CN119418750A 防行锤攻击的dram芯片、测试系统及测试方法 （碳芯微电子科技(深圳)有限公司）

道高新区社区高新南七道16号深圳市法的最高允许访问频率值及对应的控制地址进行击检测模式检测到某一DRAMDIE芯片内存在行2存储芯片，用于将存储每一DRAMDIE芯片的最高允许访问频率值攻击检测控制芯片，所述攻击检测控制芯片内设置有行锤攻击检测所述攻击检测控制芯片用于将接收外界发送的访问信号转发至所述DRAMDIE芯片内，所述攻击检测控制芯片还用于当根据行锤攻击检测模式检测到某一所述DRAMDIE芯片内DIE芯片内的受害行不可进行刷新时，根据接收所述存储芯片的该DRAMDIE芯片下的最高3.如权利要求1所述的防行锤攻击的DRAM芯片，4.一种DRAM芯片测试系统，其特征在于，所述DRAM芯片测利要求1至3任一所述的防行锤攻击的DRAM芯片中存储芯片的每一DRAMDIE芯片最高允许测试装置，所述测试装置内设置有行锤测试模式，所述测试芯片电连接，所述测试装置用于通过行锤测试模式测试及记录所述DRAM芯片内每一DRAMDIE芯片最高允许访问频率值数据及对应控制地址后，通过所述攻击检测控制芯片对所述根据所述测试信号运行所述行锤测试模式，以对每一所述DRAMDIE芯片进行测试后，记录每一所述DRAMDIE芯片发生位翻转时的最高允许访问频率根据记录的所述最高允许访问频率及对应控制地址，按照预设录入于初次测试访问所述DRAMDIE芯片时频率的初始访问频率值，及用于调节测试访问所述3若当按照所述初始访问频率值进行测试时，出现位翻若当按照所述初始访问频率值进行测试时，未出现位翻转若当某一所述的DRAMDIE芯片所记录最高允许访问频率为0时，根据对应控制地址生若当所述的DRAMDIE芯片所记录最高允许访问频率均不为0时，根据记录的最高允许许访问频率及对应控制地址录入至所述存储芯片内根据所述启动指令控制所述DRAM芯片运行所述行锤攻击检测模式对每一所述DRAMDIE芯片写入检验数据后，读取所述存储芯片的4[0002]Rowhammer的出现是DRAM制造方式的意外结果，电池单元的状态由电容器上的电导致了DRAM芯片出现Rowhammer，而在现有技术中，研发人员常常采用使用错误校正码所述攻击检测控制芯片用于将接收外界发送的访问信号转发至所述DRAMDIE芯系统用于测试并调节如上述所述的一种防行锤攻击的DRAM芯片中存储芯片的每一DRAM5控制芯片电连接，所述测试装置用于通过行锤测试模式测试及记录所述DRAM芯片内每一频率的初始访问频率值，及用于调节测试访问所述DRAMDIE芯片时频率的访问频率步进若当某一所述的DRAMDIE芯片所记录最高允许访问频率为0时，根据对应控制地若当所述的DRAMDIE芯片所记录最高允许访问频率均不为0时，根据记录的最高6测控制芯片还用于当根据行锤攻击检测模式检测到某一所述DRAMDIE芯片内存在行锤攻够通过行锤攻击检测模式检测到Rowhammer攻击时，通过刷新或针对不同DRAMDIE芯片自适应降低访问频率，以使所述DRAM芯片免受Rowhammer攻击，从而从硬件层面保护DRAM芯7[0026]6.在运行时准确地识别被锤击的行并刷新它们的邻居；JEDEC标准中定义了TRR测控制芯片11与每一DRAMDIE芯片13电连接，攻击检测控制芯片11与存储芯片12电连接，攻击检测控制芯片11用于将接收外界发送的访问信号转发至DRAMDIE芯片13内，攻击检测控制芯片11还用于当根据行锤攻击检测模式检测到某一DRAMDIE芯片13内存在[0029]在本实施例中，DRAM芯片通过将存储芯片12、攻击检测控制芯片11及多个DRAM多个引脚，用于使攻击检测控制芯片11与外部电路连接，存储芯片12可设置为OTP类型或8ECC机制等方式检测某一DRAMDIE芯片13内的受害行不可进行刷新时，则攻击检测控制芯现了数据的快速传输和指令的高效执行。I2C芯片作为存储介质，其内部存储了关于DRAM系统用于测试并调节如上述的防行锤攻击的DRAM芯片中存储芯片12的每一DRAMDIE芯片电连接，测试装置2用于通过行锤测试模式测试及记录DRAM芯片内每一DRAMDIE芯片13最主控制器可由例如MCU（MicrocontrollerUnit，微控制单元）、DSP（DigitalSignal9[0038]在一实施例中，获取用户触发的测试信号，以启动测试装置2运行行锤测试模式试后，记录每一DRAMDIE芯片13发生位翻转时的最高允许访问频率的步骤还包括：步骤[0040]需要说明的是，初始访问频率值为测试装置2初次测试访问DRAMDIE芯片13时的[0041]鉴于DRAMDIE芯片13为未封装的裸晶晶片，通常由制造商批量生产并进行测（例如初始访问频率值A+访问行为次数B_1*访问频率步进值，或初始访问频率值A+访问行为次数B*访问频率步进值_预设值等计算方式并将其与对应的控制地址进行记录。DRAMDIE芯片13的最高允许访问频率及对应控制地址对行锤攻击检测模式及行锤测试模