CN119403255A 固态摄像器件及其制造方法、摄像装置和电子设备 （索尼半导体解决方案公司）

201880068715.72018.10.16本发明涉及能够降低制造成本的背面照射2第一半导体元件，所述第一半导体元件包括被构造为以像第二半导体元件，在所述第二半导体元件中，通过嵌埋构件所述第一半导体元件和所述第二半导体元件通过氧化膜在所述第二半导体元件中，所述第一信号处理电路和所述第二所述信号处理电路包括第一信号处理电路和第二信号处所述固态摄像器件包括第三半导体元件，在所述第三半导体元件中，通过所述第一配线将所述第一半导体元件和所述第二半导体元件彼此所述第二半导体元件和所述第三半导体元件通过氧化膜8.一种背面照射型固态摄像器件的制造方法，所在所述第二晶圆中，再配置通过半导体工艺形成的所述信号10.一种电子设备，其包括根据权利要求1_7中任一项所述的背面照射型固态摄像器3[0003]固态摄像器件以高清、4k×2k超级高清和超慢动作功能[0006]如果以较少的连接端子数量进行高速传输，则每一个连接端子的信号速率会变像元件和诸如信号处理电路或存储电路之类的4述第二半导体元件中，通过嵌埋构件嵌埋所述像素信号的信号处理所需的信号处理电路；[0025]所述背面照射型固态摄像器件可以被构造为使得所述信号处理电路包括第一信[0026]所述背面照射型固态摄像器件可以被构造为使得所述信号处理电路包括第一信[0030]所述配线可以经由从所述摄像元件的摄像表面的相反侧的表面形成的通孔电气5[0040]在所述信号处理电路在其一部分处以定位状态与所述第一半导体元件接触并且[0043]在所述信号处理电路在其一部分处以定位状态与所述第二半导体元件接触并且[0045]本发明的一个方面的固态摄像器件的制造方法是背面照射型固态摄像器件的制6理所需的信号处理电路，所述第一半导体元件和所述第二半导体元件通过配线电气连接，并且所述第一半导体元件和所述第二半导体元件通过氧化膜接7[0099]图49是示出了作为应用本发明的摄像装置的构造的电子设备的摄像装置的构造8存储电路12的晶圆W2和形成有多个逻辑电路13的晶圆W3以它们相对于彼此精确地定位的[0128]图2的固态摄像器件1被构造为使得片上透镜和片上滤色器10、固态摄像元件11、21_1和用于将存储电路12和逻辑电路13电气连接的配且在图2中，由于它们参照需要最大面积的固态摄像元件11被堆叠，因此出现了空间Z1和9且减小晶圆之间的理论产量差异和降低芯片良品[0145]图4是图示了通过在制造本发明的固态摄像器件时应用的WoW技术堆叠多个晶圆[0148]在晶圆102上再配置有在通过半导体工艺在晶圆103上形成存储电路121并对存储电路121进行单片化之后分别被进行电气[0149]在晶圆102上再配置有在通过半导体工艺在晶圆104上形成逻辑电路122并对逻辑电路122进行单片化之后分别被进行电气检查且[0156]形成有存储电路121和逻辑电路122的半导体元件层E2中的存储电路121和逻辑电通过氧化膜接合而将存储电路121和逻辑电路122的半导体元件层E2与支撑基板132接合在以使从上方观察时二者被布置在固态摄像元件120的范围内的方式被精致地调整并再配和逻辑电路122再配置并固定在再配置基板1[0162]在第二步骤中，如图6的侧视截面图6B所示，将侧视截面图6A中所示的存储电路层135并且氧化膜接合层135通过氧化膜接合被接合，支撑基板161通过形成在其上的氧化路121的端子121a和逻辑电路122的端子122a的配线134以及来自晶圆101的固态摄像元件120的端子120a的配线134以彼此适当得来自晶圆102的存储电路121的端子121a和逻辑电路122的端子122a的配线134以及来自102的存储电路121和逻辑电路122被置于与晶圆101的各个固态摄像元件120电气连接的状[0173]通过如上所述的这种步骤，制造了包括形成有固态摄像元件120的第一层以及形成有存储电路121和逻辑电路122的第二层间的电路连接能够利用与WoW中相同的半导体光刻技术而通过以细微配线的配线密度形成有难以在同一晶圆中制造由与诸如电源IC和时钟电路之类的模拟电路及逻辑电路122完全件120的电路的示例，但是除存储电路121和逻辑电路122之外的任意信号处理电路都可以如是与固态摄像元件120的控制有关的电路或与捕获的像素信号的处理有关的电路。固态[0181]尽管前面给出了具有堆叠有形成有固态摄像元件120的层以及再配置有存储电路[0182]图10是图示了通过在制造本发明的三层结构的固态摄像器件时应用的WoW技术而[0185]在晶圆201上，选择并再配置有在通过半导体工艺在晶圆103上形成存储电路121并对存储电路121进行单片化之后分别被进行电气检查且被确认为良品芯片的多个存储电[0186]在晶圆202上，选择并再配置有在通过半导体工艺在晶圆104上形成逻辑电路122并对逻辑电路122进行单片化之后分别被进行电气检查且被确认为良品芯片的多个逻辑电[0188]本发明的固态摄像器件是通过对如图10所示的通过WoW技术堆叠的这种晶圆进行[0190]固态摄像元件120的端子120a通过配线134_1电气连接到存储电路121的端子[0191]同时，存储电路121的端子121a_2通过配线134_2电气连接到逻辑电路122的端子嵌埋在氧化膜133中的方式形成有存储电路121的半导体元件层E12之间的边界上，形成有关系形成在氧化膜133中的半导体元件层E12与逻辑电路122以嵌埋关系形成在氧化膜133件120低的层中的大致中央位置处，并且逻辑电路122被布置在比存储电路121低的层中的和图13中的侧视截面图12A至12F示出了固态摄像器件1的部分类似于在通过图6的侧视截面图6A到图8的侧视截面图6H的步骤仅形成逻辑电路122122之间的电路连接能够利用与WoW中相同的半导体光刻技术而通过以细微配线的配线密[0211]尽管前面给出了固态摄像元件120大于存储电路121和逻辑电路122两者的情况的[0212]图14示出了在固态摄像元件120小于存储电路121但大于逻辑电路122的情况下的在支撑基板132上设置形成有存储电路121和逻辑电路122的层，并且在端子121a和122a处括形成在晶圆102上的存储电路121和逻辑电路和图16的侧视截面图15A至15F示出了固态摄像器件16A到图9的侧视截面图6H的步骤在支撑基板132上形成存储电路121和逻辑电路122的情况置在涂抹有粘合剂212的再配置基板211上，使得固态摄像元件120的摄像表面侧与再配置122之间的电路连接能够利用与WoW中相同的半导体光刻技术而通过以细微配线的配线密[0229]<在固态摄像元件小于存储电路和逻辑电路的情况下的三层结构的固态摄像器件[0230]尽管前面的描述针对在固态摄像元件120小于存储电路121但大于逻辑电路122的[0231]图17示出了在固态摄像元件120小于存储电路121但大于逻辑电路122的情况下的态摄像元件120通过氧化膜接合层135被氧化膜结合的方式形成固态摄像元件120，并且在[0233]此外，固态摄像元件120的端子120a和存储电路121的端子121a_1通过配线134_1[0236]作为图17中的固态摄像器件111的制造方法，只要通过图6的侧视截面图6A到图8122之间的电路连接能够利用与WoW中相同的半导体光刻技术而通过以细微配线的配线密[0241]<在存储电路和逻辑电路直接形成在固态摄像元件的晶圆上的情况下的固态摄像上的固态摄像元件120上直接形成已经被单片化并且被确认为良品芯片的存储电路121和[0243]图18是图示了在晶圆101上的固态摄像元件120上直接形成已经被单片化并且被确认为良品芯片的存储电路121和逻辑电路122的固态摄像器件外，在通过半导体工艺在晶圆103上形成存储电路121并将存储电路121单片化之后进行电气检查并且通过电气检查被确认为良品芯片的多个存储电路121以及在通过半导体工艺在晶圆104上形成逻辑电路122并将逻辑电路122单片化之后进行电气检查并且通过电气检查被确认为良品芯片的多个逻辑电路122被选择并再配置在晶圆101上形成的固态摄像元件态摄像元件120上，因此这里的存储电路121和逻辑电路122被构造为小于固态摄像元件直接形成在晶圆101上的固态摄像元件120上的情况下具有两层构造的固态摄像器件111的视截面图19A至19E示出了固态摄像器件111的侧视来自存储电路121的端子121a和逻辑电路122的端子122a的配线134以及来自晶圆101的固态摄像元件120的端子120a的配线134以彼此适当的相对关系被定位并且通过CuCu接合而的作用的氧化膜133，使得包括再配置的存储电路121和逻辑电路122的芯片被嵌埋在氧化通过氧化膜接合而接合在一起以形成氧化膜接合化的存储电路121或逻辑电路122的一部分(诸如端边或端点)相对于固态摄像元件120确定[0254]在存储电路121或逻辑电路122的诸如端边或端点之类的部分以高精度定位并且与固态摄像元件120接触之后，存储电路121或逻辑电路122从靠近接触部分的部分开始逐[0255]此外，由于在存储电路121或逻辑电路122的部分与固态摄像元件120以此定位的第一步骤中，在存储电路121或逻辑电路122的部分与固态摄像元件120以定位状态接触之将存储电路121和逻辑电路122嵌埋在包括氧化膜133的绝缘膜中，并且在平坦化的最上表[0258]通过如上所述的这种制造步骤，制造了包括形成有固态摄像元件120的第一层以及形成有存储电路121和逻辑电路122的第二层的的状态将存储电路121和逻辑电路122再配置在固态摄像元件120上，因此能够提高存储电路121和逻辑电路122相对于固态摄像元件120的[0261]<在存储电路和逻辑电路直接形成在固态摄像元件的晶圆上的情况下的固态摄像[0262]尽管上述的固态摄像装置被构造为使得存储电路121和逻辑电路122被嵌埋在包图19的侧视截面图19B所示的这种构造，但是可以涂抹或层压高耐热性树脂来代替氧化膜[0264]如图23的下部所示，通过在高耐热性树脂251保持为涂抹状态或层压状态的状态下接合支撑基板132，可以在不将存储电路121和逻辑电路122的上表面部分处的硅层减薄的聚酰亚胺基膜或聚酰胺基膜优选用作包括有机膜的高耐热[0267]<在形成有固态摄像元件的晶圆上以多层形成存储电路和逻辑电路的情况下的固[0269]图24是图示了通过应用于固态摄像器件的WoW技术而构造的晶圆的堆叠结构的认为良品芯片的存储电路121和逻辑电路122来制造121和逻辑电路122表示再构成存储电路121和逻辑电路122的面与晶圆[0272]通过如图24中所示的WoW技术堆叠的这种晶圆被单片化以形成本发明的固态摄像其包括形成在晶圆102上的第二层的存储电路121_12和逻辑电路12[0275]固态摄像元件120的端子120a通过借助CuCu连接而连接的配线134_11电气连接到半导体元件层E32的存储电路121_11的端子121a_11和逻辑电路122_11的端子122a_11。此外，半导体元件层E32的存储电路121_11的端子121a_11和逻辑电路122_11的端子122a_11通过借助CuCu连接而连接的配线134_12电气连接到半导体元件层E33的存储电路121_12的端子121a_12和逻辑电路122_12的端子122a[0276]在固态摄像元件120、半导体元件层E32和E33的存储电路121_11和121_12及逻辑有固态摄像元件120的半导体元件层E31与其中形成有存储电路121_11和逻辑电路122_11并且存储电路121_11和逻辑电路122_11嵌埋在氧化膜133中的半导体元件层E32之间的边有存储电路121_11和逻辑电路122_11并且存储电路121_11和逻辑电路122_11嵌埋在氧化膜133中的半导体元件层E32与其中形成有存储电路121_12和逻辑电路122_12并且存储电存储电路121_12和逻辑电路122_12并且存储电路121_12和逻辑电路122_12嵌埋在氧化膜至图28的侧视截面图26A至26G示出了固态摄像器件11进行电气检查之后，将被确认为良品的存储电路121和逻辑电路122形成为如图5的下段所电路121_11的端子121a_11和逻辑电路122_11的端子122a_11的配线134_11以及来自晶圆们通过CuCu接合而彼此连接，并且相对的层通过由氧化膜接合形成的氧化膜接合层135而11和逻辑电路122_11的端子122a_11[0281]在第三步骤中，如图26的侧视截面图26C所示，针对配线134_12形成用于连接的存储电路121_12的端子121a_12和逻辑电路122_12的端子12[0283]在第五步骤中，如图27的侧视截面图26E所示，将支撑基板132接合到存储电路[0287]需要注意，尽管前面的描述针对存储电路121和逻辑电路1但是可以通过使用类似的方法另外将存储电路121和逻辑电路122堆叠[0291]图29示出了在由左上段的固态摄像器件111的方框Z11表示的范围内的固态摄像元件120和逻辑电路122的端子120a和122a彼此连接的情况下的连接例29[0292]在连接例29A中，逻辑电路122的端子122a和固态摄像元件120的端子120a在图中的水平方向上被布置在同一位置处，并且逻辑电路122的端子122a在图中的垂直方向上以器件111的背面侧(图中的下侧)延伸穿过端子122a和120a，并且在每个通孔中形成配线[0293]在连接例29B中，逻辑电路122的端子122a和固态摄像元件120的端子120a在图中的水平方向上被布置为彼此偏移的关系，同时逻辑电路122的端子122a在图中的垂直方向[0294]在连接例29C中，逻辑电路122的端子122a和固态摄像元件120的端子120a在图中的水平方向上被布置在同一位置处，同时逻辑电路122的端子122a在图中的垂直方向上以从固态摄像器件111的背面侧(图中的下侧)延伸穿过端子122a和120a，并且在通孔中形成[0295]在连接例29D中，逻辑电路122的端子122a和固态摄像元件120的端子120a在图中的水平方向上被布置为彼此偏移的关系，同时逻辑电路122的端子122a在图中的垂直方向过孔从固态摄像器件111的背面侧(图中的下侧)彼此独立地延伸穿过端子122a和120a，而的存储电路121和逻辑电路122再配置在与晶圆102对应的再配置基板151上。再配置基板151上涂抹有粘合剂152，并且通过粘合剂152将存储电路121和逻辑电路122再配置并固定如端面或端点之类的部分与固态摄像元件120接触之后，存储电路121或逻辑电路122的其示的存储电路121和逻辑电路122的上表面成为下部，并且在固态摄像元件120上形成氧化于图中的上表面部分处的硅层减薄到对器件的性能[0302]在第五步骤中，如图31的侧视截面图30E所示，形成起到绝缘膜的作用的氧化膜建立固态摄像元件120与存储电路121和逻辑电路122彼此电气连接的状态，从而制造了固路122之间的电路连接能够利用与WoW中相同的半导体光刻技术而通过以细微配线的配线[0310]尽管前面的描述针对从固态摄像器件111的背面侧(与摄像表面相反的一侧)形成[0311]图33示出了在由左上段的固态摄像器件111的方框Z21表示的范围内的固态摄像元件120和逻辑电路122的端子120a和122a彼此连接的情况下的连接例33[0312]在连接例33A中，逻辑电路122的端子122a和固态摄像元件120的端子120a在图中的水平方向上被布置在同一位置处，并且逻辑电路122的端子122a在图中的垂直方向上以从固态摄像器件111的正面侧(图中的上侧)延伸穿过端子122a和120a，并且在通孔中形成[0313]在连接例33B中，逻辑电路122的端子122a和固态摄像元件120的端子120a在图中的水平方向上被布置为彼此偏移的关系，并且逻辑电路122的端子122a在图中的垂直方向摄像器件111的正面侧(图中的上侧)彼此独立地延伸穿过端子122a和120a，而且在通孔中[0314]在连接例33C中，逻辑电路122的端子122a和固态摄像元件120的端子120a在图中的水平方向上被布置在同一位置处，并且逻辑电路122的端子122a在图中的垂直方向上以以刺穿状态从固态摄像器件111的正面侧(图中的上侧)延伸穿过端子122a和120a，并且在[0315]在连接例33D中，逻辑电路122的端子122a和固态摄像元件120的端子120a在图中的水平方向上被布置为彼此偏移的关系，并且逻辑电路122的端子122a在图中的垂直方向通孔从固态摄像器件111的正面侧(图中的上侧)彼此独立地延伸穿过端子122a和120a，而的存储电路121和逻辑电路122再配置在与晶圆102对应的再配置基板151上。再配置基板151上涂抹有粘合剂152，并且通过粘合剂152将存储电路121和逻辑电路122再配置并固定如端面或端点之类的部分与固态摄像元件120接触之后，存储电路121或逻辑电路122的其示的存储电路121和逻辑电路122的上表面现在成为下表面，并且在固态摄像元件120上形于图中的上表面部分处的硅层减薄到对器件的性能[0323]在第五步骤中，如图35的侧视截面图34E所示，形成起到绝缘膜的作用的氧化膜[0327]通过如上所述的这种步骤，通过从正面侧(摄像表面侧)形成的通孔来形成配线路122之间的电路连接能够利用与WoW中相同的半导体光刻技术而通过以细微配线的配线[0332]固态摄像元件120、存储电路121和逻辑电路122之间的电气连接可以与图29和图使得它们彼此粘贴在第二半导体基板322和第三半导体基板323之间焊盘342连接的焊盘341往来于通过焊盘孔350连接的外部装置输入间的电气连接的触点351以及用于第二半导体基板322和第三半导体基板323之间的电气连[0341]如图38所示，第一半导体基板321的多层配线层331可以朝向第二半导体基板322侧(图中的上侧)，使得多层配线层331和33间的电气连接的触点361以及用于第二半导体基板322和第三半导体基板323之间的电气连[0344]在图38的构造的情况下，不同于图37的情况，触点362延伸穿过第一半导体基板321和第二半导体基板322到达第三半导半导体基板322的绝缘膜层371朝向第三第二半导体基板322之间的电气连351以及用于第二半导体基板322和第三半导体基板323350从第一半导体基板321的背面侧(光接收表面侧)缘膜层372连接到第二半导体基板322的多层配线[0357]触点381和382中的各者是通过设置穿过第二半导体基板322延伸到第三半导体基中的各者被构造为仅通过设置一个通孔来连接第二半导体基板322的多层配线层332和第以用于第一半导体基板321和第二半导体基板322之间的电气连接或用于第二半导体基板342被形成在第一半导体基板321的多层配板322彼此粘贴，使得第二半导体基板322的多层配线层332朝向第三半导体基板323侧(图[0366]简而言之，在图41的构造的情况下，对于第二半导体基板322和第三半导体基板[0375]固态摄像元件120中产生的热量响应于材料的热导率而移动。由于空气的热导率构造中，由固态摄像元件120产生的热量如箭头标记所示地向氧化膜133和逻辑电路122以电路121)连接的区域和覆盖有氧化膜133的另一区域之间的热逻辑电路122(或存储电路121)的散热[0379]因此，如图43的侧视截面图43B所示，可以在氧化膜133的没有形成逻辑电路122(或存储电路121)的区域中设置包含硅的虚设电路441，该虚设电路441类似于构成逻辑电确定为良品的那些逻辑电路122被再配置在[0381]因此，在晶圆451上，虚设电路441预先在晶圆451上的逻辑电路122(或存储电路导体工艺形成有固态摄像元件120的晶圆101被定位并堆叠在晶圆451上之后，进行单片化[0383]尽管前面的描述针对代替逻辑电路122或存储电路121周围的氧化膜133而布置虚[0387]尽管前面的描述针对代替逻辑电路122或存储电路121周围的氧化膜133而设置包[0388]图46示出了高热导率材料被粘贴到支撑基板132的背侧的固态摄像器件111的构[0390]在高热导率材料构件471被粘贴到支撑基板132的背侧的情况下，当WoW技术用于[0394]尽管前面的描述针对将高热导率材料构件471粘贴到支撑基板132的背侧以提高散热效率的示例，但是还可以通过在高热导率材料构件471中设置用于使冷却水循环的水[0395]图47示出了形成有水冷型的散热机构以进一步提高散热效率的固态摄像器件111成为相对于待堆叠的晶圆101和201的固态摄像元件120和逻辑电路122被定位的状态将待[0400]尽管如图48的左上部所示前面的描述针对形成有间隙的区域被存储电路121和逻响应于通过光学系统502和快门装置503而在固态摄像元件504的光接收表面上成像的光而[0411]驱动电路505输出用于控制固态摄像元件504的传输操作和快门装置503的快门操信号处理电路506进行的信号处理而获得的图像(图像数据)被供应给监视器507并且在监[0413]此外，在以这种方式构造的摄像装置501中，通过将上文中描述的固态摄像器件111应用于光学系统502和固态摄像元件504，能够提高良品率并且能够降低制造所需的成等[0427]图51是示出了能够应用根据本发明的实施例的技术(本技术)的内窥镜手术系统[0428]在图51中，图示了外科医生(医师)11131正在使用内窥镜手术系统11000对病床内窥镜11100，使得光源装置11203产生的光通过在镜筒11101的内部延伸的光导件被引入[0431]光学系统和摄像元件被设置在摄像头11102的内部，使得来自观察目标的反射光对应的电信号，即，与观察图像对应的图像信号。该图像信号作为RAW数据被传输到CCU[0432]CCU11201包括中央处理单元(CPU)或图形处理单元(GPU)等，并且整体地控[0435]输入装置11204是内窥镜手术系统11000的输入接口。用户能够通过输入装置[0436]治疗工具控制装置11205控制用于组织的烧灼或切开、血管的闭合等的能量装置并且以与照射时序同步的方式控制摄像头11102的摄像元件的驱动，那么也能够以时分的[0438]此外，可以控制光源装置11203，使得针对每个预定时间来改变待输出的光的强度。通过以与光的强度变化的时序同步的方式控制摄像头11102的摄像元件的驱动以便以进行来自身体组织的荧光的观察(自发荧光观察)的试剂局部地注入到人体组织中并在该人体组织上照射与该试剂的荧光波长对应的激发光来获得荧光图像。光源装置11203能够被构造为供应适合于如上所述的特殊光观察的这[0441]摄像头11102包括透镜单元11401、摄像单元11402、驱动单元11403、通信单元[0445]驱动单元11403包括致动器，并且在摄像头控制单元11405的控制下，驱动单元11404通过传输电缆11400将从摄像单元11402获取的图像信号作为RAW数据传输到CCU或者可以由CCU11201的控制单元11413基于获取的图像信号而自动设定。在后一种情况[0449]摄像头控制单元11405基于通过通信单元11404接收自CCU11201的控制信号来控元11411通过传输电缆11400接收从摄像头11102传输过[0451]此外，通信单元11411将用于控制摄像头11102的驱动的控制信号传输到摄像头[0452]图像处理单元11412对从摄像头11102传输过来的RAW数据形式的图像信号进行各[0453]控制单元11413执行与通过内窥镜11100对手术区域等进行摄像和通过对手术区拍摄图像时，控制单元11413可以使用识别结果使各种手术支持信息以与手术区域的图像重叠的方式显示。在以重叠方式显示手术支持信息并且将手术支持信息提供给外科医生11131的情况下，能够减轻外科医生11131的负担，并且外科医生11131能够确定地进行手[0455]将摄像头11102和CCU11201彼此连接的传输电缆11400是为电信号的通信准备的是可以通过无线通信进行摄像头11102和CCU1技术能够应用于上文中描述的部件之中的内窥镜11100和摄像头11102(的摄像单元11402)用于内窥镜11100或摄像头11102(的摄像单元11402)等，可以提高良品率并且可以降低制[0461]图53是示出了作为能够应用根据本发明实施例的技术的移动体控制系统的示例53所示的示例中，车辆控制系统12000包括驱动系统控制单元12010、车身系统控制单元微型计算机12051、声音/图像输出部12052和车载网络接口(I/F)12053图示为集成控制单[0463]驱动系统控制单元12010根据各种程序控制与车辆的驱动系统有关的装置的操[0464]车身系统控制单元12020根据各种程序控制设置到车体上的各种装置的操作。例钥匙的移动装置传输的无线电波或各种开关的信号能够输入到车身系统控制单元12020。[0465]车外信息检测单元12030检测包括车辆控制系统12000的[0466]摄像部12031是光学传感器，其接收光并且输出与接收到的光的光量对应的电信号。摄像部12031能够将电信号作为图像输出，或者能够将电信号作为有关测距的信息输元12040可以计算驾驶员的疲劳程度或驾驶员的专注程度，或者可以判断驾驶员是否正在[0468]微型计算机12051能够基于车外信息检测单元12030或车内信息检测单元12040获旨在实现高级驾驶员辅助系统(ADAS：AdvancedDriverAssistanceSystem)的功能的协不依赖于驾驶员的操作而使车辆自主行驶的自动驾驶等息而将控制命令输出到车身系统控制单元12020。例如，根据例如由车外信息检测单元[0471]声音/图像输出部12052将声音和图像中的至少一者的输后保险杠和后门的位置处以及车内挡风玻璃的上部的位置处。设置到前鼻的摄像部12101镜的摄像部12102和12103主要获得车辆12100侧面的图像。设置到后保险杠或后门的摄像部12104主要获得车辆12100后方的图像。设置到车内挡风玻璃的上部的摄像部12105主要示设置到前鼻的摄像部12101的摄像范围。摄像范围12112和12113分别表示设置到侧视镜的摄像部12102和12103的摄像范围。摄像范围12114表示设置到后保险杠或后门的摄像部[0477]例如，微型计算机12051能够基于从摄像部12101至12104获得的距离信息来确定与摄像范围12111至12114内的各个三维物体之间的距离以及该距离的时间变化(相对于车地存在于车辆12100的行驶路径上并且以预定速度(例如，等于或大于0km/h)在与车辆[0478]例如，微型计算机12051能够基于从摄像部12101至12104获得的距离信息将三维此存在碰撞可能性的情况下，微型计算机12051经由音频扬声器12061或显示部12062向驾驶员输出警告，并且经由驱动系统控制单元12010进行强制减速或规避转向。微型计算机机12051能够例如通过判断摄像部12101至12104的拍摄图像中是否存在行人来识别行人。配处理来判断是否是行人的过程。当微型计算机12051确定摄像部12101至12104的拍摄图[0530]在所述信号处理电路在其一部分处以定位状态与所述第一半导体元件接触并且[0536]在所述信号处理电路在其一部分处以定位状态与所述第二半导体元件接触并且[0544]以使所述第一半导体元件和所述第二半导体元件之间的所述配线电气连接的方