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文档简介
一种聚焦离子束-扫描电镜三维结构重构校种聚焦离子束-扫描电镜三维结构重构校正方采用聚焦离子束-扫描电镜对感兴趣区域进行切正聚焦离子束-扫描电镜对材料微纳米级结构的2在真空条件下,采用包含环氧树脂的组分对所述材料样品进行待环氧树脂完全固化后,对所述待测样品进行加工,沿所述球形颗粒2.根据权利要求1所述的聚焦离子束-扫描电镜三维结构重构校正方法,其特征在于,所述球形颗粒的直径与材料微纳米级结构的特征尺寸数量4.根据权利要求1所述的聚焦离子束-扫描电镜三维结构重构校正方法,其特征在于,在真空条件下,采用包含环氧树脂的组分对所述材料样品进行6.根据权利要求5所述的聚焦离子束-扫描电镜三维结构重构校正方法,其特征在于,使用离子束抛光机找到清晰的材料及所述球形颗粒交界处,对交界处进行离子束抛所述环氧树脂为EpoFixKit冷镶环氧对所述待测样品进行加工,沿所述球形颗粒附着层的法向方向暴露材3在真空条件下,采用包含环氧树脂的组分对所述材料样品进行待环氧树脂完全固化后,对所述待测样品进行加工,沿所述球形颗粒基于球形颗粒的形状,对二维图像序列进行逐一校正,并基于校正后的二维4[0001]本发明涉及三维重构技术领域,尤其涉及一种聚焦离子束-扫描电镜三维结构重[0002]基于聚焦离子束-扫描电镜(FIB-SEM)的三维重构是一种较为成熟的三维重构技都会对最终的三维重构结果产生干扰,导致所得的微结构三维数字图像存在走样的问题,[0006]为了解决上述技术问题,本发明提供了一种聚焦离子束-扫描电镜三维结构重构[0011]采用聚焦离子束-扫描电镜对所述感兴趣区域进行切割与扫描,获取二维图像序5[0033]采用聚焦离子束-扫描电镜对所述感兴趣区域进行切割与扫描,获取二维图像序[0037]本发明的上述技术方案具有如下优点:本发明提供了一种聚焦离子束-扫描电镜[0038]图1是本发明实施例中一种聚焦离子束-扫描电镜三维结构重构校正方法步骤示6[0045]图8(a)至图8(c)是本发明实施例中yz平面方向下球形颗粒附着层区域和材料区[0047]如前所述,现有技术中基于聚焦离子束-扫描电镜进行三维重构的技术受到聚焦离子束-扫描电镜实际结构及使用环境的制约,存在因扫描电镜成像镜头与离子束之间有[0052]此步骤102对材料自身的微结构孔隙及球形颗粒附着层中各球形颗粒间的空隙进[0054]此步骤104再次加工待测样品,例如可对步骤102所得待7[0055]步骤106,对暴露出的材料及球形颗粒交界处进行抛光,确定待观测的感兴趣区[0060]此步骤110采取图像校正技术,将所得的三维数字化图像中球形颗粒附着层的椭[0063]此步骤112在校正后的三维数字化图像中去除三维重构的球形颗粒附着层区域,[0064]本发明提供的聚焦离子束-扫描电镜三维结构重构校正方法在材料表面附加用于级结构的特征尺寸(例如孔径)数量级相同。采用和待测微结构特征尺寸相当的球形颗粒,不仅有利于观测扫描所得图像,而且将球形颗粒的三维重构结果还原至原始尺寸及形状8[0073]使用离子束抛光机找到清晰的材料及球形颗粒交界处,对交界处进行离子束抛9[0085]步骤108中,通过图像校正技术,把三维数字化图像中椭球形颗粒校正为球形颗校正的三维数字化图像xz平面数据,图7(b)示出了经过坐标剪切操作校正后xz平面数据,图7(c)示出了经过z方向比例缩放校正的xz平面数据。图8(a)至图8(c)是本发明实施例中[0087]在一些实施方式中,本发明还提供了一种聚焦离子束-扫描电镜三维结构重构校[0091]步骤206,对暴露出的材料及球形颗粒交界处进行抛光,确定待观测的感兴趣区[0097]综上所述,本发明提供的聚焦离子束-扫描电镜三维结构重构校正方法通过粘取以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;
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