CN119403182A 半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法 （长飞先进半导体(武汉)有限公司）

发区高新大道999号武汉未来科技城的制备方法，提高了钝化层与源极之间的结合2半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述至少部分所述源极位于所述第一绝缘层远离所述漏一沟槽在所述漏极上的正投影与所述源极沟槽在所述漏沟槽源极，位于所述第一绝缘层和所述源极之所述钝化层远离所述漏极的表面设置有第三沟槽，所述第三沟槽从所所述功率转换电路包括电路板以及至少一个如权利要求1_4任一项所述的半导体器沟槽和所述源极沟槽均从所述第一表面延伸至所述半导体本3在所述第一表面形成源极，其中，所述源极远离所述漏极一侧在所述源极远离所述漏极的一侧形成钝化层，其中，在所述第一表面形成所述源极时，至少部分所述源极形成在所述第一绝缘层远离所述漏极一侧的所述源极沟槽内形成在所述源极远离所述漏极的一侧形成钝化层时，所述钝化所述钝化层远离所述漏极的一侧形成封装层，至少部分所述封装层位4述第一沟槽在所述漏极上的正投影与所述源极沟槽在所述漏极上的5[0022]所述功率转换电路包括电路板以及至少一个本发明任意实施例所述的半导体器栅极沟槽和所述源极沟槽均从所述第一表面延伸至所述半导体本67[0057]本发明实施例中的第一掺杂类型可以为N型掺杂，第二掺二区域60可以通过离子注入的方式形成。第二区域60的掺杂类型与阱区10的掺杂类型相槽栅极42，第二绝缘层41设置在栅极沟槽40的内壁和底部，第二绝缘层41可以为栅极氧化极沟槽40内，栅极结构两侧的阱区10可以形成竖直的导电沟道，可以消除结场效应晶体管源极沟槽30内可以不设置沟槽源极32或在源极沟槽30内设置部分的沟8层140远离栅极结构的一侧设置欧姆接触金属层150，欧姆接触金属层150能够显著降低源极120的接触电阻，从而提高器件的导电效率。欧姆接触金属层150可以包括镍（Ni）或钛钝化层130与源极120材料之间的结合力。并且利用第一沟槽121提供的空间来分散和释放钝化层130沉积过程中内部产生残余应力，进一步提高了钝化层130与源极120之间结合稳本体100包括相对设置的第一表面和第二表面，半导体本体100还包括阱区10和第一区域面；源极120位于第一表面，其中，源极120远离漏极110一侧的第三表面设置有第一沟槽层130与源极120材料之间的结合力。并且利用第一沟槽121提供的空间来分散和释放钝化层130沉积过程中内部产生残余应力，进一步提高了钝化层130与源极120之间结合稳定性[0064]作为一种可选的实施例，图2为本发明实施例提供又一种半导体器件的结构示意9[0067]在第一表面沉积源极120时，至少部分源极120形成于第一绝缘层31远离漏极110到利用第一沟槽121增加钝化层130与源极120之间的接触面积的作用即可。源极沟槽30也[0069]作为一种可选的实施例，图3为本发明实施例提供又一种半导体器件的结构示意[0074]钝化层130远离漏极110的表面设置有第三沟槽131，第三沟槽131从钝化层130远[0075]具体的，钝化层130形成在源极120表面上，至少部分的钝化层130位于第一沟槽121内，钝化层130远离漏极110的表面相对应的位置，会具有凹槽形貌自然形成第三沟槽封装层160与钝化层130之间的结合力。并且利用第三沟槽131提供的空间来分散和释放形成封装层160过程中内部产生残余应力，进一步提高了封装层160与钝化层130之间结合稳定性和可靠性。第三沟槽131在漏极110上的正投影与源极沟槽30在漏极110上的正投影交[0077]本发明实施例技术方案提供的功率模块具有和本发明任意实施例半导体器件具[0079]本发明实施例技术方案提供的功率转换电路具有和本发明任意实施例半导体器[0081]本发明实施例在上述实施例的基础上提供了一种半导体器件的制备方法，图4是槽40和源极沟槽30均从第一表面延伸至半导体本极沟槽30可以为对称或非对称设置。在一些实施例中，半导体本体100还设置有第二区域[0095]具体的，钝化层130形成在源极120表面上，至少部分的钝化层130位于第一沟槽121内，钝化层130材料通过第一沟槽121与源极120接触，利用第一沟槽121增加了钝化层沟槽121从第三表面延伸至源极120中；在源极120远离漏极110的一侧形成钝化层130，其与源极120材料之间的结合力。并且利用第一沟槽121提供的空间来分散和释放钝化层130第三绝缘层140保护栅极沟槽40内的多晶硅，再继续回刻，使源极沟槽30内多晶硅全部去成于第一绝缘层31远离漏极110一侧的源极沟槽30内，源极120远离漏极110的表面相对应槽121在漏极110上的正投影与第二沟槽33内在漏极110上的正投影交叠，因此在制备工艺[0103]在源极120远离漏极110的一侧形成钝化层130时，钝化层130远离漏极110的表面[0105]具体的，钝化层130形成在源极120表面上，至少部分的钝化层130位于第一沟槽121内，钝化层130远离漏极110的表面相对应的位置，会具有凹槽形貌自然形成第三沟槽封装层160与钝化层130之间的结合力。并且利用第三沟槽131提供的空间来分散和释放形成封装层160过程中内部产生残余应力，进一步提高了封装层160与钝化层130之间结合稳定性和可靠性。第三沟槽131在漏极110上的正投影与源极沟槽30在漏极110上的正投影交[0106]本发明实施例以图2中的半导体器件结构为例介绍一种半导体器件的制备方法，[0114]其中，通过离子注入的方式在源极沟槽30源极沟槽30的侧壁和/或底部形成第二结构可以包括第一绝缘层31和沟槽源极32，第一绝缘层31设置在源极沟槽30的内壁和底[0121]具体的，钝化层130形成在源极120表面上，至少部分的钝化层130位于第一沟槽121内，钝化层130材料通过第一沟槽121与源极120接触，利用第一沟槽121增加了钝化层沟槽131增加了封装层160与钝化层130之间的接触面积，从而提高了封装层160与钝化层130之间的结合力。并且利用第三沟槽131提供的空间来分散和释放形成封装层160过程中沟槽131在漏极110上的正投影与源极沟槽30在漏极110上的正投影交叠，也就是说，源极以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；