CN114220472B 一种基于SOC通 用测试平台的Nand Flash测试方法 （华进半导体封装先导技术研发中心有限公司）

一种基于SOC通用测试平台的NandFlash测本发明涉及一种基于SOC通用测试平台的信号测量单元获取NandFlash芯片输出的波形2测试板卡，用于测试NandFlash芯片的性能；测试板卡上设置有插座，用于将Nand将NandFlash芯片通过插座插接在信号驱动单元提供启动NandFlash芯片进行读、写和擦除的使能信号以及写入的数信号测量单元获取NandFlash芯片输出的波形进行运算，2.如权利要求1所述的基于SOC通用测试平台4.如权利要求1所述的基于SOC通用测试平台的NandF定义configer文件，所述configer文件规定了NandFlash芯定义level文件，所述level文件定义芯片输出的测试信号5.如权利要求4所述的基于SOC通用测试平台的36.如权利要求1所述的基于SOC通用测试平台的Nand号驱动单元中的接口封装库内封装的NandFlash操作命令包括读read、写write和擦除7.如权利要求6所述的基于SOC通用测试平台的Read_Pattern，Write_Pattern和Erase_Pattern定义了不同类型8.如权利要求1所述的基于SOC通用测试平台的N从测试文件库中调用擦除测试文件进行NandFlash芯片的从测试文件库中调用写测试文件进行NandFlash芯片从测试文件库中调用DC类测试文件进行NandFlash芯片的工作电流和9.如权利要求1所述的基于SOC通用测试平台的4[0001]本发明涉及芯片测试领域，尤其涉及一种基于SOC通用测试平台的NandFlash测存储和大数据存储业务中得到广泛的应用。为了保证NandFlash芯片能长期可靠的工作，[0003]本发明的任务是提供一种基于SOC通用测试平台的NandFlash测试方法，通过该方法可以对各类封装、各种型号的NandFlash进行读、写和擦除测试，无需额外的Nand5[0024]在本发明的又一优选方案中规定，信号驱动单元中的接口封装库内封装的Nand[0039]在本发明的第二方面，针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种用于Nand6[0046]本发明至少具有下列有益效果：本发明公开了一种基于通用测试平台的Nand既可以对固定特性验证测试，也可以根据需求自定义测试流程并提供测试结果，增加了[0049]图2示出了根据本发明的一个实施例的用于NandFlash测试的SOC通用测试平台[0050]图3示出了根据本发明的一个实施例的基于SOC通用测试平台的NandFlash测试基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是明示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对重要性。7[0059]如图1所示，现阶段主流的NandFlash测试方法如下：首先，上位机控制NandFlash控制器输出命令，上位机中的上位机控制器控制NandFlash控制器中的命令执行模[0060]图2示出了根据本发明的一个实施例的用于NandFlash测试的SOC通用测试平台[0068]图3示出了根据本发明的一个实施例的基于SOC通用测试平台的NandFlash测试时间；定义limit文件，limit文件定义坏块数量的阈值。若坏块的数量超过阈值，Nand8及写入的数据。信号驱动单元中的接口封装库内封装的NandFlash操作命令包括读read、定义了上述不同类型的信号在不同周期内的测试波形以及NandFl文件进行NandFlash芯片的工作电流和电[0083]本发明至少具有下列有益效果：本发明公开了一种基于SOC通用测试平台的Nand既可以对固定特性验证测试，也可以根据需求自定义测试流程并提供测试结果，增加了在限定本发明