CN116323842B 研磨剂组合物以及使用研磨剂组合物的研磨方法 （山口精研工业株式会社）

2023.01.20PCT/JP2021/0260232021.07.09WO2022/024726JA2022.02.03JP2018067591A,2018.04.26研磨剂组合物以及使用研磨剂组合物的研面研磨后的半导体晶片的晶片表面的平滑性和V族化合物作为构成成分的研磨对象物进行研磨其用于控制利用氧化促进剂的研磨对象物的表21.一种研磨剂组合物，用于对包含III_V族化合物作为构成成分的研磨对象物进行研所述氧化促进剂用于促进所述氧化剂对所述研磨对象物的表面的所述稳定剂用于控制所述氧化促进剂对所述研磨对象物的表面的氧化反应的促进作所述研磨剂组合物的25℃下的pH为0.1～6.0~5.0的范围。6.一种使用研磨剂组合物的研磨方法，其特征在3[0003]半导体晶片通常将使III_V族化合物结晶生长而成的单晶体切薄，进行研磨[0004]相当于半导体晶片的最终工序(精加工工序)的最终抛光是用于平滑化半导体晶[0005]以往上述半导体晶片的研磨通过一次研磨(粗研磨)和二次研磨(镜面精加工研4有特定成分而制备的研磨剂组合物的研磨，能够实现半导体晶片的镜面研磨加工的迅速5[0033]作为本实施方式的研磨剂组合物的使用材料而使用的胶体二氧化硅的平均粒径此处，胶体二氧化硅的平均粒径(D50)是基于透射型电子显微镜(TEM)的观察结果进行分适当使用这些合成方法等来制造成为本实施方式的研磨剂组合物的使用材料的胶体二氧有率)优选为1～50质量％的范围，更优选为2～40质量％。胶体二氧化硅的含量小于1质[0038]作为本实施方式的研磨剂组合物的使用材料而使用的氧化剂，可以使用过氧化6[0043]作为本实施方式的研磨剂组合物的使用材料而使用的氧化促进剂可以使用无机[0046]氧化促进剂具有促进由上述氧化剂引起的半导体晶片的[0049]作为本实施方式的研磨剂组合物的使用材料而使用的稳定剂，可以使用选自磷7[0059]通过本实施方式的研磨剂组合物研磨的作为研磨对象物的半导体晶片包含III_V质。包含至少一种以上这些III_V族化合物作为构成成分，形成研磨对象物的半导体晶片[0061]使用本实施方式的研磨剂组合物，将包含III_V族化合物作为构成成分的半导体8在表1～表6的质量％的表示中反映了各自的分子量的大小后的值。此外，表1及表2中的铁盐。9积等效圆直径)进行测定。胶体二氧化硅的平均粒径是使用上述方法分析2000个左右的胶[0075]使用了作为实施例1～11以及比较例1～5制备的研磨剂组合物的研磨对象物的研[0085]测定研磨试验的实施前以及实施后的研磨对象的3英寸GaAs基板(以下，简称为产率越高。[0087]用目视以及扫描型白色干涉显微镜(HitachiHigh_TechScienceCorporation[0099]如上述表3的结果所示，比较例5是将比较例2中制备的研磨剂组合物在制备后气泡的产生停止后经过2小时后供于研磨试验的结果，与在制备后气泡的产生停止后立即进实施例11是将实施例4中制备的研磨剂组合物在制备后经过2小时后供于研磨试验的结果，含有作为必须构成要素的氧化促进剂的例子，确认了对于与该比较例4对应的实施例4～7[0114]测定研磨试验的实施前以及实施后的研磨对象的2英寸InP基板(以下，简称为 [0121]如上述表4的结果所示，在比较例6的研磨剂组合物中的研磨速度的值为实施例[0136]利用与GaAs基板以及InP基板同样的方法分别测定基板表面的状态以及基板表面[0160]如表6所示，比较例10的研磨剂组合物不含有作