CN113782411B 载置台、基板处理装置以及基板处理方法 （东京毅力科创株式会社）

处理方法。在包括载置基板的载置面的载置台2吸收构件，其配置于所述静电卡盘与所述支连接区域，其位于所述静电卡盘的中央部，通过所述静电卡盘与分离区域，其位于比所述连接区域靠外缘侧的位置，通过所述所述连接区域形成为俯视时与所述静电卡盘同心形成该连接区域的圆形状的半径为所述静电卡盘的半径的2050％的大小。形成所述连接区域的圆形状的半径为所述静电卡盘的半径的1该载置台具有非活性气体供给部，该非活性气体供给部向所所述非活性气体供给部构成为能够分别独立地向多个所述分区供所述非活性气体供给部包括调压单元，该调压单元能够分别独立地对该载置台具有在载置于所述载置面的基板的周围配置该基板处理装置包括传热气体供给单元，该传热气体供给3吸收构件，其位于所述静电卡盘与所述支承构件之间，弹性体，其位于所述静电卡盘与吸收构件之间的连接部的外缘侧盘与所述吸收构件相互分离而形成的分离区域分割成调压单元，其能够分别独立地对向多个所述分区供给的非活性气体所述基板的处理方法根据载置于所述载置面的基板表面的平坦度的基于载置于所述载置面的基板的表面温度分布，分别对多个所述基板处理装置包括传热气体供给单元，该传热气体供给单元向基于来自所述间隙的所述传热气体的泄漏量，分别对多个所述4[0002]在专利文献1中公开有一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：载置所述静电卡盘与所述支承构件之间，该吸收构件的外缘部借助紧固件与所述支承构件紧[0011]根据本公开，能够在包括载置基板的载置面的载置台中使该载置面的平坦度提[0013]图2是示意性表示本实施方式所涉及的等离子体处理系统的结构的概略的纵剖视[0015]图4是表示在本实施方式所涉及的载置台产生了凸起变形的情况下的情形的说明5间之间的压力差所作用的大气压σ3等的影响下，可能导致静电卡盘300的载置面变形为凸在整个面均匀地接触的情况下，可能导致等离子体处理中的基板温度的面内均匀性的劣凹陷形状的方法、通过增加吸附电压从而提高基板的相对于载置面的吸附追随性的方法11和上部电极喷头12。载置台11配置于等离子体处理腔室10内的等离子体处理空间10s的6[0028]上部电极喷头12构成为将来自气体供给部20的一种或一种以上的处理气体向等部电极喷头12构成为将一种或一种以上的处理气体自气体入口12a经由气体扩散室12b和[0029]气体供给部20也可以包含一个或一个以上的气体源21和一个或一个以上的流量应的气体源21经由分别对应的流量控制器22向气体入口12a供给。各流量控制器22例如也一种或一种以上的处理气体的流量进行调制或使其脉冲化的一个或一个以上的流量调制或者支承板113和上部电极喷头12这两者这样一个或一个以上的电极供给RF电力，例如一等离子体生成部构成为在等离子体处理腔室10中由一种或一种以上的处理气体生成等离2RF信号等)的振幅进行脉冲化或调制。振幅调制也可以包含在接通状态与断开状态之间、或者在两个或两个以上的不同的接通状态之间使RF[0034]排气系统40例如能够与设于等离子体处理腔室10的底部的排气口10e连接。排气7部511能够构成为基于存储于存储部512的程序进行各种控制动作。存储部512也可以包括[0040]在载置部111a的内部设有电极115a。在电极115a例如借助开关连接有直流电源器115b构成为能够分别独立地控制各区域R1～路115c连接有冷却单元(未图示)，使自该冷却单元供给的制冷剂(例如冷却水)在内部循[0044]另外，在载置台11形成有用于向载置于载置面的基板W的背面供给氦气等传热气[0045]作为吸收构件的吸收板112具有大致圆板形状，该大致圆板形状具有大于静电卡的俯视时自静电卡盘111暴露的环状区域、即吸收板112的直径大于静电卡盘111的直径的8于通过静电卡盘111的基体部111b的下表面中央部突出而形成的凸部，从而形成连接区域如静电卡盘111的大小的2050％。换言之，112构成为大致圆板形状的情况下，形成于静电卡盘111的下表面的凸部的半径r1(静电卡盘111与吸收板112之间的接触面半径)优选为静电卡盘111的实施方式所示，在吸收板112由铝圆板构成的情况下，期望连接区域Ac的半径为静电卡盘件116a紧固了静电卡盘111和吸收板112，但也可以利用粘接剂等将静电卡盘111和吸收板[0052]此外，还可以在形成分离区域Ae的间隙填充作为填充材料的弹性体117(例如硅、[0053]另外，吸收板112的外缘部的上表面形成为用于载置边缘环13的边缘环载置部与配置于该支承板113的下方的大致圆筒形状的载置基台114螺纹结合。由此，支承板1139置用于确保支承板113的下方的常压气氛与等离子体处理空间10s之间的气密的O形密封圈静电卡盘111的整个载置面均匀地吸附保持就能够使基板W与静电卡盘111的载置面均匀地接触，因而能够适当地抑制静电卡盘111的也可以设置将分离区域Ae分割成多个分区Z(图示的例子为沿径向的3个分区Z1～Z3)的分置台11和载置于该载置台11的基板W的平坦度因各种各样的条件而劣化了的情况下，也能[0067]此外，每个该分区Z的非活性气体的供给量的控制例如能够基于在等离子体处理中利用位移计等检测到的载置台11的载置面或载置着的基板W的平坦度的变化量来进行控置台11上的基板W的背面供给的传热气体(背面气体)的泄漏量，并基于该泄漏量的分布来间隔构件S设置有边缘环13，但边缘环载置部112e的形成位置并不限定于本实施方式。例将该基体部111b的外缘部构成为边缘环载[0071]例如，以上的实施方式的等离子体处理系统具有电容耦合型的等离子体处理装