QCT 1289-2026《汽车红外热成像芯片技术要求及试验方法》

IEC60749-3半导体器件机械和气候试验方法第3部分外观检查(Semiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part3:ExterMechanicalandclimatictesstabilitytestformetal-oxide,semiconductor,fie4.2.1分辨率3℃4.2.10光谱响应范围环境温度85℃±5℃、黑体温度20℃±5℃环境温度25℃±5℃、黑体温度60℃±5℃环境温度-40℃±5℃、黑体温度20℃±5℃注7:Otvh为时间、空间垂直、空间水平相关44.3.2加速寿命模拟试验要求4.3.2.1高温工作寿命试验4.3.3封装完整性试验要求4.3.3.1键合球剪切强度试验最小平均剪切力最小剪切力5最小拉力64.3.6.1机械冲击试验4.4.1.1传导发射4.4.2.1传导抗扰4.4.2.2辐射抗扰标引序号说明：3——试验工装；4——试验板；7——黑体；8——黑体支架；10——计算机；11——示波器；12——光学平台。a)温度范围为10℃~100℃;5.1.5其他要求芯片试验条件改变后，应使其稳定工作1分钟后再进行数据采89试验组别℃1234NETD(i,j)——第i行第j列像元噪声等效温差；NETD(i,j)——第i行第j列像元噪声等效温差；5.3.1.2辐射发射5.3.2对电磁辐射的抗扰5.3.2.2辐射抗扰℃黑体温度℃123…HnHnNth=Nth-Nt-Nn… (规范性)表D.1环境工作温度范围0123(可选步骤);级3;时间时间h121年22时间h4周3168小时4“塑封材料水汽扩散活化能为0.40eV～0.48eV时也可使用该方法进行试验。塑封材料水汽扩散活化能为0.30eV～0.39eV时也可使用该方法进行试验。预热最低温度(Tmin)预热最高温度(Tm)预热时间(ts)升温斜率(Ti到Te)液相温度(TL)封装体峰值温度(Te)Tp≥Tc(见表D.4)Ti以上的保持时间(tp)在指定分类温度(Tc)5℃以内的保持时间(t。)降温斜率(Te到TL)25℃到峰值温度的时间注：V表示体积，体积包括封装体的外部尺寸，不包括外部端子和/或非一体式散最大降温斜率-6°C/s图D.1再流焊试验示意图℃蒸汽压力时间h1℃蒸汽压力时间h2“气压为参考试验条件。注：如果使用热电偶测量温度，宜使用导热胶或铝箔胶带，确保温度测量的准确性。最低温度Ts最高温度Ts最高/低温度下保持时间0≥1min或≥5min1500次2次≥1min或≥5min1000次2次≥1min或≥5min500次2次2≥1min或≥5min1000次3≥1min或≥5min500次试验持续时间0试验持续时间1陶瓷封装D.3.1高温工作寿命试验试验持续时间电压0123可使用更高的电压，从电压和温度获得更高的寿命加速度，但该电压不应超过芯片的绝对最中最短时间中最短时间72h或t/2,取其中最短时间增加24h或t/2,取其中最短时间环境温度“试验持续时间电压0123的结温不低于芯片最大工作条件下的结温，但低于绝对最高额定结温，可使用结温代替环到达试验条件时开始计算试验持续时间，腔体开始降温时停止计算试验持续时间。额定电压。键合球直径键合球直径剪切力工具推刀键合球中心线焊盘推刀抬高高度类别图示123类别图示4焊盘分离(推刀抬高高度错误)56键合球紧缩点断裂)分离模式2(二焊点分离)c)将钩针置于中跨附近e)将钩针置于中跨附近b)将钩针置于中跨附近d)如果中跨与顶点所在位置大致相同，则将钩针放在中近似中点处。D.4.3可焊性试验注：样品自老化设备中取出后的2h内，若不进行可焊性试验，在试验前需将其存贮在一个干燥的广口瓶或干氮箱中，且最长不超过72h。A适用B适用C适用D适用E默认选用表D.13蒸汽温度m℃蒸汽温度范围℃质量分数(2号助焊剂)二乙胺盐酸盐(CAS660-68-4)异丙醇(IPA)(CAS67-63-0)最低的焊球共面度表D.15闩锁试验条件电源引脚供电压电流试验负电流电压试验1.5×V.和最大应力电1.5×V和最大应力电压的较小值”“可对所有非电源、地引脚施加该电流(除NC引脚)。对所有电源施加该电压，可对所有非电源、地引脚施加该电压(除NC引脚)。(规范性)注1:技术安全概念在芯片设计中可单独体现为硬件的技术安全概念或软件技术安全概念。E.2.4安全分析表E.1芯片典型失效模式的安全机制安全机制电源电源尖峰电压钳位(限制器)安全机制“限流器时钟时钟频率监控时钟频率监控易失性存储器错误探测纠错码(ECC)错误探测纠错码(ECC)存储块复制存储器内置自检测(MBIST)存储块复制存储块复制模拟和数字输入/输出多通道并行输出受监控的输出输入比对/表决(loo2、2oo3或者更好的冗余)多通道并行输出受监控的输出输入比对/表决(1oo2、2oo3或者更好的冗余)安全机制硬件支持的自检(单通道)软件多样化冗余(单硬件通道)具有独立时间基准，无时间窗口的看门狗具有独立时间基准和时间窗口的看门狗软件多样化冗余(单硬件通道)不可接受的安全机制““本表给出的安全机制不具有完备性，制造商可使用表格中的一个或者多个。如有其他适用的安全机制作为替代，123在SEooC背景下，是否定义了功能需求(例如，CPU核、支持直接内存访问(DM45顶层安全要求的属性是否具备?(例如，要求ID、ASIL等级、状态等)678顶层安全状态的属性是否具备?(例如，状态ID、ASIL等级、状态等)9是否清晰描述了SEooC与其他系统元素或组件之间的交互信息(例如，供电电源是否清晰定义了非功能要求(例如，环境条件、使对于等级为ASIL(B)、C和D的安全目标，是否定义了硬件的度量指标.对于等级为ASIL(B)、C和D的安全目标，SPFM、LFM、PMHF等硬件度量指标的值12345如果在系统层面开发阶段的系统架构设计对安全要求进行ASIL等级分解，分解6是否根据对应的ASIL等级，按照GB/T34590.4-2022,第6章表1的要求进行技7技术安全概念是否消除已识别出的引起失效的内部原因和外部原因，或在必要89a)模块化；b)适当的颗粒度水平；对于使相关项实现或维持安全状态的每个安全机制的定是否定义了充分的安全机制，以防止随机硬件故障的适用性：本要求适用于ASIL(A)、(B)、为了避免多点失效，用于探测多点故障的安全机制的诊适用性：本要求适用于ASIL(A)、(B)、对于专门用于防止双点故障变成潜伏故障的安全机制的开发适用性：本要求适用于ASIL(A)、(B)、是否根据系统架构设计，定义了充分的探测、控制或减技术安全要求规范中安全机制的定义是否与安技术安全要求是否全部分配给以系统、硬件或软件作为实施技术的每个系统架构设计要素的ASIL等级是否继承其实现的技术安全要求的最高如果适用，技术安全要求是否包含因实施ASIL分技术安全要求的定义和管理是否符合安全要求的是否定义在系统架构设计过程中识别出的对生产、运行、服务是否对技术安全要求进行验证，以提供其在给定系统边界条件下的正确性、1是否在流程上定义了芯片硬件设计过程的要求(包括芯片架构234所定义的硬件安全要求是否与硬件架构保持了追溯性和一致性，并保持到芯5给它的所有要求中最高的ASIL等级?如果一个芯片要素是由ASIL等级低于要素ASI6789在进行硬件详细设计时，为避免常见的设计缺陷，是否运用相扰、噪声因素、来自硬件组件的其他硬件元器件或其1234是否在芯片硬件架构度量的计算中考虑了永久故障和5是否确定芯片架构度量评估的基础输入，包括芯片类型、面积、工艺、6789是否将发生在安全相关硬件要素上的每个故是否为已制定的安全机制确定了诊断覆盖率?确定是否为每一个安全目标定义了单点故障度量芯片级的单点故障度量(SPFM)的目标值是芯片级的潜伏故障度量(LFM)的目标值是是否每一个安全目标的单点故障度量(SPFM)的计算都是否每一个安全目标满足了已定义的单点故障度量是否每一个安全目标的潜伏故障度量(LFM)的计算都是否每一个安全目标满足了已定义的潜伏故障度是否在项目中按照所定义的流程及模板实施了随机硬件失效导是否在随机硬件失效导致违背安全目标的评估的计算中考虑了永久故障和是否将发生在安全相关硬件要素上的每个故“对违背安全目标的每个原因的评估”(EEC)的方法?PMHF评估的定量目标值是否表述为相关项整个运行生命周期中每小时的是否为随机硬件失效在芯片级导致违背每个安全目标的最大可采用EEC评估时，是否对硬件元器件失效率进行了失采用EEC评估时，是否可以接受硬件元器件发采用EEC