CN119064668B 多通道vcsel芯片的单通道功率测试方法及其系统 （浙江老鹰半导体技术有限公司）

号多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法及本申请涉及一种多通道VCSEL芯片的单通道信号，以使驱动信号驱动待测多通道VCSEL芯片通道VCSEL芯片的全通道总功率和近场图像；根据近场图像获取待测多通道VCSEL芯片的单通道灰度值占比获取待测多通道VCSEL芯片的单通道像处理结合的方式获取待测多通道VCSEL芯片的单通道功率，避免对多通道VCSEL芯片进行重复2提供一驱动信号；所述驱动信号用于驱动待测多通道VCSEL芯片的全通道处于点亮状获取点亮状态下的所述待测多通道VCSEL芯片的全通根据所述全通道总功率和所述单通道灰度值占比获取所述待测多通道VCSEL芯片的单根据所述全通道灰度值和所述单通道灰度值获取所述单通2.根据权利要求1所述的多通道VCSEL芯片;3.根据权利要求1所述的多通道VCSEL芯获取点亮状态下的所述待测多通道VCSEL芯根据所述单通道功率和所述占空比获取所述待测多通道VCSEL芯片的单通道峰值功4.根据权利要求3所述的多通道VCSEL芯片的单通道功获取点亮状态下的所述待测多通道VCSEL芯片对应的光脉冲宽度和所述驱动信号的调5.根据权利要求4所述的多通道VCSEL芯;6.根据权利要求3所述的多通道VCSEL芯片的单;其中，Ppeak为所述单通道峰值功率；Pavg_channe7.根据权利要求3所述的多通道VCSEL芯3获取点亮状态下的所述待测多通道VCSEL芯8.根据权利要求1至7任一项所述的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法，其特征重复多次如权利要求1至7任一项所述的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法，以将多次获取的所述单通道功率的平均值作为最终驱动装置，与待测多通道VCSEL芯片连接，用于提供驱动信号以驱动待利要求1至8任一项所述的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法中的根据所述全通道总功率和所述单通道灰度值占比获取所述待测多通道VCSEL芯片的单通道功率；所述单通道功率为所述待测多通道VCSEL芯片中每一态下的所述待测多通道VCSEL芯片对应的调4[0002]在多通道VCSEL芯片测试技术领域中，测试多通道VCSEL芯片中每一通道的功率[0005]提供一驱动信号；所述驱动信号用于驱动待测多通道VCSEL芯片的全通道处于点[0008]根据所述全通道总功率和所述单通道灰度值占比获取所述待测多通道VCSEL芯片[0009]在其中一个实施例中，所述根据所述近场图像获取所述待测多通道VCSEL芯片的[0011]根据所述灰度图像获取所述待测多通道VCSEL芯片的全通道灰度值和单通道灰度[0014]pavg_channel=pavg_chipxGrayRate；[0015]其中，Pavg_channel为所述单通道功率，Pavg_chip为所述全通道总功率，[0018]根据所述单通道功率和所述占空比获取所述待测多通道VCSEL芯片的单通道峰值[0019]在其中一个实施例中，所述获取点亮状态下的所述待测多通道VCSEL芯片对应的5[0020]获取点亮状态下的所述待测多通道VCSEL芯片对应的光脉冲宽度和所述驱动信号[0029]重复多次如上述的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法，以将多次获取的所[0031]驱动装置，与待测多通道VCSEL芯片连接，用于提供驱动信号以驱动待测多通道如上述的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法中的根据所述全通道总功率和所述单通道灰度值占比获取所述待测多通道VCSEL芯通道VCSEL芯片的单通道功率，避免对多通道VCSEL芯片进行重复测试获取单个通道的功率和单通道灰度值占比能够确保获取待测多通道VCSEL芯片的单通道功率的准确性，避免6[0039]图1为一个实施例中的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法的流程示意图之[0040]图2为一个实施例中的根据近场图像获取待测多通道VCSEL芯片的单通道灰度值[0041]图3为一个实施例中的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法的流程示意图之[0042]图4为一个实施例中的获取点亮状态下的待测多通道VCSEL芯片对应的占空比的[0043]图5为一个实施例中的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法的流程示意图之对于优化VCSEL组件产品设计和提高产品质量具通道VCSEL芯片中的“通道”指的是VCSEL芯片内部独立控制和操作的垂直腔面发射激光器通道还可包括5个发光孔或8个发光孔或56个发光孔等等，本申请对此不做进一步限定。而本申请中的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法无需单独对每个通道中的VCSEL单元进行检测即可准确获取多通道VCSEL芯片中每一单通道功率。也即本申请中的“单通道功7[0049]如图1所示，附图1示出了本实施例中的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法有独立VCSEL通道/单元在同时工作时输出的光功率之和。待测多通道VCSEL芯片的全通道总功率能够反映该待测多通道VCSEL芯片在满负荷工作状态下测多通道VCSEL芯片的近场图像可以通过近场扫描装置或者其他近像处理工具对近场图像进行图像分析，即可快速准确地获取待测多通道VCSEL芯片中各单[0060]通过获取待测多通道VCSEL芯片中各单通道在近场图像中的灰度值占比，能够侧面获取待测多通道VCSEL芯片中各单通道单独工作时输出的激光脉冲的输出功率情况。其中灰度值占比可以理解为待测多通道VCSEL芯片中单个通道的灰度值在待测多通道VCSEL8通道灰度值占比能够确保获取待测多通道VCSEL芯片的单通道功率的准确性，避免在对多片的单通道灰度值占比包括以下步骤S201[0068]步骤S202，根据灰度图像获取待测多通道VCSEL芯片的全通道灰度值和单通道灰度值进行求和即可获取待测多通道VCSEL芯片的全度值指的是待测多通道VCSEL芯片中全部通道的灰待测多通道VCSEL芯片中全部通道的全片中各单通道灰度值即可分别获取待测多通道VCSEL芯片中每一单通道灰度值占比，基于9[0077]pavg_channel=pavg_chipxGrayRate；阅附图3，附图3示出了本实施例中的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法的流程示意图之二，本实施例中的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法还包括以下步骤S301至步取，如点亮状态下的待测多通道VCSEL芯片输出的光信号的脉冲宽度和驱动信号的调制周[0083]步骤S302，根据单通道功率和占空比获取待测多通道VCSEL芯片的单通道峰值功[0086]可以理解的是，本实施例中虽然仅例举了待测多通道VCSEL芯片中一个单通道峰通道VCSEL芯片对应的占空比的流程示意图。本实施例中，获取点亮状态下的待测多通道VCSEL芯片对应的占空比包括以下步骤S401至步骤S[0088]步骤S401，获取点亮状态下的待测多通道VCSEL芯片对应的光脉冲宽度和驱动信[0092]由于待测多通道VCSEL芯片在驱动信号的驱动下发射激光脉冲，因此驱动信号的[0099]在一个实施例中，重复多次如上述任一实施例中的多通道VCSEL芯片的单通道功[0101]其中，重复多次测试的待测多通道VCSEL芯片可以是同一待测道功率测试方法的流程示意图之三，本实施例中的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方[0104]步骤S501，通过驱动装置采用纳秒级别的驱动方式向待测多通道VCSEL芯片输出[0105]步骤S502，获取功率计或者积分球测量的待测多通道VCSEL芯片中全通道同时处[0106]步骤S503，获取高速光电探测器测量的待测多通道VCSEL芯片中全通道同时处于[0108]步骤S505，对近场图像进行图像处理以分别获取待测多通道VCSEL芯片对应的单[0110]步骤S507，根据全通道总功率和单通道灰度值占比获取待测多通道VCSEL芯片的[0112]步骤S509，根据占空比和单通道功率获取待测多通道VCSEL芯片中各单通道峰值620和图像获取装置630连接，用于执行上述任一实施例中的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法中的根据全通道总功率和单通道灰度值占比获取待测多通道VCSEL芯片的单通多通道VCSEL芯片中的各单通道进行全驱动点亮。意味着对应的驱动信号的脉冲宽度在纳证待测多通道VCSEL芯片热效应不会过大，使得待测多通道VCSEL芯片的所有通道同时工根据测量到的全通道总功率和图像获取装置630直接获取待测多通道VCSEL芯片在点亮状640根据全通道总功率和根据近场图像获取到的单通道灰度值占比即可获取单通道功率，测点亮状态下的待测多通道VCSEL芯片对应的的待测多通道VCSEL芯片近场图像。该近场图像能反映待测多通道VCSEL芯片待测多通道个多通道VCSEL芯片的单通道功率测试装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于多通器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的输入/输出接口用于处理器与外其他技术实现。该计算机