CN119421342A 一种表面硅烷偶联剂处理的金属、处理方法以及高频高速信号传输基材 （安徽铜冠铜箔集团股份有限公司）

本发明涉及一种金属表面硅烷偶联剂的处也涉及该材料在高频高速信号传输基材中的应通过非水解硅烷偶联剂与金属表面羟基或氧化前未水解，偶联剂层中未反应的硅羟基数目极避免金属表面偶联剂缩合形成的少量水分子造23.根据权利要求1所述的表面硅烷偶联剂处理的金属，其特征在于，所述的金属是为锌或含有它们的合金；所述的合金是指相应的金属为主成分质量占比的有机溶剂中的含水量低于0.1%;联剂在无水有机溶剂中的浓度范围是0.001_1wt升温回流反应时间是3_300min；优选料从原有温度降至树脂材料的玻璃化转变温度以下3的OR硅烷氧基活性基团作为亲无机端，与金属表面的羟基或氧化物上的羟基发生化学反生成氢键或通过物理缠结增加与树脂的相互作用。因此，硅烷偶联剂可在性质差异极大的的硅烷偶联剂层普遍较厚且分布不均匀，例如专利CN103717011A报道了铜箔表面硅烷偶联了涂覆偶联剂溶液后，该偶联剂层中绝大部分硅烷偶联剂分子仅通过物理吸附作用附着于金属表面，只有一小部分能够在金属界面上实现化学结合，不仅无法构建金属和树脂间的合生成硅氧烷，就导致了因硅羟基间的缩合脱水反应成为金属与树脂复合材料中的隐藏水通过使硅烷偶联剂水解而生成的硅烷醇基、或其低聚物化了的硅烷醇基通过与金属基材的被进行了表面处理的那一面所存在的羟基反应而结合，从而金属基材能够与树脂涂布层之间通过硅烷偶联剂的结构实现结合。[0003]复合材料中多余而又分布不匀的物理吸附的偶联剂对金属与树脂材质的界面粘4属树脂界面局部水富集和由此引发形成的阳极氧化丝将对6G器件的制备和运行的稳定性复合材料满足电子通讯领域高频高速信号传输需求[0005]本发明针对现有的在金属表面涂敷硅烷偶联剂的处理方法无法避免偶联剂层在级厚度的交联型偶联剂层不仅能赋予金属良好的防氧化性，还提升了金属与树脂的相容[0006]一种表面硅烷偶联剂处理的金属，在表面包括有由硅烷修饰层的厚度范围是1_100nm，修饰层中的主体上的硅烷偶联剂的_Si(OR)3基团未发生水5[0027]将表面处理后的金属置于模具中，设置模具温度介于树脂的玻璃化转变温度以[0028]将金属树脂复合材料留在模具中，使金属树脂复合材料以高于100℃/s的速率从原有温度降至树脂材料的玻璃化转变温度以下20℃后脱模。面偶联剂缩合形成的少量水分子造成界面介电常数升高，从而干扰高频信号的高速传输、偶联剂层的方法及采用此方法制备的金属基材特别适合应用于高频高速信号传输材料领6[0037]本发明公开了一种构建金属表面纳米偶联剂层的方法及使用该方法制成的金属采用电化学抛光的方式对清洗后的金属基体进行表面亚纳米级平整化处理，(2)将抛光的联剂层的厚度通过XPS深度剖析检测方法7[0050]现有技术中通常是将硅烷偶联剂溶解于含水溶剂中，并施加于金属表面(如喷的负载得到的硅烷偶联剂层的厚度也明显小于常规技术8[0056]本实施例使用非水解的3_氨丙基三乙氧基硅烷KH550在紫铜片表面制备纳米级厚度的偶联剂层，并使用嵌件注塑的方式制备上述表面处理的铜片与聚甲基丙烯酸甲酯[0060]wt％乙烯硫脲的55wt％的磷酸溶液，抛光液为预热至55℃,后恒压10V电解10分[0064]2.将上述铜片置于二氯甲烷(含水约50pp[0067]将经回流处理后的铜片晾干后置于105℃的烘箱中烘烤20分钟，使铜片表面的偶9[0071]本实施例使用非水解的甲基三乙氧基硅烷MTES在紫铜片表面制备纳米级厚度的[0075]wt％乙烯硫脲的55wt％的磷酸溶液，抛光液为预热至55℃,后恒压10V电解10分[0079]2.将上述铜片置于二氯甲烷(含水约50pp[0082]将经回流处理后的铜片晾干后置于105℃的烘箱中烘烤20分钟，使铜片表面的偶[0086]本实施例复配使用非水解的KH550和MTES混合在紫铜片表面制备纳米级厚度的偶[0090]wt％乙烯硫脲的55wt％的磷酸溶液，抛光液为预热至55℃,后恒压10V电解10分去[0098]将经回流处理后的铜片晾干后置于105℃的烘箱中烘烤20分钟，使铜片表面的偶[0106]wt％乙烯硫脲的55wt％的磷酸溶液，抛光液为预热至55℃,后恒压10V电解10分[0113]将经回流处理后的铜片晾干后置于105℃的烘箱中烘烤20分钟，使铜片表面的偶[0117]本实施例使用水解的KH550在紫铜片表面制备偶联剂层，并使用嵌件注塑的方式[0121]wt％乙烯硫脲的55wt％的磷酸溶液，抛光液为预热至55℃,后恒压10V电解10分[0127]将经表面涂敷了偶联剂的铜片置于105℃的烘箱中烘烤20分钟，使铜片表面的偶定金属材料表面水接触角定量表征；硅烷偶联剂层对金属的防氧化效果按照专利CN中所列，实施例1中表面通过非水解KH550处理的铜与PMMA复合体的界面结合强度根据与PMMA复合体的界面强度11.89MPa高67.7比对比例2中表面通过水解KH550处理的铜与联剂在金属表面分布均匀，还赋予该纳米厚度的偶联剂层具有比对比例2中水解的硅烷偶[0138]本发明还考察了非水解的硅烷偶联剂不同回流反应时间对于得到的金属材料表起进一步的加强作用。[0139]提高非水解的硅烷偶联剂在无水有机溶剂中的浓度可加快偶联剂铺满金属表面处理后的铜与PMMA复合体的界面强度为15.99MPa，比实施例1中的界面强度19.94MPa低[0140]