《汽车芯片电磁兼容评估方法 第3部分：驱动芯片》编制说明

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《汽车芯片电磁兼容评估方法第3部分：驱动芯片》编

制说明

一、工作简况

1.1任务来源

刘挺8675《汽车芯片电磁兼容评估方法第刘挺86753部分：驱动芯片》团体标准是由中国汽刘挺8675车工

程学会批准立项。文件号中汽学函【2023】248号，任务号为2023-116。本标准由

中国汽车工程学会中国汽车芯片产业创新战略联盟提出，工业和信息化部电子第五

研究所（简称：电子五所）牵头，联合安立通讯科技（上海）有限公司、北京集创

北方科技股份有限公司、北京经纬恒润科技股份有限公司、北京智芯微电子科技有

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限公司、恩智浦（中国）管理有限公司、广东高云半导体科技股份有限公司、广州

汽车集团股份有限公司汽车工程研究院、北京国家新能源汽车技术创新中心有限公

司、合肥艾创微电子科技有限公司、湖南进芯电子科技有限公司、华大半导体有限

公司、上海贝岭股份有限公司、上海汽车变速器有限公司、上海芯旺微电子技术股

份有限公司等20余家行业单位共同制定。

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1.2编制背景与目标

​1.2.1编制背景

随着汽车电子化、智能化程度不断提高，驱动芯片作为控制车辆动力系统、底

盘、车身等核心功能的关键组件，应用场景和数量大幅增加。然而，驱动芯片的高

刘挺8675频开关操作（如逆变电路、PWM控制）刘挺8675会产生电磁干扰（EMI），可能影响车刘挺8675辆电

子系统的稳定性和安全性。因此，亟需制定统一的EMC评估标准，以确保芯片在

严苛的汽车电子环境中稳定运行。

本文件的编制基于以下行业需求：

1）现有标准（如ISO11452、CISPR25）主要针对整车或模块级EMC测试，

刘挺8675缺乏对驱动芯片的专项评估方法。芯片刘挺8675级EMC评估有助于在早期设计阶段发刘挺8675现问

题，降低后期整改成本。

2）新能源汽车技术快速迭代带来挑战，高压系统（如48V/800V架构）和高频

数字电路（如ADAS、车载通信）对驱动芯片的EMC性能提出了更高要求。芯片

需在IGBT开关瞬态尖峰、CANFD高速通信等复杂工况中确保EMC性能，从而避

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免对BMS、毫米波雷达等敏感设备造成干扰。

1

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1.2.2编制目标

本文件旨在为汽车电源管理芯片的EMC评估提供科学、可操作的规范，具体

目标包括：

1）制定统一的测试方法，规定汽车驱动芯片的基本信息要求、电源管理芯片的

EMC（如传导发射、辐射抗扰度、静电放电等）测试项目、电磁兼容性（EMC）评

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估以及评估报告。

2）为芯片厂商提供设计参考，引导设计优化（如接地策略、信号完整性分析），

为行业认证提供补充性EMC评估依据。

3）通过标准化的参数定义和测试流程，减少企业与整车厂之间的技术壁垒，促

进芯片设计、制造与应用的协同，推动产业链高质量发展。

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1.3主要工作过程

1.3.1预研阶段

深入研究、全面分析国内外汽车集成电路电磁兼容相关标准规范，确定制定本

标准的先进性和必要性。同时，邀请汽车集成电路电磁兼容相关单位和专家，召开

刘挺8675标准预研会，讨论标准制定的可行性，刘挺8675初步拟定标准研究范围，研讨标准技术刘挺8675框架

和内容，并编制标准立项申请表、标准初稿等材料。

1.3.2立项阶段

根据标准预研成果，确定标准的研究范围、技术框架和技术内容，邀请汽车用

集成电路电磁兼容相关单位和专家，组织召开标准讨论会议，根据整车企业、芯片

刘挺8675企业与零部件企业意见，修改标准立项刘挺8675申请表、标准初稿等材料，并于202刘挺86753年7

月提交中国汽车工程学会进行标准立项申报，2023年10月标准通过立项。

1.3.3起草阶段

2023年11月24日，工业和信息化部电子第五研究所（下称：电子五所）作为

牵头单位，组织召开了中国汽车工程学会团体标准《汽车芯片电磁兼容评估方法第

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2部分：电源管理芯片》启动会暨第一次标准预研会，编制组成员电子五所、国家

新能源汽车技术创新中心、中国汽车工程研究院股份有限公司、中国重汽、珠海芯

聚科技有限公司、北京经纬恒润科技股份有限公司、Anritsu安立通讯、北京集创北

方科技股份有限公司、北京兆易创新科技集团股份有限公司、华大半导体有限公司、

南京微盟电子（上海贝岭)、上海贝岭股份有限公司、小华半导体、合肥艾创微电子

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科技有限公司、恩智浦（NXP)单位等参与。编制组针对标准内容展开讨论，形成如

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刘挺8675下意见和建议：编制组肯定该系列标准刘挺8675的重要性和必要性；编制组各参编单位刘挺8675愿意

在后续工作中积极提供EMC评估试验等内容建议，以共同推动标准实质性落地；

编制组同意选用本次3项标准对应的典型芯片开展EMC摸底试验，提高试验标准

的应用价值和合理性；编制组肯定了建模技术的价值；是否可能针对不同应用域提

出对芯片EMC的不同要求；摸底试验芯片建议选用具有一定先进性和主流的芯片。

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拟定于2024年3月完成控制类芯片、电源管理类芯片、驱动类芯片试验验证，电子

五所提供测试团队，试验样品由编制组内芯片生产单位提供，圣邦微可提供驱动芯

片，兆易可提供控制芯片，中汽中心可提供测试平台。

2023年12月26日，以网络会议的形式，组织召开了《汽车芯片电磁兼容评估

方法第部分：电源管理芯片》第二次标准研讨会。工业和信息化部电子第五研究

刘挺86752刘挺8675刘挺8675

所、北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司、中汽研新能源汽车检验中心（天

津）有限公司、圣邦微电子（北京）股份有限公司、中国重型汽车集团有限公司、

北京经纬恒润科技股份有限公司、安立通讯科技（上海）有限公司、华大半导体有

限公司、上海贝岭股份有限公司、北京集创北方科技股份有限公司、小华半导体有

刘挺8675限公司、合肥艾创微电子科技有限公司刘挺8675、中国汽车工程研究院股份有限公司、刘挺8675恩智

浦（中国）管理有限公司、中山大学、芯海科技(深圳)股份有限公司、北京智芯微

电子科技有限公司、上海芯旺微电子技术股份有限公司等单位参与。会议中牵头单

位电子五所对标准编写进展、标准内容、标准讨论点、试验验证方案进行了介绍。

起草组针对标准内容及试验验证方案形成如下计划：1）2024年1月8日前，起草

刘挺8675组单位反馈标准文本意见表、试验验证刘挺8675材料征求意见表；2）拟定于2024年1刘挺8675月10

日前，起草组单位提交试验验证相关材料；3）拟定于2024年1月15日前，召开试

验验证启动会议，相关单位介绍器件应用方案/配置/控制/等问题。

2024年3月1日，以网络会议的形式，组织召开了《汽车芯片电磁兼容评估方

法第3部分：驱动芯片》第三次标准研讨会。参会单位包括电子五所、北京国家新

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

能源汽车技术创新中心有限公司、北京经纬恒润科技股份有限公司、湖南进芯电子

科技有限公司、兆易创新科技集团股份有限公司、中汽研新能源汽车检验中心（天

津）有限公司、合肥艾创微电子科技有限公司、上海贝岭股份有限公司、广州汽车

集团股份有限公司汽车工程研究院、珠海极海半导体有限公司、一汽奔腾轿车有限

公司、宇通客车股份有限公司、中国汽车工程研究院股份有限公司、襄阳达安汽车

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检测中心有限公司、中国重型汽车集团有限公司、思瑞浦微电子科技（苏州）股份

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刘挺8675有限公司、北京集创北方科技股份有限刘挺8675公司等。标准牵头单位电子五所就前期刘挺8675向各

起草组单位征集的标准文本意见进行逐一的研讨交流，反馈相关意见是否采纳，并

征求参与单位意见。起草组针对标准内容及试验验证方案形成如下计划：1）拟定于

2024年3月7日前，圣邦微、进芯、兆易、贝岭、艾创微等企业提交三类芯片相关

的datasheet/典型应用方案/器件样品；2）拟定于2024年4月10日前，由牵头单位

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提供指导，与相关企业协同设计三类芯片试验开发板，企业同步提供芯片样品相关

的配置/控制/调试技术支持等；3）拟定于2024年5月30日前，相关企业提供试验

平台及试验支持，实验人员由牵头单位进行组织，共同完成三类芯片的EMC试验。

4）起草组单位对标准文本有相关修改意见的可继续反馈。

征求意见阶段

刘挺86751.3.4刘挺8675刘挺8675

2024年7月到2025年1月份进行了标准相关的试验操作工作，基本测试完成

本标准相关必要的测试试验。

2025年2月至3月，项目组进行了该系列标准编写工作，并经过内部讨论完善

相关描述和增加相关测试内容。

刘挺86751.3.5征求意见阶段刘挺8675刘挺8675

2025年4月形成征求意见稿，并提交中国汽车工程学会申请行业公开征求意见。

二、标准编制原则和主要内容

2.1标准制定原则

《汽车芯片电磁兼容评估方法第3部分：驱动芯片》标准在充分总结和比较了

刘挺8675国内外汽车驱动芯片电磁兼容性评估方刘挺8675法标准、调研了国内外对汽车驱动芯片刘挺8675电磁

兼容性分析的试验方法的基础上，参考了GB/T19951《道路车辆电气/电子部件

对静电放电抗扰性的试验方法》、GB/TXXXXX－XXXX《车辆集成电路电磁兼容

试验通用规范》、IEC61967《集成电路150kHz-1GHz电磁辐射的测量》、IEC62132

《集成电路电磁抗扰度测量》、IEC62215《集成电路脉冲抗干扰度测量》、IEC62228

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《集成电路收发器的电磁兼容性评估》、IEC62433《电磁兼容性集成电路建模》、

IEC62615《静电放电敏感性测试传输线脉冲(TLP)器件级》。

2.1.1通用性原则

本标准提出的汽车驱动芯片电磁兼容性评估方法不仅适用于传统的燃油汽车驱

动芯片，同时也适用于电磁环境更加复杂的电动汽车驱动芯片，通用性高。

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2.1.2先进性原则

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刘挺8675本标准提出的方法能为汽车驱动芯刘挺8675片电磁兼容性测试提供指导作用。本标刘挺8675准提

出的方法可以测量汽车芯片电磁辐射发射、电磁传导发射、电磁辐射敏感性、电磁

传导敏感性、瞬态抗扰度、系统级ESD试验的不同等级。

2.1.3协调性原则

本标准提出的方法与目前使用的国家标准中的方法协调统一、互不交叉。仅作

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

为一种更便捷、精确度更高、更高效的方法对目前使用的汽车驱动芯片电磁兼容测

试评估方法进行补充。

2.1.4适用性原则

本标准制定的汽车驱动芯片电磁兼容评估方法充分考虑了各大车企所使用的驱

动芯片类型，具有跨国认证兼容性。

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2.2标准主要技术内容

本标准共分为8章，规定了汽车驱动芯片电磁兼容性评估试验方法和要求。内

容包括范围、规范性引用文件、略缩语与术语、略缩语、基本信息要求、EMC评估

要求、EMC评估及评估报告报告。

刘挺86752.3关键技术问题说明刘挺8675刘挺8675

为使试验结果具有可重复性和可比较性，应配置试验板，不同引脚对应的试验

项目的配置方法按照表1进行。配置试验板时，应满足以下要求：

a)试验板的配置相关的引脚负载，所有引脚不可悬空：未连接负载的引脚会

形成“天线效应”，在高频（>100MHz）下产生非预期辐射，或通过容性耦合引

刘挺8675入噪声，导致测试结果偏差（实验刘挺8675数据显示悬空引脚可使辐射噪声提升刘挺86755-10

dBμV/m）。

b)将耦合网络直接集成在试验板上，可消除外部连接线引入的寄生电感（典型

值1-5nH）和电容（0.1-1pF），确保测试信号路径阻抗的一致性（误差<5%）。

c)传导试验依赖精确的阻抗匹配网络（如50ΩLISN），其设计需符合IEC

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61000-4-6规定的频率响应曲线（150kHz-230MHz±3dB）。非标准网络会导致

阻抗失配引发信号反射（VSWR>2.0），测试结果无法横向比对；滤波特性不

一致，高频噪声抑制不足（如未使用共模扼流圈时，30MHz以上噪声泄露增加

15dB）。

d)根据ISO/IEC17025标准，计算试验板配置引入的测量不确定度分量（如阻

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抗误差贡献度≤3%）。

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e)不同封装引脚长度差异导致近场辐射模式变化，共用试验板无法准确模拟真

实场景。外围引脚间距导致信号环路面积大，易受磁场耦合干扰。

表1驱动芯片试验板配置方法

试验项目

引脚类别

刘挺8675电磁辐射电磁传导电磁刘挺8675辐射电磁传导系刘挺8675统级

瞬态抗扰度

发射发射敏感性敏感性ESD试验

1）1Ω法

参考IEC/150Ω法耦合

61967-1网络参考IEC

对被测引61967-4；

直接功率注

脚增加负2）磁场探头去耦/耦合网

输刘挺8675入控制刘挺8675入法去耦/耦刘挺8675

载，还应法电磁发射络参考IEC

引脚合网络参考

对待测引试验不需设62215

IEC62132-4

脚设计去计板上耦合

耦网络、网络，但应预

耦合网络留微带线测

试结构

1）参考

刘挺8675IEC刘挺86751）负刘挺8675载/偏置

61967-1根据芯片应

对被测引用要求；2)试

参考IEC

脚增加负验板的配置

62132-1对被

载，还应主要针对电

1）负载/偏置测引脚增加

对待测引源引脚及其

根据芯片应负载，还应对

脚设计去他全局应用

用要求；2）待测引脚设

刘挺8675耦网络、刘挺8675的引刘挺8675脚，其配

1Ω法/150Ω计去耦网络、

耦合网1）负载/偏置置主要考虑

耦合网络参耦合网络

络；2）功根据芯片应基于应用过

考IEC

率输出引用要求；2）耦合网络参程，可参考

驱动输出61967-4；3）

脚的负载直接功率注考IECIEC62228

引脚磁场探头法

应当根据入法耦合网62215

电磁发射试

芯片实际络参考IEC

验不需设计

应用场景62132-4

刘挺8675板上耦合网刘挺8675刘挺8675

确定，可

络，但应预留

以预留接

微带线测试

口，在试

结构

验板之外

连接负

载。不同

通道（即

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引脚）的

输出应当

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刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675分别进行刘挺8675刘挺8675

配置和试

验

1）负载/偏置

根据芯片配

置要求；2）

参考IEC

1Ω法/150Ω

61967-11）负载/偏置

刘挺8675耦合网络参刘挺8675刘挺8675

对被测引根据芯片配

考IEC

脚增加负置要求；2）耦合网络参

通信接口61967-4；3）

载，还应直接功率注考IEC

引脚磁场探头法

对待测引入法耦合网62215

电磁发射试

脚设计去络参考IEC

验不需设计

耦网络、62132-4

板上耦合网

耦合网络

刘挺8675络，但应预留刘挺8675刘挺8675

微带线测试

结构

1）负载/偏置

参考

IEC

61967-1；2）1）负载/偏置

刘挺86751Ω法/150Ω刘挺8675参考刘挺8675

耦合网络参IEC负载/偏置参

考IEC62132-1；2）考

警示引脚/61967-4；3）直接功率注IEC62132-1

磁场探头法入法耦合网络参

电磁发射试耦合网络参考IEC62215

验不需设计考IEC

刘挺8675板上耦合网刘挺867562132-4刘挺8675

络，但应预留

微带线测试

结构

参考IEC

61967-1

对被测引

脚增加负

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

其他引脚载，还应///

对待测引

脚设计去

耦网络、

耦合网络

2.4标准主要内容的论据

刘挺8675应尽可能详细描述与说明所有可能刘挺8675影响电源管理芯片EMC性能的硬件资刘挺8675源及

其工作状态。

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引脚阻抗匹配：高频控制信号的引脚阻抗需与PCB走线特性阻抗（50Ω或100Ω

差分）匹配，减少反射噪声。

引脚噪声隔离设计：敏感模拟引脚与数字引脚需物理隔离，建议间距≥3倍引脚

宽度，并采用地屏蔽环包裹。

地引脚分布：多接地引脚均匀分布于芯片四周，采用“星型接地”结构，减少地

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弹噪声与共模干扰。

负载瞬态响应：控制环路带宽不足（如<50kHz）会导致输出电压过冲

（Overshoot），瞬态di/dt引发高频辐射；增加斜率补偿或采用电流模式控制（Current

ModeControl）。

固定频率：在基频及其谐波处产生集中能量，易超出辐射限值；

刘挺8675PWM刘挺8675CISPR32刘挺8675

变频调制（如DCS-Control）：通过频率抖动（±10%）将噪声能量扩散至更宽频

段，降低峰值干扰。

调制深度与占空比：突发模式（BurstMode）或轻载下的低占空比运行（<10%）

会引入瞬态电流突变，导致传导噪声（150kHz~30MHz）幅值升高。

刘挺8675X/Y电容与共模电感：X电容（μ刘挺8675F级）抑制差模噪声，Y电容（nF级）刘挺8675与共

模电感（mH级）联合抑制共模噪声，但Y电容接地路径阻抗过高会削弱效果；

2.5标准工作基础

编写组主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所具备完整的汽车电子电磁

兼容测试能力。实验室拥有良好的软硬件平台，满足IEC61967，IEC62132，IEC

刘挺867562215，IEC62228，以及SAE、AECQ刘挺8675系列的测试要求，能保障本标准测试的刘挺8675正常

运行。

三、主要试验（或验证）情况分析

为验证标准的科学性与适用性，工作组联合主流芯片企业、第三方检测机构及

整车厂，选取了典型驱动芯片开展标准化试验。芯片的驱动运行模式：原边VCC

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输入直流电压5V；副边VDDA和VDDB输入直流电压15V；信号输入引脚INA输

入电压3.3V，50%占空比，相位180度，频率10kHz；信号输入引脚INB输入电压

3.3V，50%占空比，相位0度；DIS引脚接地；DT引脚经10kΩ电阻接地，产生大

约120ns的死区时间。

3.1驱动芯片基本信息与电磁兼容性评估试验项目

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驱动芯片的试验项目见表3.1。

8

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表3.1驱动芯片的试验项目

电磁发射电磁敏感性瞬态抗扰系统级ESD

辐射类

GTEM小室法GTEM小室法

试验项目

传刘挺8675导类1欧/150欧法直接功率注刘挺8675入法容性耦合注入刘挺8675

试验项目待测管脚：待测管脚：待测管脚：

3.2GTEM小室法电磁辐射发射试验评估

3.2.1试验板原理与实物

参照GenericICEMCTestSpecification标准制作试验板。

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图1电磁辐射发射试验

3.2.2驱动芯片运行模式

芯片工作状态：原边VCC输入直流电压5V；副边VDDA和VDDB输入直流电压15V；

信号输入引脚INA输入电压3.3V，50%占空比，相位180度，频率10kHz；信号输入引脚INB

刘挺8675输入电压3.3V，50%占空比，相位0度；DI刘挺8675S引脚接地；DT引脚经10kΩ电阻接地，产生刘挺8675大约

120ns的死区时间。

3.2.3驱动芯片的监测条件及状态判定准则

驱动芯片工作状态判定准则：通过示波器监测OUTA和OUTB引脚的输出状态。

3.2.4试验装置

试验设备：IC带状线TEM小室、信号分析仪N9010A、直流电源DP832A、信号发生器

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DG50672，示波器DSOX3024T。

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图2电磁辐射发射试验系统

3.2.5试验环境条件

刘挺8675依照IEC61967-8的标准，采用IC带状线刘挺8675TEM小室法对隔离型双通道驱动器SGM4刘挺86758220Q

系列产品进行电磁辐射发射试验，采用隔离电源对芯片原边和副边进行隔离供电，采用信号发

生器产生两路互补方波为两个芯片信号输入引脚提供驱动信号。用信号分析仪扫描芯片在

150kHz~4GHz频段的电磁辐射发射强度，结合现场的环境，在150kHz~10MHz频段，信号分析

仪设置为DC耦合的信号输入，在10MHz~4GHz频段，信号分析仪设置为AC耦合的信号输入。

电磁辐射发射等级确定参考GenericICEMCTestSpecification标准。

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图3IC带状线TEM小室

3.2.6试验结果曲线

整体的电磁辐射发射等级达到了ClassIII，下图为辐射发射和辐射抗扰度测试的朝向设置，

图4-图19为试验结果。

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刘挺8675刘挺8675刘挺8675

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图4方向0度，150kHz~10MHz的底噪

图5方向0度，10MHz~4GHz的底噪

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图6方向0度，150kHz~10MHz的噪声图7方向0度，10MHz~4GHz的噪声

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图8方向90度，150kHz~10MHz的底噪图9方向90度，10MHz~4GHz的底噪

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图10方向90度，150kHz~10MHz的噪声图11方向90度，10MHz~4GHz的噪声

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刘挺8675刘挺8675刘挺8675

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图12方向180度，150kHz~10MHz的底噪图13方向180度，10MHz~4GHz的底噪

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

图14方向180度，150kHz~10MHz的噪声图15方向180度，10MHz~4GHz的噪声

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图16方向270度，150kHz~10MHz的底噪图17方向270度，10MHz~4GHz的底噪

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图18方向270度，150kHz~10MHz的噪声图19方向270度，10MHz~4GHz的噪声

3.3TEM小室法电磁敏感性试验评估

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3.3.1试验板原理与实物

参照GenericICEMCTestSpecification标准制作试验板。

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图20电磁辐射抗扰度试验板

3.3.2驱动芯片运行模式

刘挺8675芯片工作状态：原边VCC输入直流电压刘挺86755V；副边VDDA和VDDB输入直流电压刘挺867515V；

信号输入引脚INA输入电压3.3V，50%占空比，相位180度，频率10kHz；信号输入引脚INB

输入电压3.3V，50%占空比，相位0度；DIS引脚接地；DT引脚经10kΩ电阻接地，产生大约

120ns的死区时间。

3.3.3驱动芯片的监测条件及状态判定准则

驱动芯片状态判定准则：通过示波器监测OUTA或OUTB引脚的输出状态，观测芯片输出

刘挺8675是否出现逻辑错误，导致输出电平异常拉高刘挺8675或者拉低。刘挺8675

3.3.4试验装置

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刘挺8675试验设备：射频传导抗扰度测试系统NS刘挺8675G4070，IC带状线TEM小室，直流电源DP刘挺8675832A，

信号发生器DG50672，示波器DSOX3024T。

3.3.5试验环境条件

依照IEC62132-8的标准，采用带状线法对隔离型双通道驱动器SGM48220Q系列产品进行

电磁辐射抗扰度试验，采用隔离电源对芯片原边和副边进行隔离供电，采用信号发生器产生两

路互补方波为两个芯片信号输入引脚提供驱动信号。依照标准在150kHz~1GHz频段上选择278

刘挺8675个点位，记录每个频率点位上导致芯片输出刘挺8675异常的注入功率，计算其横电磁波辐射场强刘挺8675，电磁

辐射抗扰度等级确定参考GenericICEMCTestSpecification标准。

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图21电磁辐射抗扰度试验系统

刘挺86753.3.6试验结果曲线刘挺8675刘挺8675

整体的电磁辐射抗扰度等级达到了ClassII，图22-图25为试验结果。

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图22方向0度，芯片不失效的情况下能达到图23方向90度，芯片不失效的情况下能达

的最大电场强度。到的最大电场强度。

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图24方向180度，芯片不失效的情况下能达图25方向270度，芯片不失效的情况下能达

到的最大电场强度。到的最大电场强度。

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刘挺8675*注：在此项测试中，受限于现场射频电源在某刘挺8675些频段下的功率限制，无法达到ClassIII所要求的刘挺8675电场强

度。测试过程中芯片全程保持正常工作。

3.41欧/150欧法电磁发射试验评估

3.4.1试验板原理与实物

参照GenericICEMCTestSpecification标准制作试验板。

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刘挺8675图26电磁刘挺8675传导发射试验板刘挺8675

3.4.2驱动芯片运行模式

芯片工作状态：两个输出通道分别上电运行测试，原边VCC输入直流电压5V；副边VDDA

或VDDB输入直流电压15V；信号输入引脚INA或INB输入电压5V，50%占空比，频率10kHz；

DIS引脚接地。

3.4.3驱动芯片的监测条件及状态判定准则

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驱动芯片工作状态判定准则：通过示波器监测OUTA或OUTB引脚的输出状态。

3.4.4试验装置

试验设备：EMI测试接收机、直流电源DP832A、信号发生器DG50672，示波器DSOX3024T。

3.4.5试验环境条件

刘挺8675依照IEC61967-4的标准，采用1Ω法/15刘挺86750Ω法对隔离型双通道驱动器SGM48220Q系刘挺8675列产品

进行传导电磁发射试验，采用隔离电源对芯片原边和副边进行隔离供电，采用信号发生器为芯

片信号输入引脚提供驱动信号。用频谱分析仪扫描芯片在150kHz~1GHz频段的传导电磁发射强

度，电磁辐射发射等级确定参考GenericICEMCTestSpecification标准。

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图27电磁传导发射试验系统

3.4.6试验结果曲线

整体的电磁传导发射等级达到了ClassI，图28-图32为试验结果。

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