GB-T 47601-2026《电光晶体电光晶体》

11范围本文件适用于制备电光器件的电光晶体，其他应用领域的晶体材料参照使用。2规范性引用文件GB/T11297.1—2017激光棒波前畸变的测量方法GB/T11297.12—2012光学晶体消光比的测量方法GB/T16601.2—2017激光器和激光相关设备激光损伤阈值测试方法第2部分：阈值确定GB/T22452—2025硼酸盐非线性光学单晶元件通用规范GB/T22453—2025激光用非线性光学晶体元件性能测量方法GB/T31838.2—2019固体绝缘材料介电和电阻特性第2部分：电阻特性(DC方法)体积电阻和体积电阻率GB/T39131人工晶体材料术语4技术要求4.1静态消光比a)铌酸锂(LN)的静态消光比应≥200:1;b)磷酸二氘钾(DKDP)的静态消光比应≥200:1;c)磷酸钛氧铷(RTP)的静态消光比应≥200:1;d)磷酸氧钛钾(KTP)的静态消光比应≥300:1;e)钽酸锂(LT)的静态消光比应≥200:1;f)β-相偏硼酸钡(β-BBO)的静态消光比应≥800:1;g)硅酸镓镧(LGS)的静态消光比应≥400:1;2h)其他电光晶体可参考采用。4.2半波电压适用时，电光晶体半波电压应符合以下要求：a)LN的半波电压≤3.0kV(1064nm,横向调制);c)RTP的半波电压≤2.0kV(1064nm,横向调制);d)KTP的半波电压≤1.8kV(1064nm,横向调制);g)LGS的半波电压≤7.2kV(1064nm,横向调制);h)电光晶体的半波电压实际值与理论值偏差应≤10%。4.3透射光谱范围a)LN的透射光谱范围应≥370nm～5000nm;b)DKDP的透射光谱范围应≥200nm～1600nm;c)RTP的透射光谱范围应≥340nm～4600nm;d)KTP的透射光谱范围应≥350nm～4500nm;e)LT的透射光谱范围应≥280nm～5000nm;f)β-BBO的透射光谱范围应≥190nm～3500nm;g)LGS的透射光谱范围应≥242nm~3200nm;h)其他电光晶体的透射光谱范围应符合相关详细规范规定。4.4散射点4.5光学均匀性电光晶体的光学均匀性应≤5×10-⁵。4.6插入损耗4.7电导率4.8激光损伤阈值3表1电光晶体激光损伤阈值的要求晶体名称1234(水热法)567图1尺寸标注示意图4.10角度偏差电光晶体的切割角度偏差应满足以下要求：注：θ指晶体切割面的法线方向，与晶体的某一参考晶轴之间的夹角，△θ为实际切割的θ角与理论设计值的差值。φ指在垂直于参考晶轴的平面内，切割面法线的投影与某一参考晶轴之间的夹角；△φ指实际切割的φ角与理论设计值的差值。电光晶体两个通光面的平行度应≤30”。4.12倒角44.13侧面垂直度电光晶体的侧面垂直度应≤10'。电光晶体通光表面扣除四周倒角后的可用面积与整个通光面面积的比值为有效通光孔径，其应≥4.15单次透过波前畸变电光晶体的单次透过波前畸变应≤λ/4@632.8nm。4.16表面粗糙度电光晶体的通光面的表面粗糙度Ra≤1nm;非通光面的表面粗糙度Ra≤3.0μm。电光晶体沿边缘向内侧方向延伸宽度(径向崩边)≤0.2mm;沿边缘方向，崩口宽度之和≤0.5mm;角的崩裂≤0.2mm。电光晶体元件表面疵病应符合表2要求。表2电光晶体元件表面疵病的要求范围晶体表面通光面≥(4×4)mm²通光面<(4×4)mm²5测量方法5.1静态消光比电光晶体的静态消光比测试应按GB/T11297.12—2012的规定。5.2半波电压5.2.1测量原理55.2.2测量仪器5.2.3测量步骤测量步骤如下：b)调节起偏器与检偏器偏振方向平行，使激光功率计显示数值最大，固定起偏器；c)旋转检偏器偏振方向与起偏器垂直，电光晶体未加电压的消光状态，此时光强最小，激光功率计记录的光功率为P₁;6525标引序号说明：1——激光电源；2——起偏器；3——电光晶体；5——激光功率器；图2半波电压测试原理框图5.3透射光谱范围5.4散射点5.5光学均匀性电光晶体的光学均匀性测试方法按GB/T22452—2025的规定。5.6插入损耗5.6.1测量原理式中：IL——插入损耗，单位为分贝(dB);Pin——入射光功率，单位为瓦特(W);Pou——出射光功率，单位为瓦特(W)。5.6.2测量仪器激光光源、光功率计、偏振控制器。5.6.3测量步骤测量步骤如下：a)按图3连接测试系统：图3插入损耗测试原理框图b)调整光路同轴度，确保光斑完全覆盖晶体通光面；c)放入样品，测量入射光功率P.和出射光功率Po,每个波长点测量3次，取平均值；d)将Pm、Pou代入公式(1)计算可得插入损耗。5.7电导率电光晶体的电导率测量方法按GB/T31838.2—2019的规定。5.8激光损伤阈值电光晶体的激光损伤阈值测量方法按GB/T16601.2—2017的规定。5.9尺寸公差电光晶体的尺寸公差的测量方法按GB/T5.10角度偏差电光晶体的角度偏差的测量方法按GB/T5.11平行度电光晶体的平行度的测量方法按GB/T22452—2025的规定。7电光晶体的倒角的测量方法按GB/T22452—2025的规定。5.13侧面垂直度5.14有效通光孔径电光晶体的有效通光孔径的测量方法按GB/T22452—2025的规定。5.15单次透过波前畸变5.16表面粗糙度电光晶体的表面粗糙度的测量方法按GB/T22452—2025的规定。6检验规则检验分为出厂检验与型式检验，检验项目见表3。表3检验项目出厂检验1√√2√一3透射光谱范围√一4√√5√√6√√7电导率√√8√一9√√√√√√倒角√√√√√√8表3检验项目(续)出厂检验√√√√√√按表3所列型式检验项目进行检验。以同一加工工艺条件制成的产品为一批。在出厂检验合格的产品中随机抽取3件；如果产品数量不足3件，则全部抽取。在保证产品质量的前提下，正常生产时，每6个月至少进行1次型式检验；有下列情况之一时，也应进行型式检验：a)新产品投产时；b)制备工艺有较大改变，可能影响产品质量时；c)出厂检验结果与最近一次型式检验结果有差异时；e)客户要求进行试验