承插接头相控GB/T9445无损检测人员资格鉴定与认证(GB/T9445—2024,ISO9712:202GB/T12604.1无损检测术语超声检测(GB/T12604GB/T19806塑料管材和管件聚乙烯电熔组件的挤压剥离试验(GB/T19806—2005,ISOGB/T19808塑料管材和管件公称外径GB/T42399.1无损检测仪器相控阵超声设备的性能与检验GB/T42399.2无损检测仪器相控阵超声设备的性能与检验GB/T42399.3无损检测仪器相控阵超声设备的性能与检验第3GB/T12604.1、GB/T12604.13界定的以及下列术语和3.1注:冷焊会导致接头完整性不足,包括接头韧性显著降低。3.223.3夹杂物inclusion3.4未熔合lackoffusion注:未熔合缺陷会导致缺陷位置管材与管件完全分离。3.53.6注:熔融区(MFZ)如图1所示。3.73.8存在于熔区界面处的细颗粒(如空气中的粉尘)3.93.103.11电阻丝错位wiredislocation3.123.133.143.1533.16误判falsecall3.17电熔承插管件electrofusionsocketfitting含有一个或多个内置加热元件的部件,可通过电能转化为热3.18电熔承插接头electrofusionsocketjoint3.194.1检测程序制定要素b)待测电熔承插接头所处的制造或运d)电熔承插接头的接触要求、管材表4.2操作人员必备信息开始对电熔承插接头检测前,检测人员应获取4.1规定的4.3检测程序所有检测均应编制检测程序。该程序应包含4.1条款所注:为确保焊接接头检测方法的标准化和可重复性,检测程序应包含探头位置、探头移动及声束覆盖范围。扫查方案应包含每个电熔承插接头检测区域的信息。b)设备要求与参数设置(包括但不限于探头频率、采样频率、晶片间距及晶);4操作人员除掌握超声检测的基础知识外,还应熟悉相控阵系统的使用并整套相控阵检测设备(包括超声仪器、探头、线缆及显示器)选择系统组件(硬件与软件)时,可参考GB/T40733和GB/Z434相控阵检测设备的相关要求应符合GB/T42399.1、GB/T42399.2及GB/T6.2超声仪器与显示称频率的6倍的仪器。设备与显示的分辨率应能单6.3超声探头任何类型的相控阵探头,只要其与相控阵仪器组合能够满足第7推荐频率MHz管件壁厚,tmm注:通常高频探头分辨率更高,低频探头穿透性更佳。6.4扫查装置注:受空间和可操作性限制时,可能需要专用扫查编码器以辅助检测。6.5耦合剂注:待测接头表面不平整时,选用的耦合剂声速和声阻抗尽量与聚乙烯(PE)材料接近。57.1.1一般要求数)的任何改变都需要重新设定。应在参考反射体上对设置进行优化,确保信熔区位置未知,则检测范围应覆盖电阻丝平面上、下方电熔承插管件至少各一半壁厚的区域图2)。在可行的情况下,检测范围应从探头适轴向检测范围应覆盖熔区的标称长度,即对齐电阻丝所注:附录F提供了使用相控阵超声检测(PAUT)测量熔融区(MFZ)厚度的相关信息。标引序号说明:1——电熔承插管件2——熔融区(MFZ)边界3——电阻丝4——管材6标引序号说明:1——电熔承插管件2——熔融区(MFZ)边界3——电阻丝4——检测区域5——管材7.1.3灵敏度设置a)在相应检测的深度位置,通过横孔(SDH)校准各延迟法则的响应。确保各延b)将横孔(SDH)的响应幅度设置为屏幕高度的4c)评定检测面处的信号震荡时间,确保有足够的轴向分辨率识别熔d)评定管件中成匝的相邻电阻丝分辨率,确保电阻丝和相邻区域的回波响应波幅相差12dB以7.2参考试样7.2.1概述同环境。应使用满足7.2.2中要求的横孔(SDH)参考试块,或满足7.2.3要求的电熔承插接头作为7.2.2参考试块a)参考试块的材料等级应与被测电熔承b)参考试块的厚度应大于或等于被测电熔承插管件7c)参考试块的长度和宽度应确保所有相关d)横孔(SDH)应作为聚乙烯电熔承插接头f)由于参考试块与被检件的材料等级、曲率、线径和表面粗糙度之间存在差异,应进行声能传7.2.3电熔承插管件a)检测前、检测4h和检测结束后,或电熔承插接头温度变化超过10℃时,应检查检测范围和b)若参考反射体的响应值与参考灵敏度水平相比变化超过4dB,则应重新配置设备,并对自上次校9.1程序验证表性缺陷(如未熔合区、颗粒污染及管材承插不到位)对程序验证要求为每个待测直径范围(见表2)制造一系列聚乙烯电熔承插接头试样,包含有缺陷与),),b)4个熔区存在管材承插不到位,管材末端与电熔承插管件熔区内8c)类别Ⅱ的10个无缺陷熔区中至少9个被正确判定为无缺陷,且误判总数≤1。管件的公称外径mmA90≤d<355B355≤d<710C710≤d9.2扫查步进9.3待测接头几何结构若因复杂几何结构导致熔区局部区域无法进行轴向或径向9.4扫查面的准备9.5待测接头的温度9.6检测a)检测前应确保探头与电熔承插管件表面的耦合良好,并在整个扫描过),脉冲重复频率、数据采集频率及检测区域体积。扫描速度过快可能会引起数据缺失。单次扫9e)若电熔承插接头的轴向或径向长度应分g)应记录检测体积内由气孔、电阻丝错位、轴线错位、管材承插不到位、颗粒污染及未熔合等9.7数据存储););););应确保检测区域内信号未饱和。同时,图像质量评估应由具备技能与经验的操作人员执行(相控阵技术可提供熔区缺陷以及电熔承插接头中电阻丝和冷却区等几何特征的图像,见附录C相关指征的波幅、位置及模式可能包含缺陷类型的信息。相关指征的分类检测报告应包含检测的所有具体要求、程序细节和结果。检测报2)电熔承插管件尺寸(管材公称外径、管件壁););2)相控阵探头的制造商、型号和频率,包括阵元数量与尺寸、阵元间距与间隙、楔块材料);););););2)至少在纸质载体上记录所有检出相关指征位置的相控阵图像,所有图像或数据以电子副本文件与ISO/TS16943:2023结构编号对本文件结构编号1223345566778899——参考文献参考文献本文件结构编号技术差异1将注释内容编写入范围,并对部分注释进行了删除扩大标准使用范围,符合我国的标准使用习惯2增加了部分规范性引用文件要求更为全面,便于标准使用3更改了术语和定义的规范性引用文件,用GB/T12604.1和GB/T12604.13替换了ISO5577和ISO23243便于标准使用3增加了部分术语和定义要求更为全面,便于标准使用4内容合并至第1章范围内容近似整合,精简章节5更改了检测人员的规范性引用文件,用GB/T9445替换了便于标准使用增加了关于待测接头表面不平整时的耦合剂选用说明注释要求更为全面,便于标准使用更改了检测范围设置的要求要求更为全面,便于标准使用增加了灵敏度正偏差的设置检查要求要求更为全面,便于标准使用将注释内容编写如范围,并对部分注释进行了删除扩大标准使用范围,符合我国的标准使用习惯更改了程序验证义的规范性引用文件,用GB/T19808和GB/T19806替换了ISO13954和ISO13955便于标准使用更改了检测待测接头温度的的要求要求更为全面,便于标准使用增加了过焊和冷焊的缺陷示例图要求更为全面,便于标准使用增加了熔融区(MFZ)厚度与焊接质量关系示例要求更为全面,便于标准使用a)电熔承插接头横截面a)电熔承插接头横截面a)受土壤污染的管材b)电熔承插接头横截面c)相控阵超声检测(PAUT)图像参考试块宜采用与被检测电熔承口管件相同单位为毫米标引序号说明:1—7xφ3.0mm的横孔(SDH),深度范围为10mm至40mm,以5mm为间隔递增。2—声速校准台阶3—半径≤3mm横孔(SDH)的直径宜与待测电熔承插管件中选择深度位置(孔至表面)最接近待测电熔承插管件壁厚的横孔(SDH),最E.1未熔合缺陷的制备),注:对于直径超过4mm的铝片,建议在多个位置进行热铆接。g)将管材从夹具中取下,小心插入电熔承插管件,E.2颗粒污染缺陷制备),f)用软质橡胶辊在滑石粉上来回滚动以沾取均匀的污染层,并用软毛刷清除辊上多余的滑石粉g)将辊子紧贴刮削后的管材表面,缓慢旋转管材直至h)用软毛刷调整颗粒污染的分布(见),F.1一般规定),但不可直接作为冷焊的判定依据,需通过电熔承插接头的破坏性试验验证。研究表明,熔融区(MFZ)注1:若管材与电熔承插管件间隙过大,即使加热时间正确也可能产生冷焊,此类冷焊无法通过熔融区(MFZ)指示注2:熔融区(MFZ)指示无法检测嵌入的平面缺陷、土壤夹杂、细颗粒污染或管材承插不到位。熔融区(MFZ)边界指示需在电熔承插接头冷却阶段后检测。电阻丝平面与熔区边界之注:熔融区(MFZ)厚度为两箭头间的距离。图例说明:X——加热时间(秒)Y——熔融区(MFZ)边界与电阻

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