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文档简介

采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优本发明公开了采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优化方法，涉及半导体制造技术领策。解决了现有技术中对VCSEL芯片湿法氧化过问题，达到了对VCSEL芯片湿法氧化过程精准控2对氧化过程进行拟合观测，根据拟合观测结果对氧化过配置全局控制层，通过所述阶段划分特征和所述实时数据将所述全局决策下发至参数关联控制层后，以所述参数关联控制层对全局决策解析，对所述时序拟合曲线进行特征点提取，根据特征点提取结果2.如权利要求1所述的采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优化方法，其特征在若时序窗口内的多维聚类结果的特征变化趋势与时间若时序窗口内的多维聚类结果的特征变化趋势与时间维度下的3.如权利要求2所述的采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优化方法，其特征在;i表征任意一个多维聚类结果，w:为权重系数，表征第i个多维聚类结果对密度估计的影响程度，Ki个多维聚类结果的特征向量；34.如权利要求1所述的采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优化方法，其特征在5.如权利要求1所述的采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优化方法，其特征在根据初始因果关系构建每个参数节点与其父节点间的条件概率表6.如权利要求1所述的采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优化方法，其特征在7.如权利要求6所述的采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优化方法，其特征在建立异常触发阈值，通过所述异常触发阈值对异常监测累计结果进行4[0001]本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化[0004]本申请通过提供采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优化方法，采用对氧化化优先级进行全局控制层的初始化，并通过初始化后的全局控制层进行实时数据集处理，5[0007]拟通过本申请提出的采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优化方法，首先对氧化过程进行拟合观测，划分关键阶段并为每个阶段设置控制参数的优化优先级和特征。[0009]图1为本申请实施例提供的采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优化方法的[0010]图2为本申请实施例提供的采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优化方法的[0011]上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚6和数据分析技术模拟各参数随时间的变化趋势，通过收集大量VCSEL芯片湿法氧化过程中线能够直观地展示各个控制参数在时间维度上的类结果，多维聚类结果能够更全面地反映氧化过程中各个参数之间的相互关系和变化模7的类别与多维聚类结果中的类别具有相似的参数特征和变化趋势，可以将它们进行[0021]步骤S142，利用所述时序窗口对时序窗口内的多维聚类结果的趋势一致性匹度和孔径变化都符合快速氧化的特征，与时间维度下该时间段被划分为快速氧化阶段一89制参数的调整更加有针对性和目的性，从而更好地实现VCSEL芯片湿法氧化过程的优化控监测累计结果是否达到需要进行异常报出的标准，异常触发阈值的设定需要综合考虑了对VCSE

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