财通证券-建筑装饰行业洁净室专题(二)：从存储研判洁净室远期空间-260818

行业专题报告/行业专题报告/存储行业高景下，DRAM及NAND市场规模快速扩张 4存储芯片将由期整偏紧转向远期结构紧缺 8需求侧来看，AI基设施扩张与升级推需增长 8供给端来看，综合存储厂商的产能配向DRAM倾斜 10DRAM新增产能于2028—2029集中释放，HBM或挤压普通DRAM供给 NAND投片产能短小幅下降，2027年起进入产能爬坡释放期 14工艺升级推动新建能单位投片产能投额加 16供需格局：存储市短期仍将维持供给紧 16远期来看，洁室的量在何处 19需求侧带动量增：AI服务器持续高景气撑期核心部件扩产需求 19先进封装技术升级动先进逻辑、HBM和高等级洁净空间 20价值量提升：工艺级下单位投资额有提升 22风险提示 24图表目录图1:存储芯片可分易性存储器和非易失存器 4图2:DRAM、NANDFlash下游应用 6图3:2025年DRAM、NAND是独立式存储市场体 6图4:2026年DRAM与NAND收入合计8893亿美元 6图5:2026Q1DRAM前三大厂商收入份额合达89% 7图6:2026Q1NAND市场形成六家头部厂商争局 7图7:2026Q1SK海力士占HBM市场收入份额的58% 7图8:服务器驱动DRAM需求持续增长（MGB） 8图9:服务器DRAM需求占比持续提高 8图10:AI服务器通过多颗GPU协同提供算力 9图AI服务器出货量速快于整体服务器同） 9图12:2028年HBM需求量将增至2025年的约3.8倍 9图13:AI推理驱动数据心NAND需求快速增长 10图14:DRAM投片产能预计于2028—2029年加速增长 13图15:HBM投片占比持高于存储容量占比 14图16:存储芯片设备投额随工艺升级增加 16行业专题报告/图17:2026年DRAM主要厂商实际投片量比长5.9%（万片年） 行业专题报告/图18:DRAM供需增速阶段性错配 18图19:2025年AI服务器出货量达209万台同比+24% 19图20:AI服务器价值构成 20图21:超级芯片厂效果图 22图22:芯片工艺升级需控制更多种类的空分污染物 23表1:存储芯片不同类有侧重 5表2:自2025Q4，DRAM和NAND价格快速上环比） 7表3:随代际架构升级，AI服务器HBM容量持续升 9表4:DRAM产能高度中于头部厂商 表5:DRAM2027-2030年新增产能统计 12表6:HBM产能2026年预计同比增长29.0% 13表7:各厂商正积极进HBM先进封装产能建设 14表8:2026年NAND投片产能小幅下降 15表9:NAND2027-2030年新增产能统计 15表10:DRAM、HBM及NAND短期供给均紧 19表英伟达DGX系列AI服务器配置 20表12:2026-2030年预计GPU及配套HBM增加2348万颗 20表13:玻璃基板已有众产能规划 21表14:DRAM工艺升级对微小颗粒控制提出高求 23表15:洁净室单位造价洁净等级提高而上升 23行业专题报告行业专题报告/存储行业高景气下，DRAMNAND市场规模快速扩张GPUAI相关（一外半存储芯片类型多样，不同产品各有侧重。按照断电后数据能否保留，存储芯片可分为易失性存储器和非易失性存储器。DRAMSRAMDDoueDaaRae、D（werDobeDaaRae、R（GahcsDobeDaaRae）和HBM（ghBandwidth通常集成在CPUGPUFlash为主。（20ah99ahNANDFlash和NORFlash：1）NANDFlash2）NORFlash图1:存储芯片可分为易失性存储器和非易失性存储器（2，IE行业专题报告/表1:行业专题报告/名称描述类型速度存储密度典型功能定位SRAM数据以数字触发器的状态保存，只要持续供电即可保持，无需刷新易失性读写最快低在CPU与主存之间充当高速缓冲区，暂存处理器频繁访问的数据DRAM数据以电荷形式保存在电容中；电荷会逐渐泄漏，因此必须持续刷新易失性读写较快较高作为CPU运行程序时的主要工作区NANDFlash通过俘获电荷保存数据，断电后仍可长期保留；存储单元采用串联结构非易失性顺序读写较快，随机读取较慢最高长期数据存储NORFlash与NAND采用类似的电荷存储机制，但存储单元采用并联结构非易失性随机读取较快，写入及擦除较慢NAND保存需要快速调用的启动代码及固件MicronDRAMNANDPCPCAINANDSSDNANDSSDAISSDPC的SSDNANDUFSeMMC：UFSeMMC在同一计算系统中，DRAM主要承担高速数据访问和临时存储，NAND主要承担大容量持久化存储，二者共同构成服务器及智能终端的核心存储体系。图2:DRAM、NANDFlash下游应用Samsung，MirconDRAMNAND（2024）DRAMNAND202564.5%32.5%97%年全球DRAMNAND1536亿+60.2%+8.4%2026DRAMNAND别同比+302.8%、+280.6%61872706图3:2025年DRAM、NAND是独立式存储市场体 图4:2026年DRAM与NAND收入合计8893亿美元NAND,32.5%

其他,3.0%

DRAM,64.5%

14000120001000080006000400020000

2023 2024 2025 2026E

350%300%250%200%150%100%50%0%-50%-100%行业专题报告行业专题报告/DRAM（亿美元） NANDFlash（亿美元）DRAMYoY NANDYoY团 TrendForceDRAMNAND4Q25+33%—38%AI服务器带动HBMDDR等DRAM产NANDPC2026年，AISSDNAND1Q26DRAMNAND+80%—85%表2:自2025Q4，DRAM和NAND价格快速上涨（环比）QoQ2025Q12025Q22025Q32025Q42026Q12026Q2EDRAM（不含HBM）-8%~-13%+5%~+10%+10%~+15%+45%~+50%+90%~+95%+58%~+63%DRAM（含HBM）-0%~-5%+5%~+10%+15%~+20%+50%~+55%+80%~+85%--NANDFlash-15%~-20%+3%~+8%+3%~+8%+33%~+38%+85%~+90%+70%~+75%TrendForceDRAMCounterpointResearch2026Q1全球DRAMSK38%、29%22%，CR389%DRAMSK58%图5:2026Q1DRAM前三大商收入份额合计达89% 图6:2026Q1NAND市场形成六家头部厂商竞争格局8%,长鑫存储南亚科,2%其他,1%8%,

长江存储,13%

三星,29%美光,22%

三星,38%

闪迪,13%美光,13%SK海力士,29%

铠侠,14%

SK海力士,18%CounterpointResearch CounterpointResearch图7:2026Q1SK海力士占HBM市场收入份额的58%美光,21%三星,21%

SK海力士,58%行业专题报告行业专题报告/CounterpointResearch存储芯片将由近期整体偏紧转向远期结构性紧缺需求侧来看，AI基础设施扩张与升级推动需求增长存储芯片终端需求主要为服务器、移动设备、PC、智能汽车等，终端市场的发展及其存储配置变化共同影响行业需求规模。DRAMDRAM据Omdia2025DRAM40157MGB1995B49.7200M9718B，2025—2030CAGR19.4%69340MGB，CAGR为28.3%86.2%图8:服务器驱动DRAM需求持续增长（MGB） 图9:服务器DRAM需求占比续提高120,000100,00080,00060,00040,00020,000

39.8%

27.8%

19.2% 17.6%

45.0%40.0%35.0%25.0%20.0%15.5.0%10.0%5.0%

80.0%60.3%64.4%60.3%64.4%66.8%69.1%71.2%49.7%60.0%50.0%40.0%30.0%20.0%02025 2026E 2027E 2028E 2029E 服务器 移动设备 个人电脑智能汽车 其他 YoY

0.0%

10.0%0.0%

2025 2026E 2027E 2028E 2029E 2030E服务器 移动设备 个人电脑 智能汽车 其他行业专题报告行业专题报告/Omdia，鑫技股明书 Omdia，鑫技股明书DRAMAI服务器使用的DRAM包括DDR和CPU2）HBMAIGPU、ASICNVIDIADGXH1008H10080GBHBM640GBAIHBMDGXB300HBMDGXH1003.6倍。图10:AI服务器通过多颗GPU协同提供算力VASTData，NVIDIA表3:随代际/架构升级，AI服务器HBM容量持续提升AI服务器单台搭载GPU单颗HBM容量（GB）整机HBM容量（GB）DGXH1008颗H10080640DGXH2008颗H2001411128DGXB2008颗B2001801440DGXB3008颗B3002882304NVIDIAAIHBMAITrendForce年AI+17%AIHBMHBMBristlemoonCapital数20252594MGB2028年CAGR55.7%2026年—2028+73.5%+61.0%和规模保持较快增长。图11:AI服务器出货量增速快整体服务器（同比） 图12:2028年HBM需求量将至2025年的约3.8倍50%40%30%20%10%0%-10%

-6%

46%35%31%24%2%35%31%24%2%17%202320248%20252026E

0

需求量（MGB） 92.4%73.5%61.0%

100.0%80.0%60.0%40.0%35.0%20.0%0.0%行业专题报告/2025 2026E 2027E 2028E行业专题报告/TrendForce BristlemoonCapital行业专题报告/NANDTechInsights行业专题报告/NAND2025997EB20281807EB，2025—2028年CAGR22%295EBPCNANDCAGR8%，NANDSSD需求提振，NANDSSD。据TechInsights数据，2025—2028年推理场景NAND需求CAGR16%。随着AISSD图13:AI推理驱动数据中心NAND需求快速增长Kioxia总体来看，AI服务器出货增长与单机存储配置升级共同推动存储需求扩张。据TrendForceAI202515%202820%AIDDRHBMAIAIPCDRAM和NANDDRAM倾斜DRAMNAND12/行业专题报告/DRAM2028—2029DRAM供给行业专题报告/DRAMTrendForce数据，DRAM2025196.6/2026218.1万片/+10.9%SK2026201.5/92.4%。表4:DRAM产能高度集中于头部厂商公司DRAM12英寸等效投片产能（万片/月）2025 2026E三星6574SK海力士54.561美光3436.5长鑫2830其他15.116.6总计196.6218.1TrendForceFab2029SKFab1M15X202720273万片6万片/20273约12万片/月，后续仍有约6万片/月扩产空间。行业专题报告/表5:DRAM2027-2030行业专题报告/公司厂房2027EDRAM12英寸等效投片产能（万片/月）2028E 2029E 2030E备注平泽P4爬坡产能随PH1-4设备陆续导入进一步爬坡P5Fab平泽P4爬坡产能随PH1-4设备陆续导入进一步爬坡P5Fab1P5Fab23030混合生产，先导入DRAM生产线龙仁Fab1投产未披露具体产能和产品配置三星SK海力士M15xFab1461212620264万片/月提升至8万片/月6间洁净室，分阶段导入设备广岛NewFab1212028年导入设备，2030年满产纽约Fab15.6纽约Fab25.6美光爱达荷州FabID15爱达荷州FabID25台湾省铜锣Fab13.7产能约为美光2026Q4的10%台湾省铜锣Fab24长鑫上海一期投产满产约40~60万片/月南亚科台湾省新北Fab5A30.6满产4.5万片/月华邦高雄ModuleB投产处于前期规划阶段晋华晋江一期3产能爬坡，远期仍有约6万片/月扩产空间合计新增产能 21.7 55.0 50.2 12.6各公司公告，KRASIA，SeoulEconomicDaily，SEMIConnect总体来看，DRAM2028—2029RAM2025年的16.6万片/2030357.6万片12.7%2029年55.0万片/50.2/P5SKFab1202740—60万片年图14:DRAM投片产能预计于2028—2029年加速增长Dram12英寸等效片产（万片/月） YoY22.9%17.0%10.9%9.9%22.9%17.0%10.9%9.9%8.4%3.7%

5.0%0.0

2025

2026E 2027E 2028E 2029E

0.0%行业专题报告行业专题报告/TrendForceHBMSK由多颗DRAMDRAMTSVTSV加工是HBMDRAMHBMTrendForceHBMTSV202536.5万片/47.1万片/SK2026表6:HBM产能2026年预计同比增长29.0%公司HBMTSV工艺晶圆加工产能（万片/月）20252026E三星1515SK海力士1520美光5.510长鑫12南亚科00.1合计36.547.1TrendForce，EETimes2027年多项HBM先进封装项目投产，其产能有望逐步增长。HBM扩产需要DRAM5HBM3.1HBMSK海力士在韩国清州和美国印第安纳州建设先进封装基地，其中清州P&T7晶圆测试20271020282HBMHBMHBM2026HBM3万片/2027HBMHBM表7:各厂商正积极推进HBM先进封装产能建设公司 厂房 公司 厂房 2027E 2028E 2029E 2030E三星SK海力士

天安HBMAP 投产牙山HBMAP 投产清州P&T7 投产印第安纳HBMAP 投产行业专题报告/美光 新加坡HBMAP 投产行业专题报告/长鑫 上海HBMAP 爬坡各公司公告，StreetInsider，芯智讯微信公众号HBMDRAMTrendForceHBM占三大原厂DRAM202518%2026年22%、202730%DRAM8%、9%13%HBM圆约为普通DRAM2.5—2.9HBMDRAM晶圆资源将向HBMDRAM30%22%18%13%30%22%18%13%8%9%35%30%25%20%15%10%5%0%2025 2026E 2027EHBM投片占比 HBM容量占比TrendForceNAND2027三星华城Fb12改造转为生产A026年NDTrendForceNAND122025136.5/月2026133万片-2.6%40万片31万片Fab1220262DNAND15DRAM1.8万片/4万片表8:2026年NAND投片产能小幅下降公司20252026E三星4031SK海力士2423美光1313铠侠+闪迪4041.8长江存储1620其他3.54.2总计136.5133TrendForceNAND扩产将由现有厂房提产逐步转向新厂投产。三星平泽P5计划配置部分NANDDRAMNAND70Fab10AFab10X50NAND2029K32030年年多表9:NAND2027-2030年新增产能统计公司厂房NAND12英寸等效投片产能（万片/月）2027E 2028E 2029E 2030E 备注平泽P5Fab1 投平泽P5Fab2平泽P5Fab2投产清州M17SK海力士大连Fab23~5投产567亿美元V8系列（238层）美光 新加坡Fab10B投产70万平方英尺洁净室

混合生产厂行业专题报告行业专题报告/铠侠+闪迪四日Fab7爬坡目前利用率50%北上K2爬坡目前利用率50%北上K3投产长江存储武汉三期爬坡满产10万片/月旺宏电子台湾省新竹Fab5爬坡满产超过3万片/月各公司官网，TrendForce，财联社，《科创板日报2026DRAM的投入力度明显高于NANDTrendForce测算，全球DRAM资NAND+5%Fab122DNAND生Fab151cDRAMM15XM14M161cDRAM2027NANDDRAMP5DRAMHBMSKFab1纽约项目亦主要面向先进DRAMNANDSKM17行业专题报告/NAND行业专题报告/从上述项目看，存储厂商资本开支主要用于新增产能建设和既有产线升级。前者直接扩充厂房、洁净室及设备规模，后者主要用于节点迁移、设备升级和产品转换，两类投入对投片能力的影响并不相同。DRAMNANDTEL10/1YDRAM9X3DNAND701bDRAM2XX3DNAND90HBM还需增加TSV图16:存储芯片设备投资额随工艺升级增加TOKYOELECTRONNAND2025NAND10%。供需格局：存储市场短期仍将维持供给偏紧DRAMSK2025171620261816.5+5.9%ndFore2053DAM2062行业专题报告/图17:2026年DRAM主要厂商实际投片量同比增长5.9%（万片/行业专题报告/817.5597817.5597639360 3607590三星 SK海力士 美光2025 2026ESeoulEconomicDaily，OmdiaDRAM202720282026年DRAM+39.8%分别同比+8.4%和+10.9%；2027年需求预计同比+19.2%，仍高于投片产能的2028P5SKFab1+22.9%+17.6%。若相关项目按期推进，供需压力有望阶段性缓解。HBM3EDDR5316GbDDR51β30%图18:DRAM供需增速阶段性错配

39.8%

27.8%

19.2%

22.9%17.6%

17.6%17.0%

15.2%

8.4%

10.9%

3.7%行业专题报告/2025 2026E 2027E 2028E 2029E 2030E行业专题报告/投片产能YoY 需求YoY各公司公告，TrendForce，OmdiaHBMTrendForce测算，2027年HBM+50%—60%AIAI芯片的HBM2027能力将陆续释放，但HBM有效供给还受DRAM2028HBMNAND20272026年AI数NAND投向TrendForce年NANDPC总体来看，存储市场短期仍将维持供给偏紧。AI基础设施建设持续推动服务器DRAMHBMSSDAI表10:DRAM、HBM及NAND短期供给均偏紧产品需求端供给端供需格局DRAM服务器出货增长与单机内存配置升级构成主要驱动，2025—2030年服务器贡献DRAM需求增量的86.2%。现有产线爬坡与大型新厂建设同步推进，新增产能预计于2028—2029年集中释放。需求增速短期高于投片产能增速，供给偏紧预计延续至2027年。若项目按期推进，2028年有望阶段性缓解。HBMAI服务器出货增长与单颗加速器HBM张，2025—2028CAGR55.7%。DRAM晶圆、TSV堆叠封装等环节共同约束，2027年多项先进封装项目将陆续投产。需求增长仍快于有效供给释放，2027年供给预计维持偏紧。部分新增产能或于2028年形成显著产出。数据中心成为主要增量来源，2025—2026年投片产能预计同比-2.6%，供给紧张预计延续至2027H1。随着制NAND

2028NAND约46%，明显高于消费终端。

2027年主要依靠现有厂房爬坡，远期增量取决于新厂投产。

程升级、现有厂区扩产及新设备导入，2027H2有望逐步缓解。远期来看，洁净室的增量在何处服务器持续高景气支撑远期核心部件扩产需求AIAIAI202286202520934.4%AIAI2026落地，预计2027-2028年有望集中投产。图19:2025年AI服务器出货量达209万台同比+24%服务器出货量（万） YoY0

2022 2023 2024

50%46%35%46%35%24%9%40%35%30%25%20%15%10%5%0%行业专题报告行业专题报告/TrendForceAICPUDRAMAIAIAIDRAM，图20:AI服务器价值构成DPU,2% NVMeSSD1% 电源与散热,3%网络与互连,5%

理,1%行业专题报告/系统行业专题报告/CPU,8%AI加速器（含HBM）,74%SIA，DeloitteAIDGXAI8GPU2CPU，GPUHBMDDR1—4TBTrendForce预测，2026年AI31%2027AI20%2028AIGPU及配套HBM有20302028GPUHBMAIUMC表11:英伟达DGX系列AI服务器配置机型GPU配置单颗HBM容量单机HBM容量CPU配置CPU侧系统内存NVIDIADGXA100640GB8×A10080GBHBM2e640GB2×AMDEPYC77422TBDDR4NVIDIADGXH1008×H10080GBHBM3640GB2×IntelXeon8480C2TBDDR5NVIDIADGXH2008×H200141GBHBM3e1128GB2×IntelXeon8480C2TBDDR5NVIDIADGXB2008×B200180GBHBM3e1440GB2×IntelXeon8570默认2TB，最高4TBNVIDIADGXB3008×B300288GBHBM3e2304GB2×IntelXeon6776P默认2TB，最高4TBNVIDIA表12:2026-2030年预计GPU及配套HBM增加2348万颗2026E2027E2028E2029E2030EAI服务器出货量（万台）273328394472567对应HBM、GPU颗数（万颗）21872624314937794535YoY31%20%20%20%20%TrendForce先进封装技术升级拉动先进逻辑、HBM和高等级洁净空间除存储芯片外，随着先进封装技术逐步落地，行业资本开支有望迎来新的增量。、SoICChiplet等先进封装技术通过提升封装内部逻辑芯片、HBM、I/O及中介层的集成密度，Absolics等企业AIDieChipletASIC/GPUHBMTSMC3DAIHPC、InFO、SoIC等平厂商/主体基地厂商/主体基地产能规划时间节点投资额bolis

SKC子公司）美国佐治亚州Covington 一期年产12,000㎡期：年产72,000㎡

2025年开始验证，2027年量产

一期2.4亿美元，二期3.6亿美元，6美国CHIPS法案补贴7,500万美元Intel+3DGSIntel+3DGS印度奥里萨邦Bhubaneswar-Khurda未披露2026年529日签署建设周 33亿美期5-6年，预计2031-2032年投产三星电机×住友化学（合资GlaSSEM）

韩国京畿道平泽市 分阶段推进设备建设、艺稳定和质量验证规划5-8条CoPoS产

2027财年下半年建立供应体系；2028年起正式运行／规模量产2026年2月启动

合资规模约4821亿韩元（三星电机出资2391亿韩元现金+800亿韩元实物，持股66.2%）单条产线设备投台积电（CoPoS路线）中国台湾省嘉义AP7（P4/P5）；美国亚利桑那

310mm×310mm510mm或750×620mm

设备交付；预计2028上半年量产试验线2026年上

资约100-150亿新台币试验平台3.9亿京东方A 中国大陆（未披露具体城市） 试验线月产能1,000片

半年已通线投产；预计2028年量产

（2022年试验线9.93亿元（2024年）行业专题报告行业专题报告/各公司官网，第一财经，ETNEWS，BusinessStandard行业专题报告/此外，马斯克推动的项目可作为另一类潜在需求期权。向、SpaceX及xAIAI/AI行业专题报告/图21:Terafab超级芯片工厂效果图SpaceX官网AIASICAIGPU2）CPO/AI地继续建设2nmSEMI300mm晶圆厂设备支出2026/202725%/11%Logic&Micro2027-2029HBM/NANDAI专用制造平台。价值量提升：工艺升级下单位投资额有望提升24nm7.7nm12nmISO1表14:DRAM工艺升级对微小颗粒控制提出更高要求指标20152018202120242028指标含义DRAM半间距（nm）241814117.7DRAM存储阵列中相邻重复线条间距的一半，可用于反映工艺精细程度；数值越小，制造工艺越精细临界颗粒尺寸（nm）12975.53.9可能造成电路缺陷并影响产品良率的最小颗粒尺度；数值越小，颗粒控制难度越高