CN114846575B 溅射沉积设备和方法 （戴森技术有限公司）

2022.06.20PCT/GB2020/05284020WO2021/094723EN2021.05.20US2017207071A1,2017.本文所述的某些示例涉及一种溅射沉积设装载器件用于将第二靶从靶启动区移动到溅射2基底保持器件，用于将基底定位在溅射沉积区中，以用于在靶装载器件，用于将第二靶从靶启动区移动到所述溅射沉积区靶启动区，相应靶在使用中在该靶启动区中暴露于所述等移动到所述溅射沉积区时将所述第一靶从所述溅6.根据前述权利要求中任一项所述的溅射沉积设备将所述第二靶移动到所述溅射沉积区时将第三靶从所述溅射7.根据权利要求1至5中任一项所述的溅射沉9.根据权利要求1至5中任一项所述的溅射沉积设备所述第一传送方向和所述第二传送方向基本3输出的传感器数据将所述第二靶移动到所述使用基底保持器件将基底定位在溅射沉积区中，以用于将靶材料从第使用靶装载器件将第二靶从靶启动区移动到所述溅射沉积靶启动区，相应靶在使用中在该靶启动区中暴露于所述等将所述第二靶移动到溅射沉积区，以用于将靶材料从所述第一靶和4[0001]本发明涉及沉积，并且更具体地(尽管非排他地)涉及将靶材料溅射沉积到基底[0005]靶装载器件，用于将第二靶从靶启动区(targetprimingzone)移动到溅射沉积如，使用本设备进行溅射沉积可意味着靶可在安装到沉积区之前由所产生的等离子体启[0010]在一些示例中，靶装载器件布置成将第二靶移动到溅射沉积区中以代替第一5个或多个磁性元件的磁场强度。这可允许调整在沉积区内的基底和/或靶材料处的等离子子体密度。这进而可允许改进对靶启动过程的控制并且增加溅射沉积设备操作的灵活性，67沿着例如弯曲路径(由图1和图2中的箭头C指示)给组件119可布置成将基底116供给到滚筒118上或者从滚筒118供给，使得基底116由滚筒被供给到第二卷轴或线轴(未示出)上以形成处[0050]等离子体源102可以是感应耦合等离子体源，例如布置成产生感应耦合等离子体102b产生，例如在1MHz与1GHz之间的频率下；在1MHz与100MHz之间的频率下；在10MHz与行于弯曲构件108的纵向轴线120(例如，穿过滚筒118的曲率半径的原点的滚筒118的轴线8[0053]在一些示例中，等离子体源102包括用于产生感应耦合等离子体112的两个天线等离子体112的细长区域，这进而有助于将生成的等离子体112精确地限制到至少沉积区一区域内生成等离子体112，该区域的长度对应于基底引导件118的长度(并且因此对应于[0054]磁体布置104配置为将设备100内的等离子体112(例如，由等离子体生成布置102[0055]基底保持器件118布置成将基底116定位在溅射沉积区114中，以用于将靶材料从第一靶108a溅射沉积到基底116。靶装载器件106布置成将第二靶108b从靶启动区113移动区113内相应靶在使用中暴露于等离子体112。在一些示例中，靶启动区113包括靶启动室108的启动通常涉及从靶108的表面移除材料，以在溅射沉积期间将材料从靶108表面溅射且例如可减少对质量控制的需要。此外，本设置可允许更高效地使用所产生的等离子体[0057]在使用中，磁体布置104可将等离子体112限制在靶启动区117内，以与相应靶9溅射阈值可以是对应于靶材料而限定的最小[0060]在图1和图2的示例中，磁体布置104包括磁性元件104a、104b、104c，磁性元件[0062]布置成撞击靶启动和溅射沉积区114、117的磁场线将生成的等离子体112限制到被布置成遵循弯曲构件118的弯曲表面的至少一部分的曲率(例如遵循弯曲路径C的曲线)104c提供的将等离子体112限制到靶启动区114的全部或整个磁场的部分)由基本上遵循弯曲构件118的弯曲表面的至少一部分的曲[0064]在一些示例中，描述限制磁场的磁场线布置成围绕弯曲构件118的大部分或显著载或接触基底116的弯曲构件118的假想部段的全部或大部分上符合弯曲构件118的曲线。围绕弯曲构件118的圆周的至少约1/16或至少约1/8或至少约1/4或至少约1/2遵循弯曲构曲表面(例如圆周)的至少约1/16或至少约1/8或至少约将等离子体112限制到如本文所述的靶启动区114和溅射致使基底116遵循的弯曲路径C弯曲的程度。基本上遵循弯曲路径C的曲线可被理解为基本[0067]描述限制磁场的磁场线可布置成围绕弯曲路径C的大部分或显著部段或一部分遵成围绕假想圆的圆周的至少约1/16或至少约1/8或至少约1/4或至少约1/2遵循弯曲路径C[0068]将所产生的等离子体112限制成基本上符合弯曲构件118的弯曲表面的至少一部体112的区域增加，并且因此允许可在其中实现溅射沉积的区域增加。对于给定程度的沉子体112的薄片的密度可在其宽度和长度方向中的一个或两个上在弯曲构件118的两侧上限制等离子体112，以符合弯曲构件118的弯曲表面的至少一部分将等离子体112限制到如本文所述的靶启动区114和溅射沉积靶启动过程的控制(例如消融量)并且增加溅射沉积设备100的操作中的灵活性，使得可使用不同类型的基底和/或靶材料。控制描述由磁体布置104提供的限制磁场的磁场线的布中的第二螺线管104b。在另一方向上，产生的等离子体112穿过螺线管中的第一螺线管和靶装载器件106的该部分之间的区域或体积，在该沉积区114中在使用中发生从靶材料[0078]在示例中，靶装载器件106包括靶传送器107，以在靶传送方向113上在靶启动区载器件106可配置为：基于由传感器输出的传感器数据，将第二靶108b移动到溅射沉积区所示，靶传送器107在与基底保持器件118传送基底116的方向平行的方向上传送靶108a、和长度方向中的一个或两个上基本上均匀。呈薄片形式的等离子体112可被螺线管104a、曲薄片形式的等离子体112的密度在其长度和宽度中的一个或[0090]将等离子体限制为弯曲薄片的形式可允许弯曲构件118承载的基底116的暴露于制等离子体112(呈弯曲薄片或其他形式)在至少沉积区114中具有1011cm-3或更大的密度。沉积区114中的高密度等离子体112可允许件将第二靶从靶启动区移动到溅射沉积区中，以用于将靶材料从第二靶溅射沉积到基底。[0096]在步骤604中，该方法涉及使用靶装载器件将第二靶从靶启动区移动到溅射沉积[0098]在步骤608中，该方法包括使用磁体布置将等离子体限制到靶启动区和溅射沉积[0099]如上述，以这种方式限制生成的等离子体可以允许更有效地使用生成的等离子所产生的等离子体允许使用相