金属行业2026年度中期策略系列报告之新材料篇：科技与稀缺共振AI金属材料星辰大海

目录AI红利时代来临，电子新材料迎升级迭代机遇 4AI硬件功率持续攀升，电子元器件产业链迎升级机遇 10高端带动镍粉升级机遇 10芯片电感迭代驱动金属合金粉体升级机遇 12AI服务器供电架构升级，驱动高压电极箔需求 14AI浪潮拉动钽电容增量需求，钽粉需求快速增长 20AI驱动微电子互联需求升级，高端锡粉锡膏迎放量机遇 22AI驱动光传输升级需求，光电材料迎发展机遇 34锗：需求多点开花，锗价有望上行 37铟：光通信需求带来磷化铟缺口，新兴需求增量值得期待 42镓：主流化合物半导体材料，应用空间广阔 48铌酸锂：电光调制器重要材料 53AI开启散热革命，散热材料大放异彩 57投资建议 65行业投资建议 65重点公司 66风险提示 75插图目录 76表格目录 77AI红利时代来临，电子新材料迎升级迭代机遇AI软件侧，AI习阶段以及超大规模参数、零样本/5nm走向3Dk图1：半导体行业摩尔定律迭代进程 资料来源：中国科学院半导体研究所，国联民生证券研究所算力是I发展的重要引擎。AIAIAIAI系统能够不断优化模型参数、提升预测准确率从而实现智能化决策和应（如电脑、服务器、数据中心等处理AI的不断进步，对算力的需求预计呈现出指数级增长。图2：2019-2025年不同领域大模型训练所需算力比较 资料来源：新智元公众号，国联民生证券研究所AI大模型算力需求持续提升，直接推动处理器、存储等核心硬件不断升级。AI的挑战，AI服务器拉动高带宽内存(HBM)需求快速增长，端侧AI对于大容量DRAM图3：AI边缘处理器的功耗和性能 图4：端侧AI给存储带来的挑战 资料源半体业察国生证研所 资料源天国民证究所AI了升级需求。处理器计算能力大幅提升以及存储数据流的显著增长也给电路设计为了保证电路设计的稳定高效，被动元件作为电路中不可或缺的组成部分也必须（小尺寸AI5~10GPUCPU往适应高频化、高功率、耐大电流、小体积的方向升级。图5：三星电机开发AIServer用小型超高容量图6：一体成型电感 资料源三电机官，联证券究所 资料源粉体圈众，联证券究所AIPCB向高密度互连PCB产业链材料的升级迭代。PCB电子设备中承载并连接电子元器件的基础部件，主要功能是使各种电子零组件形AIPCB方向发展。配合PCB进行升级迭代，铜箔、电子布等PCBPCB图7：普通PCB和高阶HDI板的对比资料来源：腾昕检测，国联民生证券研究所图8：PCB钻针对比 PCB钻针对比分析应用场景PCB（例如单面及双PCBPCB）高多层PCB及HDI板封装基板钻针类型标准钨钢钻针（通常为白刀）微小钻、高长径比钻针、高端涂层钻极小径微钻和高端涂层钻针断针率要求通常≤0.1%通常<0.01%通常<0.01%关键特性与需求用于单╱双面板或低层数板，钻孔直径较大，强调成本效益和通用性适用于高频高速板，需耐高温、高耐磨。钻孔密集度高，孔径小，断针率控制严格以确保良率用于封装基板，钻孔精度要求极高。断针率最低以防损坏昂贵基板，由于技术壁垒和定制化生产单价高典型应用领域传统消费电子、简单工业控制设备、基础通信设备数据中心服务器、5G通信基站、汽车电子、高端消费电子半导体封装、高端医疗设备、航空航天电子、高性能计算模块资料来源：鼎泰高科招股说明书，国联民生证券研究所AI带动带宽需求指数级增长，刺激光模块持续技术迭代，光通信产业链迎来发展新机遇AI大模型训练和推理需要大规模GPU（I芯片算力提升（如英伟达从H100到200、Rbin等，400G1.6Tlightcounting内800G和1.6T等高速光模块的需求将占据市场主导地位，3.2T光模块有望从2028PCB通信产业链核心部件环节，均跟随光模块升级迭代迎来发展新机遇。图9：全球数通光模块市场规模及预测（按传输速率，亿美元）资料来源：lightcounting，国联民生证券研究所图10：光通信产业链梳理上游原材料 光器件

下游主要应用领域 光芯片 片 PCB 结构件、套管云计算数据中心厂商块 件 电信运营商光通信系统设备光收发模块有源组件资料来源：源杰科技招股说明书，国联民生证券研究所算力提升导致的高功率也催生了散热材料的升级需求。AII（如GPU和TPUCPUBlackwellGPU1000W要高效的散热方案来支持。图11：英伟达GPU热设计功耗 资料来源：Trendforce，国联民生证券研究所AI硬件功率持续攀升，电子元器件产业链迎升级机遇AI需求快速增长。MLCC(Multi-LayerCeramicCapacitorCPU、GPU1000达数万个，通用服务器约2000多个，到AI服务器中2AI服务器相比传统服服务器用途必须在高温(105℃以上)、高额定电压(100V)、强弯曲强度(2 mmAI5～10倍以上，需要更多，但贴近GPU部分的安装空间有限，因此更需小型化、。图12：AI服务器MLCC朝小型化和高容化发展资料来源：三星电机官网，国联民生证券研究所电子高端金属粉体材料是内外电极制作的重要原材料，包括银、钯、内电极的重要原材料。（内电极（外电极（玻璃相现C（1220℃（1549℃（1445℃）等1400℃由于采用BaTi03系列陶瓷作介质，一般都在950~1300℃左右烧成；C外电极主要是连接内电极，使用的金属粉体材料图13：MLCC结构图 图14：MLCC产业链 资料源乃电，联生研究所 资料源华情网国民券研所（镍粉的小型化和多功能化趋势要求市场电动智能网联化的发展要求车用数、内电极层数、内电极的叠加面积，反比于介质陶瓷的厚度。因此，为了实现面积也不断增加，电极材料的成本也在提高，用贱金属材料替代贵金属材料成为图15：MLCC电容计算公式 图16：MLCC小尺寸大容量化解决方案 资料源艾陶展国民券研所 资料源村官，联生研究所外电MLCC外电极用金属粉体材料粒径一般在微米级性能 熔点 纯度 粒径 形貌 振实密度 电迁移率表1：MLCC用金属粉体性能要求性能 熔点 纯度 粒径 形貌 振实密度 电迁移率内电极材料熔点高

内电极亚微米级到纳米

振实密度越

忌有高迁移性，以防要求 于1000℃，外电极熔点低于烧结温度

证导电性

级，外电极微米级到亚微米级，粒径要均匀

球型，分散性好

大，在烧结过程中抗收缩能力越强

止与陶瓷介质同时烧资料来源：乃棠电子，国联民生证券研究所稳定电流和抑制电磁屏蔽等关键功能。电感根据结构可分为插装电感器和片式电类型 工艺特点 优点 不足表2：常见片式功率电感类型 工艺特点 优点 不足线，再用树脂封固而成。强。线，再用树脂封固而成。强。方面受到限制。一体成型片式由座体系将绕组本体埋入金属粉末内部小体积、大电流、低耗损，在高频和高温环境下可保持优良的温升电工艺较为复杂，生产成本较电感压铸而成的。流及饱和电流的特性，抗电磁干扰强，可高密度安装。高。不需绕线，而是采用新型的电子材料及成本低、尺寸小磁路封闭，具有良好的磁屏蔽性、不会干扰周围的元厚膜技术，将材料制成厚度约10微 器件，也不会受临近元器件的干 制作工艺复杂、生产周期长叠层型片式电 米～30微米的薄膜，然后在薄膜上印 扰； 功率较小、高感值的制作难感 制线圈图案，经交替印刷、叠层后形成 一体化独石结构，烧结密度高、机 大。一条螺旋式线圈，最后采用低温陶瓷共 械强度好、可靠性高；耐热性、可烧技术工艺对产品进行烧结。 焊性好；形状规则、整齐，适合于自动化表面安装生产等。

将细的导线绕在软磁铁氧体磁芯上，然后将磁芯固定于基座并引出钩形短引

电感量范围广、精度高，功率高，损耗小，制作工艺简单、继承性

制造成本较高，并且受绕线工艺的限制，其在进一步小型化编织型片式电感

以条状磁芯为经线，以导体作纬线编织起而成。

低中频段单位体积电感量比其他片式电感器大，体积小，易安装。

工艺过于复杂、批量化生产存在困难。采用光刻腐蚀的工艺，制作成采用光刻腐蚀的工艺，制作成本昂贵。在微波频段保持高Q、高精度、高稳定性和小体积的特性；产品一致性高，性能参数好。薄膜片式电感 采用光刻腐蚀工艺，其内电极集中于同一层面，磁场分布集中。资料来源：麦捷科技招股说明书，苏州沃虎电子科技公司公众号，国联民生证券研究所AI一体成型电感相较于传统电感优点显著。优点 具体情况表3：一体成型电感优点优点 具体情况结构稳定，可靠性高

20由于电感线圈与磁心紧密结合，能够充分发挥磁导率，能够更快速地响应电流变化，提供更稳定的供电。同时，严密的磁屏蔽结构，也提高了抗干扰性能。成型工艺增强了电感机械强度，提高了其抗冲击性能，有效防止开裂、脱落等问题，可靠性大大提高。资料来源：粉体圈公众号，国联民生证券研究所AI粉体材料 具体情况 主要厂商表4：粉体材料 具体情况 主要厂商羰基铁粉铁硅铬合金粉非晶材料

Fe(CO)5(2.2T)的电感在长时间高温老化后存在Q铁硅铬粉末属于合金粉末，由于在铁硅的基础上添加了铬元素，有助于形成Cr2O3薄膜，增强了材料的防锈和抗老化特性，此外，还具有较高的饱和磁感应强度（通常为1.3-1.5T），高磁导率、低成本等优点。非晶材料其形成过程是将液态的金属，快速冷却固化，得到的一种短程无序、长程有序的带状材料。而纳米晶材料则是在非晶材料的基础上经热处理得到，为在非晶基体中形成均匀分布、纳米尺/

德国巴斯夫、悦安新材料和江苏天一铂科新材等安泰科技、铂科新材等资料来源：粉体圈公众号，国联民生证券研究所AIGPUAI架构和储能系统的引入有助于解决供电挑战。算力芯片持续升级迭代的同时功率密度也在快速提升，同时英伟达的NVLink技术持续发展也对电源组件的布置提出了新的柜电源架构的迫切需求。参考英伟达白皮书，为满足这些前所未有的需求，800VDC转换环节与线路路由体积，同时有效降低数据中心配电损耗及端到端整体转换级GPU求进行低通滤波，能有效平抑此类波动。图17：数据中心48V架构与800V架构对比资料来源：纳微半导体，国联民生证券研究所图18：HVDC数据中心架构演进方案资料来源：英伟达官网，国联民生证券研究所铝电解电容适配AI场景升级迭代需求。随着生成式AI与大模型快速普及，AI服务器GPU算力密度持续提升，电源系统功率等级、负载压力同步攀升，输入端滤波、输出端稳压场景对电容器的耐压、纹波耐受能力与使用寿命，提出远高AI服务器低频稳压、高压滤波的任务。图19：铝电解电容器在AI供电架构应用示意图资料来源：上海永铭电容器，国联民生证券研究所AIAI箔片层数下大幅扩大有效反应表面积，实现单位体积静电容量进一步提升。AI服务器及高压化领域市场规模的快速增长为电极箔需求提供了坚实基础。图20：新一代纳微孔结构铝电极箔实验 资料来源：石嘴山市委宣传部，国联民生证券研究所电极箔作为铝电解电容器的核心元件其生产成本占铝电解电容器的30%~60%（随电容器大小不同而有所差异（光箔要求较高。图21：电极箔产业链 资料来源：海星股份公司公告，国联民生证券研究所电极箔有多种分类方式。电极箔按其在电容器中的作用可以分为阴极箔和阳极箔加工程序可以分为腐蚀箔和化成箔，腐蚀箔是电子铝箔通过电化学方法对其进行扩面腐蚀加工，增加表面积以提高其工作电压可以分为低压中高压、超高压电极箔。低压电极箔适宜工作电压为7.7Vf~170Vf，该类电容器主要用于消费电子、车载电子等领域。中高压电极箔适宜工作电压为170Vf~800Vf，超高压电极箔适宜工作电压为800Vf~1100Vf，该类电容器适用于工业控制、变频技术、AI图22：电极箔分类 资料来源：海星股份招股说明书，国联民生证券研究所就是在比容、耐压、长寿命、低高频损耗之间实现工艺平衡。图23：电极箔主要参数指标 性能指标典型范围/数值性能意义纯度铝纯度≥99.99%保障优异导电性能厚度10–50微米影响电容与机械柔性表面粗糙度≤0.2微米影响介质氧化膜成型效果与击穿耐压抗拉强度50–120兆帕决定分切、卷绕等加工工序适配性断裂伸长率1.5%–15%体现材料延展性与成型加工能力耐腐蚀性 耐腐蚀性能优异（依靠钝处理与合金改性）资料来源：华威铝业官网，国联民生证券研究所

在潮湿、腐蚀工况下延长使用寿命电极箔的生产包括腐蚀和化成两道环节。腐蚀箔工艺是利用电化学扩面腐蚀两次腐蚀处理成工艺则是对腐蚀箔再进行阳极氧化，通过电化学处理及化学处理在腐蚀箔孔洞中形成氧化薄膜（γ-2O3或γ’-l2O3图24：电极箔生产工艺流程 资料来源：海星股份招股说明书，国联民生证券研究所（1）腐蚀工艺的孔洞精准控2（-₂O₃或-₂O₃（（170Vf~800Vf7.7Vf~170Vf工作电压中高压电极箔低压电极箔170Vf~800Vf7.7Vf~170Vf工作电压中高压电极箔低压电极箔原箔材质 软态、态光箔 软态光箔腐蚀技术 交流电腐蚀技术 交流电蚀；蚀槽以盐为主 直流电蚀；蚀槽以硫、酸、硝为主化成技术 阳极氧；以二酸、磷二铵等为要介

阳极氧化；进行高温纯水预处理；化成液以硼酸、壬二酸等为主孔洞结构 海绵层状 隧道孔状孔洞结构 海绵层状 隧道孔状截面微观结构截面微观结构资料来源：海星股份招股说明书，宏远电子招股说明书，国联民生证券研究所AIAI浪潮CV/cc在低温和高温下都会减小，而钽电容器在所有额定温度下显示稳定的电容。AIAIAIAI图25：钽电容器结构图 资料来源：AVX官网，国联民生证券研究所图26：钽电容器和不同电压条件性能对比 图27：钽电容器和不同温度条件性能对比 temperaturetemperaturetemperaturetemperature资料源官，联生研究所 资料源官，联生研究所被国巨收购26拐点出现，并呈现持续增长趋势。26Q19274AI图28：国巨钽电容营收迎来拐点（单位：百万新台币） 图29：全球钽电容市场格局（产量口径，2024） KEMET AVX Panasonic Vishay 其他Vishay,10%其他,4%Panasonic,14%资料源国官，联生研究所 资料源国官，联生研究所钽粉出口同环比持续快速增长，钽电容需求持续高景气。2026年5月，国内松装密度<2.2g/cucm的钽粉出口14.25吨，同比增长111.30%，其他钽粉出口68.8520261-5<2.2g/cucm65.1733.5145%。图30：电容器级钽粉出口数据（单位：吨） 图31：其他钽粉出口数据（单位：吨） 电容器级钽粉当月出口量（吨）当月同比（%，右轴）252015105

其他钽粉当月出口量（吨）当月同比（%，右轴）20151052020-062020-122020-062020-122021-062021-122022-062022-122023-062023-122024-062024-122025-062025-12

2000150010005000-500资料源：ifind，联生券研所 资料源：ifind，联生券研所AI放量机遇（锡粉其核心是以锡（Sn）为主体，添加银（g、铜（C、铋（i、锑（S）等元素配制合金3C产品的各类板卡、移动终端、5G/显示、光伏控制器等领域的微电子封装。图32：锡粉产品外观 图33：锡粉球形颗粒微观形貌 资料源有粉招说书联民证研所 资料源有粉招说书联民证研所常按照粒径大小进行型号划分，参考AIM官网介绍，主要包括3（T3）至型号 粒径范围表6：锡粉型号及对应粒径范围型号 粒径范围Type345678910 资料来源：AIM公司官网，国联民生证券研究所电子级锡粉对精度与控氧要求日趋严苛，行业壁垒加速向高端工艺与量产良T6T7图34：锡粉生产工艺流程 资料来源：有研粉材招股说明书，国联民生证券研究所SMT锡焊料是电子制造产业中实现元器件与基板之间稳定电气连接及机械固定的核心材体系下线路密度不断提升以及先进封装技术加速渗透，行业对焊点精度、可靠T（25-45μmT（20-38μmT5（15-25μm）T3T5PCBWLP、Flip-Chip产品 产品图片 特点及用表7产品 产品图片 特点及用是随着PCB）锡膏比例配置。其中体现配方核心技术的助焊膏是净化焊件表面、提高润湿性、防止焊料氧化、提高锡膏可焊性及印刷性的关键材料。主要应用于SMT（表面贴装技术）工艺，用于实现电子元器件与PCB之间的电气连接和机械固定。焊锡丝焊锡条

由锡合金、助焊剂等材料经过熔炉熔化、连铸、挤压、辊轧、拉丝等工艺而成的丝状焊接材料，在加热熔化或激光作用下可将被焊元器件与印制电路板永久电连接，一般用于手工点焊或自动焊接电子元器件。DIPPCB焊锡球焊锡球等特点。主要用于半导体封装环节，是实现芯片与基板之间电气连接的重要材料。资料来源：唯特偶招股说明书、日本千住公司官网、国联民生证券研究所SMT贴AI锡膏的焊接性能主要取决于锡T3T4T5T6T7T8T9T10T4SMTPCBT6/T7AI件、光模块、HBM及高阶GPU等高精度场景，其核心特点在于能够满足超细间距、高I/O业正在由传统SMT向高密度封装及先进制程升级的趋势，未来伴随AIT6T7有望进一步提升。型号 孔径印大小 应用场景表8型号 孔径印大小 应用场景

0402（1.0225μm

SMTPCB

推荐用于0.5mmBGA、MicroBGA以及0201英制元件。可用于最小约190μm的孔。

主要应用于高密度PCB及消费电子主板领域。

适用于QFN/QFP、μBGA及01005元件（约0.4×0.2mm）等先进封装与超小型器件，可实现最小约125μm的孔径印刷。

主要应用于计算机、通信、消费电子等精细化要求较高的行业。

80–150μm

主要用于倒装芯片焊接。

面向超微型器件与创新应用，可支持最小约55μm孔径印刷。

主要应用于Mini-LED显示技术、高端先进半导体系统级封装。8 / 9 / 10 / 资料来源：唯特偶招股说明书、AIM公司官网，国联民生证券研究所图35：锡膏生产工艺流程 资料来源：唯特偶招股说明书，国联民生证券研究所SMT2万吨左右，其中约80%来自中国大陆地区。图36：国内锡粉产量情况无铅锡焊粉产量（吨） 有铅锡焊粉产量（吨）140001200010000800060004000200002016 2017 2018资料来源：有研粉材招股说明书，国联民生证券研究所AIPWConsulting数据，2020-2025年全球市场规模由10.42亿美元增长至13.46亿美元，2025-2032E预计CAGR为5.48AI61.74%，显著高于目前T3、T4型号仍为市场主流，2025年市场占比约64.96%；T5、T6占比约AIHBM1.6T图37：全球锡粉市场规模 图38：全球锡粉市场占比（按结构分，2025） 140010008006004000

市场规模（百万美元） 同比YOY

T3和T4 T5和T6 T7及以10.00%25.04%资料源：PWConsulting，联生证研所 资料源：PWConsulting，联生证研所国内电子锡焊料市场整体规模较大。根据唯特偶公告数据，2020年我国电子锡焊料市场规模约300亿元，其中锡膏市场规模约40亿元，占比约13%，而焊锡丝、焊锡条、锡合金粉、锡球及助焊剂等产品合计市场规模约260亿元。根据QYResearch分析报告，2025年全球电子级锡焊料市场规模约为79.63亿美元，预计至2032年将达到121.6亿美元，2026—2032年复合增长率约为6.3%；其中，中国作为全球最大的市场，约占61%的市场份额。图39：国内微电子焊料市场规模（2020年） 资料来源：唯特偶招股说明书，国联民生证券研究所PCB与SMT产业规模，是全球主要的锡膏生产市场之一。近年来，1.291.61.977.21%，行业整体维持稳步扩张态势。图40：锡膏国内产量（万吨）2.521.510.502015 2016 2017 2018 2019 2024 2025资料来源：智研咨询、国联民生证券研究所全球锡粉行业整体呈现“海外龙头占据高端、国内厂商加速追赶”的竞争格局。海外企业方面，德国贺利氏（us、美国爱法（cDrmidpha（SENJU形度、低氧含量及超细化锡粉产品方面具备领先优势，广泛应用于半导体封装、SMTIPS企业简介企业序号表9：企业简介企业序号国外主要生产企业国外主要生产企业

（Heraeus1995（1000/T3-T8

美国爱法焊锡制品有限公司(MacDermidAlphaElectronicSolutions)成立于1872年，主要产品为电子焊接产品包括锡条、锡线、锡膏、助焊剂等，在美国电子工业界均处于领先地位，公司生产的锡焊粉以自用为主。产品涵盖T4-T7。

SUlIdusryo.，8T3–T5T5/T6

（ISSprcaloderIdusry2T3-T9国内主要生产企业国内主要生产企业

20044000T3-T8

.T，成立于3

云南锡业锡材有限公司于2007年5月注册成立，是云南锡业股份有限公司（000969.SZ）全资子公司，主要产品为电子锡焊料、锡阳极、锡合金等。

福英达成立于1997T2-T95G通信、先进封装及MicroLEDT7-T9全球锡焊料市场由海外龙头主导高端领域，国内厂商在消费电子等中端市场已形成较强竞争力并加速国产替代。锡焊料行业集中度较高，海外龙头美国爱法（cDrmidpha、美国铟泰（ndimCorporatn、日本千住（ENJUEMS19342019-2021格局企业简介企业序号表10：企业简介企业序号国外主要生产企业国外主要生产企业

美国爱法公司为ElementSolutionsInc子公司，成立于1872T4-T7

1938T5/T6

1924（T4-T6

美国铟泰公司成立于1934T4-T8国内主要生产企业国内主要生产企业

唯特偶成立于2003T3-T7

19982000（.SZ（）2021年其营业收入为538.44202131080

1978（.T2021年其营业收入为82.72。

19977000T2-T4型号锡膏。

200411002015年在全国中小（.OC2021年其营业收入为9803.22

20056175.362014（.C（PP1入为1.2T3-T4

20011.022020.SZ20217.8

深圳市亿铖达工业有限公司成立于2000年，注册地位于深圳，注册资本5000万元，亿铖达主要经营胶粘剂、预成型焊片、锡膏、锡条、锡线、助焊剂、清洗剂产品，在深圳、东莞、昆山等地拥有生产基地。产品主要包括T3-T6型锡膏。

东莞优邦材料科技股份有限公司成立于2003年，注册地位于东莞市，注册资本7000万元，主要从事电子电器的胶粘密封材料的研发、生产与销售，在东莞、苏州等地拥有生产基地。产品主要包括T2-T5型锡膏。

厦门市及时雨焊料有限公司成立于1997年，注册地位于厦门市，注册资本2000万元，主要从事锡膏、助焊剂的研发、生产、销售，在深圳、东莞、塘厦均有办事处。产品主要包括T3-T5型号锡膏。

2007686.49T4-T8型T6-T8

东莞市千岛金属锡品有限公司成立于2004年，注册地位于东莞市，注册资本2000万元，主要从事电子焊料的研发、生产、销售，主要产品包括焊锡条、焊锡线、锡膏、阳极棒、锡球、助焊剂等。主要产品为T3型锡膏。

浙江强力控股有限公司成立于2000年，注册地位于乐清市，注册资本1.3亿元，主要从事环保焊锡材料、高压电气、电力金具等产品的研发、制造、贸易、服务，主要产品包括焊锡条、焊锡线、锡膏、助焊剂、电缆金具、设备金具、线路金具等。受先进封装持续升级驱动，半导体焊接材料正加速向高端化与微细化方向演近年来，Chiplet2.5D/3DHBMHBM不仅提升电子焊接材料技术门槛，也有望推动高端锡膏及电子级超细锡粉市场规模持续扩容。图41：半导体封装迭代历程资料来源：创达新材招股说明书，国联民生证券研究所4AI驱动光传输升级需求，光电材料迎发展机遇号进行传输信息的系统输至接收端，接收端通过光接收组件进行光电转换，将光信号转换为电信号。图42：光通信系统工作原理信息源信息源光接收机光放大器光纤光缆光发射器信息源物理流探测器芯片光信号激光器芯片光信号调制光信号传输 光信号处理 光信号探测电信号输出光信号产生信息电信号输入流资料来源：中国电子元件行业协会，国联民生证券研究所图43：光模块结构示意图 资料来源：源杰科技招股说明书，国联民生证券研究所光芯片按VCSELFP、DFB和EML芯片；探测器芯片主要分为PIN和APD两类。光芯片按照材料分类可分为硅（Si）系列、磷化铟（InP）系列、砷化镓（GaAs）系列、铌酸锂（LiNbO3）系列等。磷化铟（InP）衬底用于制作FP、DFB、EML边发射激光器芯片和PIN、APD探测器芯片，主要应用于电信、数据中心等中长距离传输；砷化镓（GaAs）衬底用于制作VCSEL面发射激光器芯片，主要应用于数据中心短距离传输、3D感测等领域，铌酸锂（LiNbO3）主要用于制作调制器芯片。图44：光芯片分类 FP DFBVCSEL面发射GaAs材料体系 FP DFBVCSEL面发射光芯片探测激光器芯片边发射光芯片探测激光器芯片边发射资料来源：源杰科技招股说明书，国联民生证券研究所产品 类别 工作波长 产品特性 应用场景表11：光芯片产品介绍产品 类别 工作波长 产品特性 应用场景VCSEL 激光芯片 800-900nm 线宽，耗，制率，率高，传输距离短，线性度差调制速率高，成本低，耦合效率低，线

500米以内的短距离传输，如数据中心机柜内部传输、消费电子领域（3D感应面部识别）主要应用于中低速无线接入短距离市场，由于存在损耗大、FP 激光芯片 1310-1550nm

性度差

传输距离短的问题，部分应用场景逐步被DFB激光器芯片取代DFB 激光芯片 1270-1610nm 谱线，制率，长定效率低EML 激光芯片 1270-1610nm 调制率，定好，传距离长，成本高

中长距离的传输，如FTTx接入网、传输网、无线基站、数据中心内部互联等长距离传输，如高速率、远距离的电信骨干网、城域网和数据中心互联PIN 探测芯片 1600nm

噪声小，工作电压低，成本低，灵敏度低

中长距离传输APD 探测APD 探测芯片 1270-1610nm灵敏度高，成本高长距离单模光纤资料来源：源杰科技招股说明书、国联民生证券研究所算力集群规模扩张有望推动光传输需求快速增长。AI大模型训练和推理需要大规模GPU集群协同计算，GPU之间高频、（带宽需求指数级增长刺激光模块持续技术迭代AI400G1.6T光纤光缆行业AIAI通信发展机遇制器、滤波器、倍频器和高稳定性电光器件。图45：不同代际化合物半导体材料对比 资料来源：微电子制造公众号，国联民生证券研究所4.1Ge937.428305.35g/cm³，6～6.5。锗是一600～700℃0.0007中游提纯和深加工环节技术难度大，高纯锗和锗单晶生产工艺为锗产业链的关键（CZ法或VGF法生产而成，锗单晶通信、红外光学、半导体器件、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域。图46：锗产业链梳理 资料来源：北京通美招股说明书，国联民生证券研究所8600140/年的速度开603870352641％34％，内蒙的锗资源也非常丰富，但是品位较低，可开采性较差。表12：全球锗资源储量分布（2024）地区锗资源储量（吨）占比中国352641%美国387045%俄罗斯86010%其他3444%合计8600100%资料来源：亚洲金属网，国联民生证券研究所USGS14095540产量结构来看，历史上中国锗产量全球占比基本保持在7图47：全球锗矿产量分布结构（单位：千克） 中国 俄罗斯 美国 其他 中国占比（右轴，%）200,000 80%150,000 60%100,000 40%50,000 20%0 0%资料来源：ifind，国联民生证券研究所19%，10%。图48：全球锗金属行业下游消费需求结构占比情况（2022） 10%19%

43%

红外领域光纤领域其他28%资料来源：驰宏锌锗2022年年报，国联民生证券研究所光纤级四氯化锗是生产光纤预制棒的重要原材料之一。光纤级四氯化锗主要6N98％以上。随着我国光纤光缆行业规模不断扩大，我国市场对光纤预制棒的需求不断增长，拉动我国光纤级四氯化锗需求不断上升。光纤预制棒涂料图49：光纤制作流程图光纤预制棒涂料氦气氢气四氯化锗氦气氢气四氯化锗四氯化硅其他钢带钢带/钢丝/铝带外护套料资料来源：深企投产业研究院，国联民生证券研究所AI年以来，得益于AI算力建设叠加数据中心互联需求快速增长，AIG652.DG657.A1G657.A22025122026318/85~120/公里，涨幅近650%，A1单模光纤从23元/公里涨到115~135元/公里，涨幅近487%，A2（G.657.A2）35/210~230/557%。图50：光纤分类 单模光纤型号 主要应用领域 具体场景举例单模光纤型号 主要应用领域 具体场景举例G.652D光纤

基础通信网络(主力军) 适用于长途干线、城域网、接入网。它是语音、数据、视频传输的“地基”，广应用于运营商的各种光缆中。用于入户网络居多。A1单模光纤 高密度布线环境 用于数据中心内部跳线、光纤到户、大楼布线等。它兼容G.652D特性，但弯曲性能更好(最小弯曲半径约15mm)，适合在空间紧凑、拐角多的室内密集布线。A1-plus 更严苛的紧凑环境 在A1基础上进一步优化，常指更小涂层直径(如190μm)的光纤，用于需要容纳更多纤芯的微型光缆或跳线，实现超高密度布线。A2特种单模 特种场景(极紧凑/高抗弯光纤

核心应用:光纤制导无人机(军用/工业级)、光纤到户的入户皮线光缆、微型光缆等。其弯曲半径可压缩至7.5mm，能像“细铁丝”一样随意弯曲而不影响信号，完美匹配无人机缠绕和反复弯折的需求目前单模MPO主要用A2纤B3单模光纤 特种器件(比A2更抗弯) 核心应用:小型光器件资料来源：光纤在线，国联民生证券研究所AI需求成为光纤市场增长核心因素。根据英国商品研究所CRU数据，2025年全球光纤出货量为6.62亿芯公里，同比增长15.3%，其中中国光纤出货量为3.7256.3其中，AI而日益互联的超大规模数据中心园区则推动了新一轮数据中心互连建设热潮。这（如弯曲不敏感光纤以及极高纤芯CRU20240.4，20250.77%11%，未来有望继续快速提升。图51：按应用划分的全球云数据中心光缆需求（单位:百万光纤公里） 资料来源：C114通信网，国联民生证券研究所期待（ITO图52：铟产业链 资料来源：粉体圈公众号，国联民生证券研究所29%。铟主要以伴生矿形式开采，储量在全球范围内较稀少，资源分布相对集中。根据锡业股份业绩说明会数据，202529%；玻利维亚，俄罗斯，584%69.09%、16.36%。图53：全球铟储量分布占比（2025年） 图54：全球原生铟产量各国占比（2025年） 3%3%4%6%3%3%4%6%29%%12%19%1014%

中国俄罗斯加拿大日本德国美国澳大利亚

16.36%

3.64%

0.45%

69.09%

中国日本韩国加拿大比利时法国俄罗斯资料源：锡股业说会联民证研所 资料源：ifind，联生券研所2023-20251062111811502023-2025127314141532图55：全球铟产量规模（吨30002000150010000

原生铟产量 再生铟产量2023 2024 2025资料来源：锡业股份业绩说明会，国联民生证券研究所靶材及新兴的IGZO量的80%；需求结构和海外类似，ITO靶材占比最大为79%4%、5%。图56：国内铟下游需求结构（2025年）1%5%%1%5%%79%4

ITO靶材焊料及合金光伏薄膜其他领域资料来源：锡业股份业绩说明会，国联民生证券研究所显示面板靶材需求有望稳步增长。靶材在显示面板领域广泛应用，如液晶显示器（CD、等离子显示器（PDP）等。根据nd的数据统计，2025年全球显示面板出货量约9.32亿片，同比提升7.355G图57：全球显示面板出货量（千片）1200000.00

液晶面板出货量:大尺寸:显示器2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025资料来源：ifind、国联民生证券研究所III-V最早于20世纪60年代应用于航天太阳能电池中；1969年，磷化铟首次被用于二极管中；2080；20902010晶体生长炉、坩埚、研磨机等晶体生长炉、坩埚、研磨机等图58：磷化铟材料应用发展历程 资料来源：Yole，北京通美招股说明书，国联民生证券研究所5GSumitomoII-VIFinisarLumentumAOI、MitsubishiNokiaCiscoApple、Google、Amazon、Meta磷化铟衬底IDMIC制造磷化铟外延片可穿戴设备无人驾驶磷化铟下游应用5G通信磷化铟多晶图磷化铟衬底IDMIC制造磷化铟外延片可穿戴设备无人驾驶磷化铟下游应用5G通信磷化铟多晶IC设计 IC设计IC封测资料来源：北京通美招股说明书，国联民生证券研究所AI800G/1.6T铟衬底材料市场头部企业集中度很高，主要供应商包括日本住友（Sumioo、JX等。据北京通美招股说明书数据显示，2020年全球前三大厂商占据磷化铟衬底市场90%以上市场份额，其中日本住友为全球第一大厂商，占36%VGFVBSumitomoVGFVB6英寸磷化铟单晶，日本JX使用LEC技术可以生长出直径4英寸的磷化铟单晶。图60：全球磷化铟衬底市场竞争格局（2020年） Sumitomo 北京通美 日本JX 其他9%13%42%36%资料来源：北京通美招股说明书，国联民生证券研究所光模块为磷化铟衬底下游最大应用领域。磷化铟衬底主要应用下游器件包括5G80%、5%和15%，光模块器件和射频器件目前是磷化铟下游主要的应用。图61：全球磷化铟衬底应用结构（销量口径，2019） 图62：全球磷化铟衬底应用结构（价值量口径,2019）光模块器件 射频器件 传感器件5%15%

光模块器件 射频器件 传感器件6%16%80%

78%资料源：北通招说书联民证研所 资料源：北通招说书联民证研所4N度为5.904克/立方厘米，熔点为29.76°C，沸点为2204°C。固体镓为蓝灰色，图63：镓产业链 资料来源：华经产业研究院，国联民生证券研究所镓主要是作为从铝土矿中提取铝或从锌矿石中提取锌时的副产物得到的，也有少100LED、射频器件、激光器等器件。5%8%7%80%图64：中国提取金属镓源自铝土矿的比例超90%（吨） 图65：镓下游应用结构（20175%8%7%80%0

铝土矿 镓废料 铅锌矿 铝土矿占比100%95%90%85%2017 2018 2019 2020 2021

砷化镓氮化镓太阳能其他资料来源：亚洲金属网，国联民生证券研究所注：数据截止2021年

资料来源：矿业汇，国联民生证券研究所32%23%18%32%、22%、21%12%。图66：全球铝土矿中镓储量分布（2023年） 图67：中国镓资源储量分布（2025年） 18%32%18%32%21%23%

非洲大洋洲南美洲亚洲其他

13%32%2%21%32%2%21%

河南广西贵州山西其他22%资料源：华产研院国生证研所 资料源：亚金网国民券研所中国金属镓产量全球占比高达98%。根据USGS数据，2022年中国金属镓2025296.551042.6，GAGR17%。图68：中国金属镓产量全球占比高达98%（2022年） 图69：中国金属镓产量 2%98%

12001000中国600其他 4002000

产量：吨 同比（%，右轴

50%40%30%20%10%0%-10%-20%资料源：USGS，联生券究所 资料源：亚金网国民券研所III-VLED2060LED302090中；第三阶段自2010年起，随着LED规模化应用阶段，2017iPhoneXVCSEL（垂直腔面发射激光器）VCSEL次拓宽到消费电子市场。图70：砷化镓材料发展历程资料来源：赵巧云《砷化镓材料发展状况概述》，国联民生证券研究所5G（MiniLE、oLED、无人驾驶、人工智能、可穿戴设备等多个领域。图71：砷化镓产业链 资料来源：北京通美招股说明书，国联民生证券研究所LEC法、HB法、VB法以及VGF法等，其中Sumitomo砷化镓单晶生产以VB法为主，Freiberger以VGF和LECVGFLED年全球砷化镓衬底市场主要生产商包括FreibergerSumitomoFreiberger21%13%。图72：全球砷化镓衬底市场格局（2019）28%38%13%21%FreibergerSumitomo北京通美其他28%38%13%21%资料来源：北京通美招股说明书，国联民生证券研究所LED化镓衬底应用结构中射频占比最大，约37%，其次是LED，占比约34%，显示（microLED2%2025（microLED26%，18%，1%。图73：全球砷化镓衬底应用分布结构资料来源：北京通美招股说明书，国联民生证券研究所铁电材料，电光材料，在声学滤波器中和光通讯中都有重要应用。类型 产品优势 应用领域表13：铌酸锂晶体分类类型 产品优势 应用领域光学级铌酸锂晶体

321nm-5000nmA(no-ne)=0.086@632.8nm

集成光学波导；波导型激光器；光隔离器用楔角片；电光波导相位调制器；电光波导强度调制器；准相位匹配激光倍频器件和光参量振荡器。声学级酸锂体 优良的电性、热定性化稳定性机械定器。 声表面滤波器资料来源：华经产业研究院，国联民生证券研究所图74：光学级铌酸锂材料产业链梳理 上游 中游 下游 氧化铌铌酸锂晶体薄膜铌酸锂体铌酸锂调制器薄膜铌酸锂调制器氧化铌铌酸锂晶体薄膜铌酸锂体铌酸锂调制器薄膜铌酸锂调制器光通信光纤陀螺超快激光器有线电视资料来源：华经产业研究院，国联民生证券研究所光信号调制是光模块的必要功能，电光调制器包括内调制和独立调制两种模激光的某些参量得到调制；独立调制器进行的外调制是指光输出光源的振幅和频图75：光信号调制在光信号处理流程中的位置 资料来源：华经产业研究院，国联民生证券研究所60-90Gbaud，130Gbaud，而基于铌酸锂的调制器可能超过130Gbaud一定的参数从而在中短距离传输中替代铌酸锂。铌酸锂调制器在长途相干光传输100Gbps100/200Gbps调制器类型 应用场景 优点 缺点表14：光调制器对比调制器类型 应用场景 优点 缺点硅基调器 短程的据通用收模块 尺寸小

性能一般，高速长距离通信网络不适用磷化铟基调制器

中距和长距光通信网络收发模块

调制效率高，驱动电压小，带宽可调制，器件结构紧凑

对材料和工艺要求高，成本和集成难度大铌酸锂基调制器

100G干通信

电光系数大、调制带宽大、波导传输损耗小、稳定性好，发展成熟

体积较大资料来源：华经产业研究院，国联民生证券研究所随着光通信系统的不断升级和流量继续快速攀升，当前的高速通信系统对铌调制器优势凸显凸显。图76：离子切片法制备铌酸锂薄膜示意图 资料来源：《信息时代的铌酸锂晶体：进展与展望》刘宏，国联民生证券研究所AI产业化趋势驱动光通信传输速率持续提升，打开铌酸锂调制器市场需求。AI由于铌酸锂系列高速调制器芯片及器件行业壁垒较高，全球仅有三家主要供应商可以批量供Ft（富士通iom（住友集团和Lmum。2020年光库科技通过收购Lumentum相关产品线进入该领域，目前是国内少数可以提供铌酸锂技术的厂家之一。公司名称 国家 基本情况表15：铌酸锂调制器行业主要公司公司名称 国家 基本情况Fujitsu（富士） 日

Fujitsu（FujitsuOpticalComponentsLimited20092017600G70%。Sumitomo（住友团） 日本

Sumitomo的光器件业务（包括铌酸锂调制器业务）主要由子公司SumitomoOsakaCementCO.,Ltd运营。Lumentum

Lumentum是全球领先的光通信产品、消费市场和工业激光器提供商，2020年光库科技收购Lumentum位于意大利SanDonato及其代工厂的铌酸锂系列高速调制器产品线。资料来源：光库科技公告，智研咨询，国联民生证券研究所铌酸锂晶体市场规模稳步增长5GAI酸锂单晶行业主要被日本企业占据主要份额。日本企业在上游铌酸锂单晶材料领公司国家基本情况信越化学日本全球最大的硅材料生产商，LN、LT晶体与基材产能位居全球前列。公司国家基本情况信越化学日本全球最大的硅材料生产商，LN、LT晶体与基材产能位居全球前列。住友金属日本日本硅材料头部企业的旗下公司，2018年退出盈利不佳的蓝宝石基板转向LN、LT晶体。兆远科技中国中国台湾蓝宝石衬底头部厂商，2006年后逐渐布局LN、LT晶体。天通股份 中

已形成3/4/5英寸LN、LT晶片量产能力，通过多个国内外企业验证，国内主要客户包括好达电子、中电26所。德清华莹 中国 3、4寸LN、体年能达18吨，晶年加能力100万片。资料来源：华经产业研究院，国联民生证券研究所AI开启散热革命，散热材料大放异彩10℃，110出了更加严格的要求。图77：电子元器件故障分析统计 温度 振动 潮湿 粉尘6%19%20%19%20%（II注：数据截止2023年风冷散热效率难以跟上数据中心设备散热需求的提升。随着单位服务器机柜kW/r5~10kW/r10kW/r5~10kW/r30kW/r100kW/r30kW/r30kW/r以上功率密度的机柜无法做到产热与移热速率匹配，会使机柜温度不断升高导致冷却设备及方式的不断创新，提升移热速率。图78：机柜功率密度及相应散热模式图P（owrsageffctiness是衡量数据中心能源效率的重要指标。PUEITPUE值35度40℃20%-30%PUE1.2PUE1.1图79：数据中心制冷技术对应PUE值范围 资料来源：《中兴通讯液冷技术白皮书》范浩龙等，国联民生证券研究所技术可以分为直接接触式和间接接触式两种。直接接触式是指将冷却液体与发热（CDUCDU内的换热器将热量完成散热。90%以上，是现阶段及未来一段时间业内主流的液冷技术方案。单相冷板式液冷技术对通信设备和（TCO）的有效方案。图80：液冷技术分类 图81：液冷系统通用架构图 （I

资料来源：《数据中心液冷散热技术及应用》严劲等，国联民生证券研究所IDC90%，2023202847.62028102类别冷板式浸没式喷淋式投资成本类别冷板式浸没式喷淋式投资成本初始投资中等，运维成本低初始投资及运维成本高初始投资较高，液体消耗成本大PUE1.1-1.21.05-1.09＜1.1可维护性较简单复杂复杂供应商较多厂商较多厂商仅个别厂商应用案例多较多较少可维护性优秀较差中等空间利用率较高中等最高未与主板和芯片模块进行直接的接触，材料兼容性 直接接，材兼容较差 直接接，材兼容较兼容性强安装简捷程度综合评价

不改变服务器主板原有的形态，保留现有服务器主板，安装便捷，PUE

改变服务器主板原有结构，需重新安装，PUE度大

不改变服务器主板原有的形态，安装便捷初始投资较高，运维成本高，液体消耗成本高，PUE收益中等，服务器结构需改造英伟达GB200GB300的机柜均采用单相直接芯片液冷方案，GB200是1CPU2GPU，GB300则是每个芯片对应一块小冷板。GB200NVL7236GB200GraceBlackwellGB200Gracecwl超级芯片由一个GraceCPU和两个cwGPUGPUASICNVDAGB200/GB300NL72单柜热设计功耗(TDP)高达130kW-140W，远超过传统风冷系统的处理极限，而直接芯片液冷技术直接解决了风冷散热效率（CDU回CDUCPU和GPU等高功率芯片上，采用高纯度铜作为基材，并通过铲齿工艺制造出微通道结构，以最大化热交换的表面积。GB200是一块大冷板覆盖1CPU2GB200，GB300则是AI图82：GB200液冷模块 图83：GB300液冷模块 资料源：CIME国液散技展，联生券究所 资料源：CIME国液散技展，联生券究所表18：英伟达GB200和GB300液冷技术核心对比特性GB200NVL72GB300NVL72技术差异与趋势冷却方式单相冷板液冷+风冷辅助全冷板液冷(预计)或更先进液冷从混合冷却向全液冷演进，散热能力更强。大冷板计，特性GB200NVL72GB300NVL72技术差异与趋势冷却方式单相冷板液冷+风冷辅助全冷板液冷(预计)或更先进液冷从混合冷却向全液冷演进，散热能力更强。大冷板计，盖CPU、 预计采独立板设，各片立散热设计 GPU等高温，风负责电 散热 散热设更精化，对性强以应对高热度。源等低温部件耗，量产遇散热等问题

1400140kW机柜功耗

散热能力提升，以满足更高功耗芯片的散热需求。PUE(能效) 预计约1.15-1.2 预计于GB200（因全冷及优化）

（DC800电PUE1资料来源：森蔚热管理微信公众号，国联民生证券研究所液冷系统的主要构成零部件包括冷板、CDU、快接头等。冷板凭借其在材料和微加工方面的要求，占据了约40%的成本份额，成为成本最高的组件；紧随其27%。图84：GB300液冷关键组件的成本占比 CDU,33%资料来源：液冷技术圈微信公众号，国联民生证券研究所铜因其卓越的导热性而CPU、GPULED工质兼容材料不兼容材料氨铝、碳钢、镍、不锈钢工质兼容材料不兼容材料氨铝、碳钢、镍、不锈钢铜丙酮铜、硅石、铝、不锈钢甲醇铜、不锈钢、硅石铝钠不锈钢、铬镍铁合金钛水铜、蒙乃尔、347不锈钢不锈钢、铝、硅石、铬镍铁合金、镍、碳钢导热姆换热剂铜、硅石、不锈钢钾不锈钢、铬镍铁合金钛资料来源：《热管材料的相容性及可靠性》（沈家蓉），国联民生证券研究所金属基复合材料可以将金属基体较高的热导率和增强相材料较低的热膨胀系图85：电子封装金属基材料性能 资料来源：《电子封装用金属基复合材料的研究进展》曾婧等，国联民生证券研究所钨铜合金和钼铜合金为目前应用最广泛的金属基电子封装材料，铝碳化硅/铜复合材料有望成为下一代电子封装材料。早期采用Kovar（/C（/Cu复合材料也称为钨铜、钼铜合金，即以金属颗粒W、Mo其热导率为150~230W/(m·K)，热膨胀系数为5.7×10−6~10×10−6K−1，是目前等传统电子封装材料的制备与应用技术较成熟，已进行大规模工（SiC/AI）和铝硅（Si/AI）复合材料正好具有质量轻，热膨胀系数低，热传导性能良好，强1.2～2.6kW/(m·K)并且价格低廉,被广泛应用于集成电路领域。综合金刚石和铜的导热性能,金刚石/铜复合材料有望成为未来主流的高导热电子封装材料。图86：电子封装常用复合材料性能比较 资料来源：《电子封装用金属基复合材料的研究进展》曾婧等，国联民生证券研究所投资建议AIAI强散热等更高的要求，AIAIAI基础设施建设以及端侧应用生态拓宽有望放大AIAIAIAI服务器相比传AI服务器的功耗是普通服务器的5～10倍以上，驱动往小型化、超高容AIAIChiplet2.5D/3DHBMAIAI800G1.6T（AI开启散热革命，散热材料大放异彩。（等）持续迭代。投资建议：AIAI悦安新材、江南新材、稀美资源。风险提示：海外地缘政治风险、需求不及预期、新品研发不及预期等。重点公司打开新成长曲线公司是全球领先的实现纳米级电子专用高端金属粉体材料规模化量产及商业2010立足电子专用高端金属粉体材料领域不断进行投入研发和产能扩张，目前业务布AI技术迭代驱动高端镍粉快速增长。镍粉是制备内电AIAI的性能稳定性、尺寸及容量提出了更高要求；为适配这一市光伏铜粉应用有望打开公司新成长空间。银浆是光伏电池片非硅成本的最大展光伏铜粉，有望打开公司新成长空间。投资建议：公司作为国内电子高端金属粉体材料龙头，受益于2026-20285.71/14.51/20.89亿元，对应7月17日收盘价的PE分别为68/27/19风险提示：下游需求不及预期、原材料价格波动风险、新品研发不及预期。表20：博迁新材盈利预测与财务指标项目/年度2025A2026E2027E2028E营业收入（百万元）1,1522,5024,7356,344增长率（%）21.8117.289.334.0归属母公司股东净利润（百万元）2195711,4512,089增长率（%）150.6160.7153.944.0每股收益（元）0.842.185.557.99PE（现价）178682719PB22.817.311.48.2Wn6年7月7）东方钽业：AI驱动需求多点开花，产能释放业绩放量可期2026绩有望快速增长。电子&&AIMCZ业绩有望跟随产能释放快速增长。预计公司2026-2028年归母净利润分别为4.59/5.99/7.57717PE59/45/36风险提示：需求不及预期，新品进展不及预期，原材料价格波动风险等。表21：东方钽业盈利预测与财务指标项目/年度2025A2026E2027E2028E营业收入（百万元）1,5433,1834,5575,633增长率（%）20.5106.343.223.6归属母公司股东净利润（百万元）258459599757增长率（%）21.177.830.526.3每股收益（元）0.490.871.141.43PE（现价）105594536PB9.86.35.65.0Wn6年7月7）有研粉材：有色金属粉体积淀深厚，迎需求多点开花机遇3D打印用金属3DAIGPUNPUAIMIM3DChiplet2.5D/3D及HBM等先进封装技术快速发展，封装互连密度持续提升，微凸点尺寸不断缩NPU10%-15%VC/MIM/3D打印铜粉助MIM/3DMIMMIM专用铜粉，0-25μm，材料纯度4.8-5.2g/cm³，振实密度≥5.698%370W/(m·K)，已累计用于生产IGBT散热基板等超过3000吨，为高性能液冷散热基板的规模应用和量产提供了核心材料支撑。2026-20281.39、4.34、7.09亿元，对应7月17日股价的PE分别为62/20/12X，维持“推荐”评级。项目/年度2025A2026E2027E2028E项目/年度2025A2026E2027E2028E营业收入（百万元）3,9045,7116,7917,841增长率（%）20.946.318.915.5归属母公司股东净利润（百万元）70139434709增长率（%）17.898.6212.263.4每股收益（元）0.671.344.186.84PE（现价）123622012PB6.86.34.93.7Wn6年7月7）铂科新材：合金软磁粉龙头，芯片电感持续放量性能软磁材料、电感以及整体解决方案。公司是全球领先的软磁粉芯生产商，从“铁硅1代”金属磁粉芯开始，不断迭代升级至“铁硅5建立了一套覆盖5kHz~10MHz频率段应用的金属磁粉芯体系，可满足众多应用（全覆盖的产品线布局，（2μm-50μm的金属粉末的制备工艺。公司在2023年开始筹建年产能达6000吨/年的粉体工厂，根据市场需求分批投入，首期工程已于2024年建成，可新增产能2,000吨；全部工程计划于2025年竣工，最终实现产能6,000吨/年，将有效解决目前对外销售粉末产能不足的问题，有望为公司提供新的增长动能。MPSAIAI可穿戴设备、汽车、AI手机等应用领域的技术布局也取得了一系列重大进展。2026-20286.31/8.29/11.05亿元，对应7月17日收盘价的PE分别为42/32/24汽车需求增长不及预期，芯片电感订单增长不及预期。表23：铂科新材盈利预测与财务指标项目/年度2025A2026E2027E2028E营业收入（百万元）1,8022,5243,2144,115增长率（%）8.440.127.328.0归属母公司股东净利润（百万元）4186318291,105增长率（%）11.351.031.333.3每股收益（元）1.031.552.042.72PE（现价）64423224PB8.87.46.15.0Wn6年7月7）海星股份：电极箔行业龙头，AI需求驱动电极箔升级迭代1998公司202480性能电极箔2000万平方米，进一步完善产能布局，巩固龙头优势。AI产业发展驱动电极箔升级迭代。解电容器用量最大的应用市场之一，其在全球铝电解电容器市场规模总额中的比例约为30%；电容器市场规模总额中的比例约为21%；规模约占总额的19%AI量快速上升，还驱动电极箔往更高容量方向升级。悦安新材：羰基铁粉龙头，芯片电感持续推动产品结构升级+深加工制品”的一体化业务布局。公司目前主要布局江西和宁夏两大生产基地布局。公司现有羰基铁粉产能主30003,0007,500“技术领先+成本可控”的双重竞争优势奠定坚实基础。AI技术迭代驱动细粉化趋势明确，公司积极布局把握结构升级机会。随着电子设备集成度提升及功率密度要求提高，下游电感厂商对细粒径羰基铁粉的需求3000江南新材：铜基新材料工艺为基，享“散热革命”红利公司在中国铜基类专用材料主要企业排名位列第一。公司主要从事铜基新材（包括IC载板、HDI、柔性电路板等）成催化剂等领域；高精密铜基散热片系列产品已应用于服务器液冷散热、PCB埋嵌散热工艺、功率半导体散热等领域。公司铜球和氧化铜粉产品受益于AIPCB需求的拉动。铜球是一种电镀PCBPCBPCBPCBHDIICFPC需求扩大推动，HDI板、IC载板和FPC等PCB球及氧化铜粉市场规模有望深度受益。PCB力、精密加工制造能力、高效供货能力要求也较高。稀美资源：国内钽铌湿法冶炼龙头，积极向下游环节延伸公司是中国钽铌行业较早的参与者，产品市场占有率在国内同行中处于领先（（（图加工制品等。公司产品广泛应用于高温合金、半导体、高端电子、航天航空、国防军工、光学、医疗等领域。公司是国内钽铌湿法冶炼龙头，产能扩张打开成长空间。目前公司已经分别40%左右研发生产，同时稀美雷州总规划年产3,000中核华中也已于2024年进入投产阶段，设计年产能1,000吨氧化物。公司积极向火法环节延伸，提升产品附加值。公司火法冶炼项目实施主体包1,50020251243.8%，54%7.8pct风险提示海外地缘政治风险需求不及预期有所下降，进一步对公司盈利造成负面影响。新品研发不及预期AI插图目录图1：半导体行业摩尔定律迭代进程 4图2：2019-2025年不同领域大模型训练所需算力比较 5图3：AI边缘处理器的功耗和性能 5图4：端侧AI给存储带来的挑战 5图5：三星电机开发AIServer用小型超高容量6图6：一体成型电感 6图7：普通PCB和高阶HDI板的对比 7图8：PCB钻针对比 7图9：全球数通光模块市场规模及预测（按传输速率，亿美元） 8图10：光通信产业链梳理 8图11：英伟达GPU热设计功耗 9图12：AI服务器朝小型化和高容化发展 10图13：结构图 11图14：产业链 11图15：电容计算公式 11图16：小尺寸大容量化解决方案 11图17：数据中心48V架构与800V架构对比 15图18：HVDC数据中心架构演进方案 15图19：铝电解电容器在AI供电架构应用示意图 16图20：新一代纳微孔结构铝电极箔实验 16图21：电极箔产业链 17图22：电极箔分类 18图23：电极箔主要参数指标 18图24：电极箔生产工艺流程 19图25：钽电容器结构图 20图26：钽电容器和不同电压条件性能对比 20图27：钽电容器和不同温度条件性能对比 20图28：国巨钽电容营收迎来拐点（单位：百万新台币） 21图29：全球钽电容市场格局（产量口径，2024） 21图30：电容器级钽粉出口数据（单位：吨） 21图31：其他钽粉出口数据（单位：吨） 21图32：锡粉产品外观 22图33：锡粉球形颗粒微观形貌 22图34：锡粉生产工艺流程 24图35：锡膏生产工艺流程 27图36：国内锡粉产量情况 27图37：全球锡粉市场规模 28图38：全球锡粉市场占比（按结构分，2025） 28图39：国内微电子焊料市场规模（2020年） 28图40：锡膏国内产量（万吨） 29图41：半导体封装迭代历程 33图42：光通信系统工作原理 34图43：光模块结构示意图 34图44：光芯片分类 35图45：不同代际化合物半导体材料对比 36图46：锗产业链梳理 37图47：全球锗矿产量分布结构（单位：千克） 38图48：全球锗金属行业下游消费需求结构占比情况（2022） 39图4