CN114239467B 晶圆的晶片布局计算方法、装置、介质与设备 （长鑫存储技术有限公司）

US2012181669A1,2012.07.19备本公开提供了一种晶圆的晶片布局计算方根据该覆盖区域中完整晶片的数量确定基准晶2基于晶圆中各晶片的分布阵列，以所述分布阵列中的任一晶片为基在每次移动后，根据所述晶圆中心的当前位置确定所述晶按照第二步长在所述可行区域中移动所述晶圆中心，以确定每次在确定所述完整晶片的最大数量后，按照光刻机单次曝光区域的晶片位置分布图案，根据所述完整晶片的最大数量和所述全部晶片的最小曝光次数，确定基于预先建立的二维坐标系，按照晶片的尺寸在所述晶圆中确定各晶片所述各晶片的分布阵列。晶片的任意数量个1/4矩形区域，所述按照第一步长在所述基准晶片的预设区域内移动所将所述基准晶片的任意数量个1/4矩形区域划分为多个子区域，所述子区域包括边长按照所述第一步长在所述多个子区域中移动所述晶圆中心，直至遍历全部所述子区按照所述第二步长在所述多个方格中移动所述在每次移动后，根据所述晶圆中心的当前位置确定所述晶圆的3在所述多个方格中，将所述可行区域中任意一个方格确定为所述晶圆中心的初始位在每次移动时，根据所述晶圆中心的当前位置确定第二覆盖在下一次移动所述晶圆中心时，根据所述晶圆中心的当前位置确定所述第二覆盖区比较所述当前完整晶片数量和所述晶圆中心在所述晶片覆盖区域中确定所述晶圆的边缘有效晶片数量和计算所述边缘有效晶片数量与预设常数的乘积，以将所述在所述不同晶片位置，确定所述光刻机曝光全部晶片的曝光次数根据所述完整晶片的最大数量和所述全部晶片的最小曝光次数或所述有效晶片的最根据所述有效晶片的最大真实数量和所述全部晶片的最小曝光确定各所述目标覆盖区域中完整晶片或有效晶片所在的边缘，并在所述最佳晶圆覆盖区域中确定所述晶圆中全部完整晶片的位置或全部晶片的位置，第一移动模块，用于基于晶圆中各晶片的分布阵列，以所述4第二移动模块，用于按照第二步长在所述可行区域中移动确定模块，用于在确定所述完整晶片的最大数量后，按照光刻生成模块，用于根据所述完整晶片的最大数量和所述全部晶被处理器执行时实现权利要求1-10任一其中，所述处理器配置为经由执行所述可执行指令来执行权利5所述各晶片的分布阵列。6个1/4矩形区域，所述按照第一步长在所述基准晶片的预设区域内移动所述晶圆中心，包所述第一步长相等的正方形；按照所述第一步长在所述多个子区域中移动所述晶圆中心，7一覆盖区域，并根据所述第一覆盖区域中完整晶片的数量确定所述基准晶片的可行区域；并将由所述晶圆中心构成的晶圆区域确定为所述一直线时，将与所述晶圆中心所在直线的距离小于预设距离的区域确定为所述可行区域，8置确定所述晶圆的第二覆盖区域，并在所述第二覆盖区域中确定所述完整晶片的最大数[0025]在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二移动模块还用于在所述多个方格所述计算机程序被处理器执行时实现上述任意一种晶圆的晶片布[0033]根据本示例性实施方式中的晶圆的晶片布局计算方法、晶圆的晶片布局计算装9构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实[0054]本公开的示例性实施方式首先提供了一种晶圆的晶片布局计算方法。图1示出了根据该第一覆盖区域中完整晶片的数量确定上述基准晶片的的可行区域可以是基准晶片中能够取得较大或最大数量的完整晶[0059]在一种可选的实施方式中，在按照第一步长搜索基准晶片的预设区域时，步骤[0060]步骤S310.以上述分布阵列中的任一[0065]将基准晶片的任意数量个1/4矩形区域划分为多个子区域，该子区域包括边长与[0067]继续参考图5所示，基准晶片500的任意数量个矩形区域可以被划分为多个子区据晶圆中心在每个子区域中时对应的第一覆盖区域的完整晶片数量确定完整晶片的最大d构成的矩形区域520即可以作为上述基准晶片的构成的最大围合区域620可以包括各晶圆中心和与各晶圆中心所在直线的距离小于预设距[0075]步骤S120.按照第二步长在上述可行区[0084]在上述多个方格中，将上述可行区域中任意一个方格确定为晶圆中心的初始位动后晶圆中心的位置确定为新的初始位置，重新按照第二步长沿顺时针方向移动晶圆中时针或逆时针搜索一圈且未搜索到完整晶片数量大于或等于晶圆中心在上述初始位置时圆中心的位置构成了搜索路径920。按照这种方式可以在可行区域中确定完整晶片的最大中心区域，并在该晶片覆盖区域中确定晶圆的边缘有效晶片数量和非边缘有效晶片数量，片属于无效晶片，中心区域1020可以包括边缘有效晶片区域1021和非边缘有效晶片区域[0097]步骤S130.在确定完整晶片的最大[0099]在半导体制造工艺中，在确定晶圆内完整晶片的最大数量和各完整晶片的位置[0101]步骤S140.根据完整晶片的最大数[0108]在上述最佳晶圆覆盖区域中确定晶圆中全部完整晶片的于最外侧的各个完整晶片边缘上的各点与目标覆盖区域1300边缘切线之间的垂直距离作距离d1为目标覆盖区域的半径减去目标覆盖区域中心与完整晶片1311左下方顶点的距离；目标覆盖区域1300的半径减去目标覆盖区域中心与完整晶片131[0113]在上述最佳晶圆覆盖区域中确定晶圆中全部完整晶片的1411与目标覆盖区域1300的最小距离d3为目标覆盖区域1300的半径减去目标覆盖区域中径减去目标覆盖区域中心与有效晶片141在可行区域内进一步搜索完整晶片的最大数量，提高了确定完整晶片最大数量的准确性，并且由于本方法只需要对基准晶片的部分区域进行搜索，而不需要搜索整个基准晶片区[0120]在本公开的一种示例性实施方式中，预设区域包括基准晶片的任意数量个1/4矩形区域，第一移动模块1510可以用于将基准晶片的任意数量个1/4矩形区域划分为多个子[0123]在本公开的一种示例性实施方式中，第二移动模块1520还可以用于在多个方格整晶片数量，比较当前完整晶片数量和晶圆中心在上述初始位置时的完整晶片的最大数[0135]可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本公开操作的程序算设备的情形中，远程计算设备可以通过任意种类的网络，包括局域网(LAN)或广域网系统组件(包括存储单元1720和处理单元1710)的总线1730和显示单[0140]存储单元1720还可以包括具有一组(至少一个)程序模块1725的程序/实用工具得该电子设备1700能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识