T-CASAS 53-2025 氮化铝抛光片位错密度的测试　腐蚀坑法_第1页
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TestmethodfordislocationdensityofpolishedAlNwaferI 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 4附录A（参考性）氮化铝抛光片腐蚀形貌随腐蚀时长的示例 5本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。氮化铝晶体中的位错主要有三种类型：螺位错（TSD）、刃位错（TED）和基平面位错（BPD能至关重要。目前我国缺乏氮化铝抛光片位错密度的测试标准，因此特制定本标1氮化铝抛光片位错密度的测试腐蚀坑法而言，腐蚀坑的形状和分布呈现出晶体中的缺陷类型以及缺陷密Nd=n⁄S··························································(1)n——视场面积S内的腐蚀坑数量。c)稀盐酸，p≈1.047g/mL。d)去离子水，电阻率大于10MΩ·cm。b)容器：材质耐高温且性能稳定，如镍坩埚；直径大于待测样品直径。c)加热器：能将氢氧化钾和氢氧化钠加热为熔融态，并在设定温度2EQ\*jc3\*hps21\o\al(\s\up2(-),2)等流程制备成镜面状态、无划伤的抛光片。将氢氧化钾和氢氧化钠固体（重量配比1:1）混合放入容器内，用加热器加热至320℃~380℃使氢氧化钾和氢氧化钠呈熔融态，将待腐蚀的氮化铝抛光片放入，去除样品表面的腐蚀残留物，并干燥。b)相对湿度：≤75%。9测试程序9.1选择显微镜视场面积将测试样品置于金相显微镜的载物台上，选择放大倍数为400倍，扫描样品表面b)5000个/cm2＜Nd≤10000个/cm2，选用视场面积S≥c)Nd＞10000个/cm2，选用视场面积S≥0.0001cm2。9.2选取测量点位采用光学显微镜或带数字相机的显微镜人工识别位错，不同直径氮化铝单晶位错测试点的位置分布如图1所示，具体晶片边缘去除和测定点位数量应符合表1的规定，并在选定圆周上均3表1不同直径氮化铝抛光片的标称边缘去152349.3读取测试点位错腐蚀坑的数目EQ\*jc3\*hps21\o\al(\s\up2(-),N)Ni········································在重复性条件下，本方法测量位错缺陷密度的相对标准偏差不大于204b)送样单位和送样日期；e)具体表述须用到的试验方法（一个或多个h)位错数目或者位错密度分布结果；5氮化铝抛光片局部腐蚀形貌

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