CN113853685B 肖特基二极管及其制备方法 （电导魔方股份有限公司）

2021.11.19PCT/KR2020/00401320WO2020/235796KO2020.11.26有与氧化镓层形成肖特基接触的肖特基接触金基接触金属层的界面接触并且包含导电性与第杂剂的浓度在远离与肖特基接触金属层的界面2其中，所述氧化镓层和所述氧化镓层与所述所述第二型掺杂剂，所述第二型掺杂剂从所述肖特基接触金属层扩散到所述氧化镓层中，使得所述第二型掺杂剂的浓度随着其远离所述氧化镓层与所述肖特基接触金属层的所述其中，所述中间层中的所述第二型掺杂剂包含9.根据权利要求7所述的肖特基二极管，其中，所述第一氧化镓层是掺杂Sn的氧化镓提供作为掺杂有第一型掺杂剂的半导体层的氧对形成有所述肖特基接触金属层的所述氧化镓层进行退火以形成中312.根据权利要求11所述的方法，其中，所述肖特基接触金属层包含所述第二型掺杂其中，在所述退火时，通过将所述肖特基接触金属层中包含的14.根据权利要求11所述的方法，还包括在形成与所述氧化镓层接触的肖特基接触金其中，所述中间层中的所述第二型掺杂剂包含4[0002]肖特基二极管或肖特基势垒二极管是使用由金属和半导体的结产生的肖特基势垒的器件，并且与具有PN结的二极管相比具有相对低的正向导通电压和较快的开关速度。[0003]作为这样的肖特基二极管，开发了通过在Si晶片上外延生长SiC而形成SiC层的二氧化镓层的掺杂浓度低于第一氧化镓层的掺杂浓度，阴极可以与第一氧化镓层欧姆接5[0013]为实现上述技术目的，本发明另一实施例提供了一种肖特基二极管的制备方制备肖特基二极管的方法可以包括：提供作为掺杂有第一型掺杂剂的半导体层的氧化镓基接触金属层使用对向靶溅射(facingtargetsputtering镓层上形成包含第二型掺杂剂的扩散掺杂层，肖特基接触金属层可以形成在扩散掺杂层[0018]为实现上述技术目的，本发明又一实施例提供了一种肖特基二极管的制备方[0025]图11和图12是示出在制备例3的肖特基二极管的测量过程中根据温度变化的电流[0026]图13和图14是示出在比较例3的肖特基二极管的测量过程中根据温度变化的电流6γ2O3层。[0032]第一氧化镓层10和第二氧化镓层20均是掺杂有n型掺杂剂的层，并且第一氧化镓层10中的掺杂剂的浓度可以比第二氧化镓层20的掺杂剂的浓度高约100至500倍。作为n型(HVPE)方法从第一氧化镓层10的上表面外延生长的层。第二氧化镓层20可以具有约5um至一氧化镓层10的下表面上。阴极30可以具有欧姆接触金属层30a和与其相比具有更低电阻上包括电阻比肖特基接触金属层42低的阳极低电阻层44。阳极低电阻层44可以是金(Au)、7且可以在约200℃至600℃,具体为300℃至600其接触的第二氧化镓层20中。第二型掺杂剂构成阳极40中包括的肖特基接触金属层42(该肖特基接触金属层42通过使用对向靶溅射方法形成)，并且具有与第一型掺杂剂相反的导二氧化镓层20可以包括和与肖特基接触金属层42的界面接触的中间层20a，并且该中间层属相同的第二掺杂剂的金属可以随着其远离与肖特基接触金属层42的界面而具有较低的[0041]图3是示出根据本发明另一实施例的制造肖特基二极管的方法的截面图。除了后如参考图1描述的，阳极40可以包括肖特基接触金属层42、扩散阻挡层43和阳极低电阻层且可以在约200℃至600℃,具体为300℃至600820a)中，第二氧化镓层20中的n型载流子浓度可以随着其远离与肖特基接触金属层42的界[0046]肖特基势垒高度可以通过由扩散掺杂层41中包含的金属扩散到第二氧化镓层20[0049]在厚度约650um的以约1018atmos/cm-3的浓度掺杂Sn的#-氧化镓晶片的上表面上，使用HVPE(卤化物气相外延)使以约1016atmos/cm-3的浓度掺杂Si的#-氧化镓外延层生长至约5um的厚度。通过使用电子束蒸发器在#-氧化镓晶片的下表面上层叠约10nm的Ti层和约[0053]除了使用电子束蒸发器在#-氧化镓外延层上沉积约300nm的Ni层之外，使用与肖600℃(比较例4)下对与比较例1相同的肖特基二极管执行RTA1分钟。二极管的正向偏压J-V曲线图，以及(b)是根据比较例1至4的肖特基二极管的反向偏压J-V9较例的情况下，正向偏压区的导通电压根据退火温度变化的变化较小，而在图7中可以看[0064]图11至图14分别是制备例3和比较例3的肖特基二极管的测量过程中根据温度变[0070]上面已经参照优选实施例对本发明进行了详细说明，但本发明不限于上述实施