机械行业半导体设备深度：超级扩产周期开启设备迎来超级时代

内容目录存扩周开，产替与海振 4球半体备求刚上，储商本开结性调 4外存龙业回暖产速海半体设需持5内两营与本开双，能张动本设需放量 6海厂供错，导体备产代来机遇 8外备付期史性长国厂迎出海金口 8导设国化低，内商术破速替代 9心导设公近年订明提，产替进明显 10国替空广，视FT测和道检心环节 11道备重薄沉积键节国替潜力出 11道备量测备为控心迎国替代金期 12道备韬律后道备值显，FT试机景阔 13投建议 16方创全类备平壁深，续术迭支龙地位 16讯器光块试国龙，军储试环国替代 17川技半体试设龙，试节品类局 19宝技全业一体闭，导零件国替主力 20风险示 22图表目录图表1：全半体扩张十美） 4图表2：全存芯场持扩（美） 4图表3：全半体市场模速长亿元） 4图表4：全存芯格季涨预测 5图表5：2022-2026E芯片本支续码 5图表6：海存大收连两大增长 6图表7：海存大利润两快跃升 6图表8：2023-2026E和SK海士本支跳升 6图表9：国存龙鑫科营收持高增 7图表10：长科技2024年资开增达63.2.................................................7图表11：国两产持续容带下半体设订放量 8图表12：长科、江存先后资化募资金用存扩产 8图表13：半体器交期幅长 8图表14：国半体备在精术节产率有提高 9图表15：半体备业研投总逐上升 10图表16：半体备业平研投稳提升 10图表17：半体备业近营高增（元） 10图表18：半体备业归净稳有（元） 10图表19：半体备业近合负显增（亿） 11图表20：半体业值量布核工、分设、产率核国内业 11图表21：前量测比于道测节主是在圆造节行理性试 12图表22：前工中刻、检环国化最低 12图表23：全量测备市规持提（美元） 12图表24：芯制与测位半体备业中游 13图表25：测为业中游心节 13图表26：半体备、中后价量布 13图表27：2023年球储测机场，外头占九以份额 14图表28：从何缩（L）到型间度化（τ） 14图表29：以间（τ）核心半体层优路径 14图表30：FT试于CP试容全、更严格 15图表31：全球FT测市场模测单：美元） 15图表32：北华半体设业产矩阵 16图表33：北华营连续年增 17图表34：北华净增速段承压 17图表35：北华研投入续码 17图表36：联仪与德科的模测设关键标比 17图表37：联仪在通信试域断化向功器、导测设备域展 18图表38：联仪营收入模速升 18图表39：电测仪与半体试备献要增长 18图表40：25联仪归母利达1.719图表41：联仪募资金用况 19图表42：长科产矩阵 19图表43：长科营收入速升 20图表44：长科利大幅放 20图表45：臻科产矩阵 20图表46：臻科营稳定长 21图表47：臻科一度利扩张 21存储扩产周期开启，国产替代与出海共振AIAIWSTS市场规已到7964.0美，比长26.2；2026年球场模预将达到15112.5亿元大幅长89.9AI据中需增长也动储芯市持续扩容。20241929289049.82AI202637757237517.7。图表1：全球半导体高速扩（亿美元） 图表2：全球存储芯片市场续容（亿美元）NAND DRAM MCP及其他7237519472375194559747533775289021261786192910160WSTS 券研究所SEMI2024-2027E202411662027E155610.1，202511572026E2027E126113522024-2027E9.12024502027E7011.876202511220262027E134，2024-2027E21.1AI图表3：全球半导体设备市场规模快速增长（亿美元）0

晶圆制造设备 测试设备 封装设备66661257013450766011212611352104011572024 2025 2026E 2027ESEMIAIAIDRAM8‑10NAND3SK80‑9070HBMDDR5SK48‑12TrendForce2026Q2，DDR558‑63，NAND70‑75，图表4：全球存储芯片价格季度涨幅预测品类2026Q1涨幅2026Q2预测涨幅2025Q4至今累计涨幅DDR5+30~40+58~63~307(现货)DDR4+25~35+50~55~197(现货)NANDFlash+20~30+70~75>200HBM+15~20+25~30产能缺口50-60TrendForce，花旗银行研报、CFM闪存市场（截至2026年5月TrendForce显示，2025DRAM5372026613202521120262225HBMHBMNANDAI2026535202516图表5：2022-2026E存储芯片资本开支持续加码TrendForce1.2海外：存储龙头业绩回暖扩产提速，海外半导体设备需求持续受益2023155.42025373.82024、202561.6、48.9；SK2023253.8，2025672.5AIHBM储厂商业绩实现连续高增。2023SK20247.8美跃至2025的85.4美元同增高达997.6海士2025净利297.3121.9HBM图表6：海外存储大厂营收续年大幅增长 图表7：海外存储大厂净利近年快速跃升4002000

美光营业收入（亿美元） 海力士营业收入（亿美元）美光yoy 海力士yoy672.5447.9672.5447.9253.8155.4251.1373.850%0%-50%-100%2023 2024 2025

0

美光净利润（亿美元） 海力士净利润（亿美元）美光yoy 海力士yoy297.3134.0297.3134.07.820242025-58.3-70.8232085.41000%800%600%400%200%0%-200%-400%SK海力士历年资本开Capex2024202376.820259.289.1，202627070.3；SK2024、202565.875.5HBM图表8：2023-2026E美光和SK海力士资本开支大幅跳升

美光Capex（亿美元） 海力士Capex（亿美元美光yoy 海力士89.1%270.075.5%70.3%65.8%197.889.1%270.075.5%70.3%65.8%197.8112.776.868.09.2%83.9158.6

100.0%90.0%80.0%70.0%60.0%50.0%40.0%30.0%20.0%10.0%0.0%，美光官网1.3国内：两存营收与资本开支双升，产能扩张带动本土设备需求放量DRAM202282.990.9241.8320.897.8AIDRAMDDR5图表9：国产存储龙头长鑫科技营收持续高增0

营业收入（亿元） yoy166.1%320.8241.882.990.9166.1%320.8241.882.990.99.7%97.8%

180%160%140%120%100%80%60%40%20%0%长鑫科技招股说明书司年资本开支354.3亿元，2023年增至436.6亿元，同比提升23.2；2024年大幅加码至712.363.2202524.1AIHBM图表10：长鑫科技2024年资本开支增速高达63.2

资本开支（亿元）

63.2%23.2%63.2%23.2%241.1354.3436.6712.360%50%40%30%20%10%02022

2023

2024

0%2025H长鑫科技招股说明书202528-295-6应设备采购额约为350-43015202617200续设备采购订单释放，叠加国产化采购导向，本土半导体设备企业迎来长期增长红利。图表11：国内两存产能持续扩容，带动下游半导体设备订单放量长鑫存储长江存储2025月产能28-29万片15万片2026E月产能33-35万片17万片以上2025全球市占率7.67112026Q1全球市占率9.70132026年设备采购额350-430亿元约200亿元Counterpoint，Omdia，经济观察网，财联社，GMIF创新观察，武汉市新洲区人民政府，爱企查7029YoleGroup23.2鑫科技2026年350-430亿元的设备采购就将为国产设备商带来近百亿元订单。图表12：长鑫科技、长江存储先后资本化，募集资金拟用于存储扩产长鑫科技长江存储核心产品DRAM存储芯片3DNAND闪存芯片目标上市板块上交所科创板上交所科创板IPO阶段已获证监会注册批文，等待询价挂牌处于上市辅导阶段，尚未申报IPO拟募资规模295亿元-募资主要投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM机存储器前瞻技术研究与开发-长鑫科技招股说明书，长江存储上市辅导备案报告，中国证券监督管理委员会海外厂商供需错配，半导体设备国产替代迎来新机遇202632-bitMCU52，SiC25-4020-48202640-180nm消耗成熟制程功率与模拟芯片。供需错配倒逼晶圆和功率器件厂商加速扩产成熟产线与SiC产线，持续拉动半导体设备采购，中长期支撑设备行业订单与资本开支维持高景气。图表13：半导体元器件交期大幅拉长元器件类型平均交货时间8/16-bit通用型MCU18-42周车规32-bitMCU24-52周功率MOSFET16-10周IGBT和SiCMOSFET25-40周模拟集成电路20-48周高电容多层陶瓷电容器12-28周钽电容和聚合物电容18-40周DRAM和NAND闪存8-16周STHL官网（截至2026.1AI12–24SKCMP图表14：国内半导体设备在高精技术环节国产化率有待提高设备种类国产化率中国大陆厂商国外厂商去胶≥80屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以等HitachiHigh-Technologies(日)、LamResearch(美)等清洗50-60北方华创、中国电科、盛美上海、至纯科技、芯源微等迪恩士SCREEN、TokyoElectronLimited(日)、LamResearch(美)等刻蚀55-65中微公司、北方华创、嘉芯半导闵扬等AppliedMaterials(美)、LamResearch(美)、TokyoElectronLimited(日)等热处理30-40北方华创、盛美上海、嘉芯半导体、嘉芯闵扬等AppliedMaterials(美)、LamResearch(美)、TokyoElectronLimited(日)等PVD10-20北方华创、嘉芯半导体等ASMInternational(荷兰)、AppliedMaterials(美)、LamResearch(美)、TokyoElectronLimited(日)等CVD\ALD5-10北方华创、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技、嘉芯半导体等ASMInternational(荷兰)、AppliedMaterials(美)、LamResearch(美)、TokyoElectronLimited(日)等CMP30-40盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等DuPont(美)、ThimaswestInc(美)、JSR(日)等涂胶显影5-10盛美上海、芯源微等DowChwmical(美)、JSR(日)、TOKAmerica(美)等离子注入10-20凯世通、中国电科、烁科中科信等AppliedMaterials(美)、AxcelisTechnologies(美)等量测1-10上海微电子、中科飞测、精测电子等KLA(美)、SantecHoldingsCorporation(日)等光刻0-1上海微电子、中国电科等ASML(荷兰)、Canon(日)、Nikon(日)等全球半导体观察研发投入持续提升，高端设备研发提速完善自主供给：2020-2025202033.12025185.852520201.720257.42024202539.828.9。ChipletHBMTSVDDR6HBMCP/FT“图表15：半导体设备企业研投总额逐年上升 图表16：半导体设备企业平研投入稳步提升0

半导体设备企业发投入总额亿元） yoy185.8144.1103.181.3185.8144.1103.181.356.333.141.30%2020 2021 2022 2023 2024 20252026Q1

半导体设备行业业平均研发入（亿元） yoy7.45.84.13.37.45.84.13.32.61.71.77 50%65 40%4 30%3 20%21 10%0 0%2020 2021 2022 2023 2024 20252026Q12.3核心半导体设备公司近年来订单明显提升，国产替代进程明显20202025202022.72025123.84.465.22026图表17：半导体设备企业近营高速增长（亿元） 图表18：半导体设备企业归净利稳中有升（亿元）0

中微公司 拓荆科技 中科飞测 精测电子 芯源微123.8123.890.762.665.222.74.431.17.647.417.127.041.02020 2021 2022 2023 2024 2025

中微公司 拓荆科技 中科飞测 精测电子 芯源微21.117.916.210.111.79.34.921.117.916.210.111.79.34.96.66.93.70.7-0 201 202 203 204 20520151050-52020-202520205.9202530.420201.3202548.5202648.8涂胶显影、测试设备企业中科飞测、芯源微、精测电子合同负债规模亦较2020年实现明2026图表19：半导体设备企业近年合同负债显著增加（亿元）中微公司 拓荆科技 中科飞测 精测电子 芯源微48.548.848.548.829.825.93222.013.7.013.85.91.32.19876.370.31.31.60.3.582.05.83.93.83.94.53.66.983.7634..74.4.148.58.5.40..504030201002020

2021

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2025

2026Q1FT从产业链价值分布来看，半导体设备价值集中于晶圆制造前道工序，整体价值占比高达4.5CMPCMP50-6055-65；图表20：半导体产业价值量分布、核心工序、细分设备、国产化率及核心国内企业SEMI，全球半导体观察，芯力电子关键环节薄膜沉积国产化水平处于行业底部，国产替代潜力突出。光刻设备国产化率仅0-1，PVD10-20、CVD/ALD5-1013SEMI图表21：前道量检测相比于后道检测环节，主要是在晶圆制造环节进行物理性测试胜科纳米招股说明书导设替进分化著中检备国化仅1-10高于0-1QYResearch2025192.222E21.023E321.02026E-2030E10.8EUV3DNAND图表22：前道工序中光刻、检环节国产化率最低 图表23：全球量检测设备市规模持续提升（亿美元）55%60%55%60%35%35%15%15%1%5%8%8%60%40%20%0%

80%

0

321.0321.0289.7261.5236.0192.2213.0167.62024 2025 2026E2027E2028E2029E2030E全半体察 QYResearch3.3后道设备：韬定律下后道设备价值凸显，FT测试机前景广阔（CP（F（ATE）AIDDR5图表24：芯片制造与封测位半体设备产业链中游 图表25：测试为产业链中游心节长科招说书 联仪招说书测试机为后道设备核心，测试机技术壁垒与价值量突出。在后道半导体测试设备赛道中，测试机为规模最大的核心细分品类。从设备应用结构来看，测试机可覆盖晶圆测试（CP）与成品测试（FT）全流程环节，而分选机、探针台仅作为配套设备，分别适配成品测试、机值显先在体试备中价占比约63中存储试机图表26：半导体设备前、中、后道价值量分布SEMIDRAMHBM市占率达56，是HBM与高端DRAM测试设备的核心供应商；泰瑞达聚焦通用DRAM、NANDFlash测场景年占为43消级与业存测领具备强竞1，ATE图表27：2023年全球存储测试机市场中，海外龙头占据九成以上份额爱德万 泰瑞达 其他43%爱德万 泰瑞达 其他43%56%爱德万官网，泰瑞达官网15TSVChipletCPFTSoC3-5AIHBM图表28：从几何微缩（L）到新间尺度优化（τ） 图表29：以时间（τ）为核心的半体全层级优化路径华为何波ISCAS演讲 华何波ISCAS演讲在芯片制造流程中，FTCP图表30：FT测试相较于CP测试内容更全面、要求更严格对比维度CP测试（芯片探针测试）FT测试（成品测试）测试阶段晶圆加工完成后、划片封装之前芯片完成封装之后测试对象晶圆上每一个独立的晶粒（未切割）封装后的成品芯片核心目的初步筛查，及早剔除明显失效的晶粒全面验证性能，确保出货产品为合格品测试内容以DC测试为主：开短路测试、漏电流测试、阈值电压、导通电阻、击穿电压等基础电性参数更为全面：除电性参数外，还需验证系统级应用环境下的功能和性能核心设备探针台、探针卡、测试机、接口板分选机、测试机、插座/导电胶、负载板中国科学院半导体研究所FTFT/CP900/FT道配置规模，二者共同形成设备价格阶梯。FT2024FT31039115/QYResearch2025FT38.42026E41.02030E至54.7亿元年场复长达7.5方面算力片、HBMFTChiplet3DFTOSATSoCFT图表31：全球FT测试机市场规模预测（单位：亿美元）54.750.954.750.947.344.038.441.0504030201002025 2026E 2027E 2028E 2029E 2030EQYResearch投资建议ICPCCPBevel、IBEMEMSPVDCVD、外延、ALD图表32：北方华创半导体设备业务产品矩阵设备分类细分产品主要应用刻蚀设备ICP刻蚀硅、金属、氮化镓精细刻蚀CCP刻蚀存储芯片深孔、沟槽加工高选择性刻蚀先进制程层间、精细结构释放等离子去胶机刻蚀/沉积后去除光刻胶Bevel刻蚀12寸晶圆边缘缺陷清理，提升良率IBE离子束刻蚀MEMS、光电器件高精度加工薄膜沉积设备PVD金属布线、阻挡层、电极沉积CVD（含PECVD/MOCVD等）逻辑/存储介质、栅极薄膜EPI外延设备功率半导体、光电子外延层ALD原子层沉积先进制程高K介质、金属栅电镀设备铜互连、封装金属镀层热处理设备管式氧化炉栅氧、场氧化层制备管式退火炉离子注入后、薄膜致密化处理RTP单片快速热处理浅结、金属硅化物、先进封装退火湿法清洗设备槽式清洗中低端产线通用清洗单片清洗12英寸先进产线主流清洗物理刷洗清洗晶圆背洗、边缘清洁、厚胶预处理离子注入设备离子注入机芯片制造制备PN结涂胶显影设备涂胶显影机光刻胶涂覆、显影、坚膜键合设备临时键合机薄片、先进封装临时绑定解键合机临时键合后拆片混合键合设备三维异构集成、高端先进封装北方华创官网，北方华创2025年报202060.62025393.56峭。2026103.225.820205.4202555.2长。2026Q1方创净润16.3元同长3.4。图表33：北方华创营收连续年增 图表34：北方华创净利增速段承压0

营业收入（亿元） yoy393.5393.596.860.6146.9220.8103.2298.42020 2021 2022 2023 2024 2025

70%60%50%40%30%20%10%0%

归母净利润（亿） yoy39.023.516.310.85.460 39.023.516.310.85.4504030201002020 2021 2022 2023 2024 2025

140%120%100%80%60%40%20%0%-20%202016.1202572.82572026Q11436.6ICPALD图表35：北方华创研发投入持续加码研发费用（亿元） yoy72.859.572.859.544.135.728.916.114.07060504030201002020 2021 2022 2023 2024 2025

90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%4.2,1.6T1.6T113.44GBaud1.6T图表36：联讯仪器与是德科技的光模块测试设备关键指标对比是德科技联讯仪器1.6T配套测试设备要求采样示波器最高通道带宽为120GHZ最高通道带宽为65GHZ最高通道带宽>53.125GHZ时钟恢复单元最高恢复速率为125GBaud最高恢复速率为120GBaud最高恢复速率>106.25GBaud误码分析仪单通道最高传输速率为120GBaud单通道最高传输速率为113.44GBaud单通道最高传输速率>106.25GBaudKeysight官网，联讯仪器招股说明书，IEEE联讯仪器在光通信测试设备领域深耕，同时拓展至功率器件测试设备与半导体测试设备1.6TCoCKGDKGDWAT图表37：联讯仪器在光通信测试领域不断深化，向功率器件、半导体测试设备领域拓展联讯仪器招股说明书联讯仪器营收快速电提子升测，量仪器与半导体测试设备贡献主要增长。从收入端来看，联讯仪器营收呈现爆发式增长态势。2022、2023年营收分别为2.1亿元、2.8亿元，同比增长28.6年大幅收达7.9元同激增185.92025年收11.92022-2025导测设营占比达45.7和46.7，结更均衡。图表38：联讯仪器营业收入模速提升 图表39：电子测量仪器与半体试设备贡献主要增长1412108642.120

营业收入（亿元） 185.9%7.92.828.6%

200%180%160%140%120%100%80%60%51.4%40%20%0%

2.2%7.6%2.2%7.6%1.1%6.1%0.5%6.1%1.7%6.0%35.6%45.2%46.7%58.1%57.3%48.2%45.7%32.1%

2023

2024

20252022 2023 2024 2025

电子测量仪器 半导体测试设备 测试部件 其他联讯仪器招股说明书，25年达1.7亿元。251.723.6。图表40：25年联讯仪器归母净利润达1.7亿元

归母净利润（亿）

1.71.41.71.4353.6%2024202523.6%-0.4-0.6-45.5%20232022350%300%250%200%150%100%50%0%-50%-100%IPO募投加码光通信、存储测试设备。联讯仪器于2026年4月24日于科创板IPO，发行2566.6781.8819.07图表41：联讯仪器募集资金运用情况序号项目名称投资总额（亿元）拟使用募集资金金额（亿元）1下一代光通信测试设备研发及产业化建设项目5.135.132车规芯片测试设备研发及产业化建设项目1.991.993存储测试设备研发及产业化建设项目3.853.854数字测试仪器研发及产业化建设项目3.043.045下一代测试仪表设备研发中心建设项目3.103.10合计17.1117.11联讯仪器招股说明书AOI（测试机+分选机、O35CPFTD9000Soc7nmCPFT产品分类代表产品产品分类代表产品应用范围测试机D9000Soc测试机系列适用于芯片CP测试和FT测试数模混合测试机系列PMICHighpincount、以及数字功能要求较强的产品测试。老化测试机系列适用于车规级、AI算法芯片等高可靠性应用场景要求的芯片的老化测试产品分类代表产品应用范围大功率测试机系列MOS、IGBTDC、EAS、AC分选机三温平移式分选机系列适用于GPU、服务器CPU、AI芯片等产品测试C6系列适用于ATE测试P＆PhandlerSLT系列适用于AI，CPU，网络芯片等测试重力式分选机系列适用于SOP/ESOP/TSSOP/SSOP/SOM等封装形式的产品测试转塔式分选机系列LeadDiscretePower,DiscreteQFNSOICBGA装器件探针台常高温探针台适用于硅基大翘曲(9mm)晶圆全自动取放测试三温探针台适用于8/12寸晶圆在-55~150°C环境下稳定的电性能测试AOIAOI检测设备适用于晶圆、封装器件的外观缺陷检测AOI量测系统适用于半导体关键制程尺B轮廓、二维尺寸的检测长川科技公告，长川科技官网2025营达52.9元比长45.3营达