CN119403258A 背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器 （合肥晶合集成电路股份有限公司）

背照式图像传感器制备方法及背照式图像本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器，涉及集成电路技术领顶面包括沿平行于衬底第一顶面的第一方向交光叠层包括沿背离衬底的第二方向交替层叠的感光叠层包括沿第二方向交替层叠的至少两层2提供包括第一顶面的衬底，所述第一顶面包括沿平行于所述第一顶于多个所述第一感光叠层的正上方形成多个第二感光叠层的于多个所述第二隔离叠层的正上方形成多个格栅叠层后，于所述第一半导体层顶面形成第二初始半导体层后二初始半导体层之间形成介电层，所述介电层的顶面齐平于所述第二初始半导体层的顶采用第一次固相扩散工艺对所述第二初始半导体层顶部进行掺杂处理采用选择性外延沉积工艺于所述第三半导体层的顶面生长第于所述第一凹槽的内表面生长隔离膜层后，于所述第一凹采用第二次固相扩散工艺对所述第四初始半导体层顶部进行掺杂处理4.根据权利要求2所述背照式图像传感器制备方法，其特征3所述多个第一隔离结构位于多个所述第一隔离叠层的叠层包括沿背离所述衬底的第二方向交替层叠的至少三层多个所述第一感光叠层的正上方包括多个第二感光叠上方包括多个第二隔离叠层；所述第二感光叠层的平行于所述第二方向的截面呈倒梯形；多个所述第二隔离叠层的正上方包括多个格栅叠层所述第一感光叠层包括沿所述第二方向依次层叠的第一半导体所述第二隔离叠层包括介质层及位于所述介质层的外侧壁及底面的4足实际需求，因此，如何提高BSI图像传感器的感光性能成为当前急需解决的技术问题之叠层的正上方形成多个第二隔离叠层；第二感光叠层的平行于第二方向的截面呈倒梯形；于第二方向的截面呈倒梯形；第二感光叠层包括沿第二方向交替层叠的至少两层子感光结可以有效地提高隔离墙的隔离效果，避免被隔离墙隔开的感光叠层之间产生信号串扰，5行于第二方向的截面呈倒梯形；沿第一方向相邻的第四初始半导体层之间包括第一凹槽；[0021]在其中一个实施例中，第二感光叠层包括沿第二方向依次层叠的第四半导体层、6[0022]本公开实施例中背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器包括如下意想[0026]图2为一实施例中提供的背照式图像传感器制备方法中步骤S10中提供衬底的纵[0031]图7为一实施例中提供的背照式图像传感器制备方法中步骤S20中形成第二隔离[0032]图8为一实施例中提供的背照式图像传感器制备方法中步骤S20中形成第二感光[0033]图9为一实施例中提供的背照式图像传感器制备方法中步骤7第一掺杂类型可以为P型且第二掺杂类型可以为N型，或第一掺杂类型可以为N型且第二掺[0041]这里参考作为本公开的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发83N4[0052]当然本实施例仅仅表示了其中一种方式，只要能保证金属互联结构合理形成即9不限于干法刻蚀工艺及/或湿法刻蚀工艺。干法刻蚀工艺可以包括但不限于RIE及ICP等中导体层123的顶面生长第四初始半导体层1311；第四初始半导体层1311的平行于第二方向开实施例中可以采用选择性外延沉积工艺结合离子扩散处理工艺，得到第一感光叠层12、[0078]示例地，请继续参考图9，由于沿第二方向例如oz方向依次层叠的第一半导体层步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流