CN119401950A 一种毫米波高次频梳倍频器及其制备方法和应用 （中国科学院上海技术物理研究所）_第1页
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一种毫米波高次频梳倍频器及其制备方法需要外加偏压，在室温和低温下均能够稳定工2所述吸收层包括铌铱碲层和金属电极层，所述金属电极层的部分搭接3.根据权利要求2所述的毫米波高次频梳倍频器，其特征在于，所述衬底层的材质为7.根据权利要求6所述的毫米波高次频梳倍频器，其特征在于，所述铬层的厚度为5~在所述金属电极层搭接结构上涂覆光刻胶，再依次采用电子束曝光9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述铌铱碲纳米片的厚度为15~34[0014]本发明还提供了上述技术方案所述的毫米波高次频梳倍频器或上述技术方案所述的制备方法制得的毫米波高次频梳倍频器在倍频或混频中的应图6为实施例1的毫米波高次频梳倍频器的高次倍频输出与输入功率的依赖关系526形状优选为长方形时，所述金属电极层的长边优选和与其接触的铌铱碲层的边呈垂直交[0035]得到金属电极层搭接结构后，本发明在所述金属电极层[0037]本发明还提供了上述技术方案所述的毫米波高次频梳倍频器或上述技术方案所述的制备方法制得的毫米波高次频梳倍频器在倍频或混频中的应[0039]下面结合实施例对本发明提供的毫米波高次频梳倍频器及其制备方法和应用进7[0043]按照图3所示的系统示意图，将毫米波频段的光束经过线性偏振器垂直照射至实次是由于电子的非线性加速引起的，这是由带速度引起的纵向带内布洛赫振荡所决定的。而偶数次高次谐波源自于非零贝里曲率引起的横向布洛赫振荡。此外由于铌铱碲b轴为镜[0045]本发明的毫米波高次频梳倍频器还具有外差混频功能；通过将实施例1的毫米波[0046]具体过程为：将一束毫米波光源经过偏振片后照射在实施例1的毫米波高次频梳在实施例1的毫米波高次频梳倍频器中铌铱碲a轴上，实施例1的毫米波高次频梳倍频器中铌铱碲b轴上接出经过低噪声放大器后接入频谱分析仪，得到次谐波混频后中频信号fIF=[0047]结果如图6~图9。图6为实施例1的毫米波高次频梳倍频器的高次倍频输出与输入8如图8的左图所示。此外，这里的本振输入功率与中频输出功率的实验数据的斜率关系为[0051]综上，本发明的毫米波高次频梳倍频器的高次倍频混频9

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