CN114242667B 扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构 （甬矽电子(宁波)股份有限公司）

扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构本发明的实施例提供了一种扇出型芯片封本发明能够避免使用硅衬底刻蚀凹槽的方式来并且采用胶膜凸起倒模的方式，降低了工艺难2去除所述载具和所述第一胶膜凸起，以在所述塑封体的一侧表面其中，所述第一胶膜凸起的尺寸与所述第一芯片的尺寸相适去除第二预设区域的所述第二胶膜层，并露出所述第一胶膜层，以在所述塑封体的表面形成覆盖所述第一芯片和所述预贴芯7.根据权利要求5所述的扇出型芯片封装方法，所述第二胶膜凸起为多个，其特征在3在所述塑封体的表面形成覆盖所述第一芯片和所述预贴芯在所述塑封体的表面形成覆盖所述第二芯片和所述第二胶膜凸在所述第一布线层上设置贯通至所述第一金属在所述第二布线层上设置贯通至所述第二金属其中，所述第一金属层与所述第一芯片电连其中，所述钝化层覆盖在所述第一凹槽和所述第4[0002]随着半导体行业的快速发展，扇出型晶圆级封装(Fan-outwaferlevel567寸和深度等均难以管控，并且对于不同芯片需要多次刻蚀形成不同大小不同深度的凹槽，8槽111内，同时钝化层130设置在塑封体110的一侧表面，并覆盖第一凹槽111和第一芯片并在载具200的一侧表面设置第一胶膜层210，然后在第一胶膜层210上设置第二胶膜层表面形成与第一胶膜凸起250对应的第一凹槽111。其中，第一胶膜凸起250和第一胶膜层可以进行点胶工艺将第一芯片120和第一凹槽111之间的间隙填满，则此时塑封体110的一9贴装在该第一凹槽111内，同时钝化层130设置在塑封体110的一侧表面，并覆盖第一凹槽在载具200的表面贴装形成第一胶膜凸起250，然后塑封后形成包覆在第一胶膜凸起250外的塑封体110，然后去除载具200和第一胶膜凸起250，保留了具有第一凹槽111的塑封体例提供的扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构100，能够避免使用硅衬底刻蚀凹槽使得后续去除载具200后能够将预贴芯片1芯片160在塑封体110中。在步骤S5中，钝化层130需要同时覆盖预贴芯片160和第一芯片和第一芯片120，均无需多次蚀刻形成不同的凹槽进行芯片的放置，进一步简化了工艺流160嵌设在塑封体110内，同时钝化层130设置在塑封体110的一侧表面，并覆盖预贴芯片二胶膜层230，其中第一胶膜层210和第二胶膜层230均为UV胶层，方便后续的剥离去除动第一胶膜层210上贴装预贴芯片160，该预贴芯片160的种类和大小可以与后续贴装的第一应位置处的载具200，以形成第一凹槽111。与此同时去除预贴芯片160对应位置处的载具芯片120的背面涂覆有粘接胶膜，利用该粘接胶膜将第一芯片120粘接固定在第一凹槽111表面与第一芯片120和预设芯片对应的位置旋转涂覆一层介质材料，固化后形成第一钝化芯片120和第一凹槽111之间的间隙填满，即钝化层130延伸至第一芯片120与第一凹槽111[0127]需要说明的是，此处在完成第一钝化层131的制备后，还可以提前在第一钝化层方式在第二芯片170的对应位置形成第二钝化层133，第二钝化层133与第一钝化层131接[0136]然后在第一钝化层131和第二钝化层133上完成第一金属层145、第一布线层141、[0141]综上所述，本实施例提供了一种扇出型芯片封装方法以及扇出型芯片封装结构100，其采用了分区贴装芯片的方式，首先将第一胶膜凸起250和预贴芯片160区域的载具侧表面与第一芯片120和预设芯片对应的位置旋转涂覆一层介质材料，固化后形成第一钝[0149]S6：去除与第二胶膜凸起270对应位置处的载具200，并去除部分第二胶膜凸起[0152]具体而言，在去除载具200和其中一个第二胶膜凸起270后，形成单个第二凹槽[0153]S8：在塑封体110的表面形成覆盖第二芯片170和第二胶膜凸起270的第二钝化层层133覆盖在第二芯片170和第二胶[0158]需要说明的是，本实施例中预留有第二胶膜凸起270，其中预留的第二胶膜凸起设计以及RDL线路设计的问题，同时预留的第二凹槽113内的第二胶膜凸起270可以起到产