CN113887028B 一种刻蚀仿真模型的确定方法、装置和电子设备 （中国科学院微电子研究所）

速率数据集中的每个二维刻蚀速率数据拓展至程模拟中的数值稳定性和所建立的目标仿真模2根据当前时刻衬底形貌数据和离子流量分布，确定所述当前时刻将所述二维刻蚀速率数据集中的每个二维刻蚀速率数据拓展至平基于所述拓展刻蚀速率数据集以及水平集函数，确定所述当前基于所述刻蚀速率函数、所述位置信息和所述可视开口角度，第一确定模块，用于根据当前时刻衬底形貌数据和离子流量分布转换模块，用于基于所述各个位点的坐标，将所述一维刻蚀速率数据集转第二确定模块，用于将所述二维刻蚀速率数据集中的每个二维3速率数据集中的每个二维刻蚀速率数据中的刻蚀速率沿相应所述位点的法向拓展到对应第三确定模块，用于基于所述拓展刻蚀速率数据集以及水第四确定模块，用于至少基于所述当前时刻衬底的刻蚀轮第二确定单元，用于基于所述衬底轮廓数据确定各个所述位点在衬底上的位置信息、第三确定子模块，用于基于所述多个时刻衬底的所述刻蚀轮廓45[0014]将所述二维刻蚀速率数据集中的每个二维刻蚀速率数据中的刻蚀速率沿相应所[0016]基于当前衬底形貌数据和离子流量分布确定当前时刻衬底表面轮廓的刻蚀速率[0024]7、在一种可能的实现方式中，所述基于所述拓展刻蚀速率数据集以及水平集函[0026]在一种可能的实现方式中，所述至少基于所述当前时刻6[0050]第二方面提供的刻蚀仿真模型的确定装置的有益效果与第一方面或第一方面任[0052]第三方面提供的电子设备的有益效果与第二方面或第二方面任一可能的实现方7[0057]图4示出了本申请实施例提供的一种刻蚀轮廓当前时刻和下一时刻的轮廓场景示[0065]图1示出了本申请实施例提供的一种刻蚀仿真模型的确定方法的流程示意图，如8基于所述刻蚀速率函数确定衬底轮廓上各个位点的一维刻蚀速率离函数是根据实际刻蚀情况自定义的函数，实际刻蚀情况包括硬掩模的高度和形状数据[0077]可以基于衬底轮廓数据中的衬底轮廓二维数组确定各个位点在衬底上的位置信9速率数据集。[0087]在本申请中，一维刻蚀速率数据集中的刻蚀速率数组中没有保存位点的位置坐[0097]示例的，图4示出了本申请实施例提供的一种刻蚀轮廓当前时刻和下一时刻的轮[0098]步骤105：至少基于所述当前时刻衬底的刻蚀轮廓数据集，确定所述刻蚀仿真模[0102]图5示出了本申请实施例提供的另一种刻蚀仿真模型的确定方法的流程示意图，[0103]步骤201：基于当前衬底形貌数据和离子流量分布确定当前时刻衬底表面轮廓的+FV。[0110]步骤202：基于所述刻蚀速率函数确定衬底轮廓上各个位点的一维刻蚀速率数据基于所述刻蚀速率函数确定衬底轮廓上各个位点的一维刻蚀速率离函数是根据实际刻蚀情况自定义的函数，实际刻蚀情况包括硬掩模的高度和形状数据[0116]可以基于衬底轮廓数据中的衬底轮廓二维数组确定各个位点在衬底上的位置信[0124]步骤203：将所述一维刻蚀速率数据集中每个所述位点的刻蚀速率赋值至二维刻[0126]在本申请中，一维刻蚀速率数据集中的刻蚀速率数组中没有保存位点的位置坐[0130]将所述二维刻蚀速率数据集中的每个二维刻蚀速率数据中的刻蚀速率沿相应所[0136]示例的，图4示出了本申请实施例提供的一种刻蚀轮廓当前时刻和下一时刻的轮[0137]步骤206：至少基于所述当前时刻衬底的刻蚀轮廓数据集，确定所述刻蚀仿真模[0141]图6示出了本申请实施例提供的一种刻蚀仿真模型的确定装置的结构示意图，如[0144]第二确定模块303，用于将所述二维刻蚀速率数据集中的每个二维刻蚀速率数据[0148]将所述一维刻蚀速率数据集中每个所述位点的刻蚀速率赋值至二维刻蚀速率数机(ultra-mobilepersonalcomputer，UMPC)、上网本或者个人数字助理(personaldigitalassistant，PDA)等，非移动电子设备可以为服务器、网络附属存储器(Network[0170]如图7所示，上述处理器410可以是一个通用中央处理器(centralprocessingunit，CPU)，微处理器，专用集成电路(application-specificintegratedcircuit，一个或多个。通信接口420可使用任何收发器一类的装置，用于与其他设备或通信网络通者可存储信息和指令的其他类型的动态存储设备，也可以是电可擦可编程只读存储器制总线和状态信号总线等。但是为了清楚说明起见，在图8中将各种总线都标为总线系统产品包括一个或多个计算机程序或指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序或指令可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是集成一个或多个可用介质的附权利要求所界定的本发明的示例性说明，且视为已覆盖本发明范围内的任意和所有修