CN115621333B 双面隧穿氧化硅钝化的背接触太阳能电池及其制备方法 （金阳(泉州)新能源科技有限公司）

CN112820793AA,2021.05.18,全文.CN115020513AA,2022.09.06,全文.CN115207137AA,2022.10.18,全文.CN115312633AA,2022.11.08,全文.US2016020342A1A,2016.01.21,全文.US2016284922A1A,2016.09.29,全文.WO2022100081A1A,2022.05.19,全文.双面隧穿氧化硅钝化的背接触太阳能电池体涉及双面隧穿氧化硅钝化的背接触太阳能电在硅片背面设置的第一半导体层、第二半导体第一掺杂多晶硅层的厚度为第二掺杂多晶硅层一磷掺杂扩散区和第二磷掺杂扩散区的深度之21.一种双面叠加隧穿氧化硅钝化的背接触太阳能电池，包括具有正面和背面的硅片，一掺杂多晶硅层的厚度为第二掺杂多晶硅层厚度的3_8倍；所述硅片背面具有第一磷掺杂所述第一隧穿氧化硅层、第一掺杂多晶硅层、第二隧穿氧先在背面和正面相应的隧穿氧化硅层表面同时二掺杂多晶硅层的有效掺杂浓度各自独立地为1e19_4e20cm_3，所述第一掺杂多晶硅体层、第二半导体层以及在所述第一半导体层和第二半导体层之间设置或不设置的掩膜3先在背面和正面相应的隧穿氧化硅层表面同时然后在背面用原位掺杂的方式镀磷掺杂膜层，所再进行磷扩散，在磷扩散过程中保持硅片正面和背面均处于其中，控制所述本征非晶硅层与磷掺杂膜层的厚度之和的方式，所述镀磷掺杂膜层采用PECVD的方式，所述磷掺杂膜层中磷的掺杂浓度在1e19_磷、氮气和氧气中至少一种，通过化学反应形成磷单质和PSG层，第一阶段的反应温度为S106、在S105所得硅片背面进行第二刻蚀开口，形成与S108、在S107所得硅片背面的位于过渡区域Wg的部分导电膜层上进行第三刻蚀开口，S109、在S108所得硅片背面的第二半导体开口区Wp、第一4所述第二刻蚀开口采用激光开口的方式，所述激光为紫5第一半导体层；S105、硅片背面形成第二半导体层，所述第二半导体层采用PECVD或Hot_正面依次形成正面钝化层及减反层，所述正面钝化层及减反层采用PECVD或Hot_wire方式形成，所述正面钝化层包含本征非晶硅层及N型掺杂非晶或微晶硅层，所述减反层为氮化层为本征非晶硅层与N型掺杂的非晶/微晶硅层。然而，目前本征非晶硅层与N型掺杂的非[0004]本发明的目的是为了克服现有技术存在的常规背接触异质结太阳能电池的第一6所述第一半导体层和第二半导体层之间设置或[0020]更优选地，所述减反层在制绒面上的厚度为60_85nm，导电膜层的厚度为30_7一阶段的反应温度为750_850℃,反应时间为5_180min；然后进入升温磷扩散的第二阶段，89述第一掺杂多晶硅层的厚度为第二掺杂多晶硅层厚度的3_8倍；所述硅片背面具有第一磷[0057]本发明采用相应的隧穿氧化硅层与相应的掺杂多晶硅层作为第一半导体层及正体层及正面钝化层为为本征非晶硅层与N型掺杂的非晶/微晶硅层，其一般采用板式PECVD[0060]所述第一掺杂多晶硅层的厚度为第二掺杂多晶硅层厚度的3_8倍，具体例如可以[0062]本发明的第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层的有效掺杂浓度及厚度只要能[0069]本发明的背接触太阳能电池中第一半导体层和第二半导体层可以按照现有的结层以及在所述第一半导体层和第二半导体层之间设置或不设置的掩膜层。可以理解的是，[0076]更优选地，所述减反层在制绒面上的厚度为60_85nm，导电膜层的厚度为30_[0083]所述形成隧穿氧化硅层可以采用湿法或干法的方式，所述湿法包含臭氧氧化法、[0091]在本发明的上述形成掺杂多晶硅层的过程中，正面的本征非晶的掺杂量以及背面第一磷掺杂扩散区的深度由所述的磷扩散步骤和镀磷掺杂膜层共同配一阶段的反应温度为750_850℃,反应时间为5_180min；然后进入升温磷扩散的第二阶段，[0107]在第二种优选实施方式中，在过渡区域的第一半导体层与第二半导体层直接接化层，所述第一半导体层包括由内向外依次设置的第一隧穿氧化硅层11a和第一掺杂多晶多晶硅层的有效掺杂浓度与该掺杂多晶硅层厚度的比值。第二掺杂多晶硅层12b的有效掺PECVD方式在硅片10的背面用原位掺杂的方式镀磷掺杂多晶硅，其中磷的掺杂浓度在气和氧气，通过化学反应形成磷单质和PSG层，第一阶段的反应温度为770℃,反应时间为得第一掺杂多晶硅层的