CN119403201A 一种碳化硅表面改性欧姆接触结构、碳化硅半导体器件及其制备方法 （山东大学）_第1页
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本发明公开了一种碳化硅表面改性欧姆接在碳化硅表面利用低温退火形成第二次欧姆接2S3、在改性后的碳化硅上沉积导电金属，形成3.根据权利要求2所述的碳化硅表面改性欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，S1S5、在改性后的碳化硅上沉积导电金属成为电极3[0001]本发明涉及碳化硅半导体技术领域，尤其涉及一种碳化硅表面改性欧姆接触结被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技[0005]快速热退火（高温退火）工艺最大的优势在于温度的均匀性和工艺的稳定性。成的Ni2Si相与表面碳团簇去除获得改性后的碳化硅，在改性后的碳化硅表面沉积金属形4和沉积金属表层，所述改性碳化硅底层的内部存在碳空位；所述沉积金属表层的金属为钛5[0035]图8是实施例1的XPS测试结果图，其中a）是第一次欧姆接触前的XPS测试结果6液本身就可与Ni和Si反应使产物去除，78的方法在衬底表面和背面沉积一层厚度为100nm的镍金属薄膜，通过快速热退火工艺处理[0066]在S1步骤中形成第一次欧姆接触前对碳化硅进行C元素XPS测试，结果如图8中的方法在衬底表面和背面沉积一层厚度为100nm的镍金属薄膜，通过快速热退火工艺处理衬9[0079]之后对样品进行1.2J/cm2激光退火处理，过程中的实再腐蚀去除，之后氧化消除衬底表面的碳团簇的方法，而是使用RCA标准清洗法处理衬底[0083]分别检测实施例2中获得的MOSFET中获得的碳化硅表面改性和对比例1中RCA清洗

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