CN119421405A 半导体结构及其制造方法 （长鑫科技集团股份有限公司）

开实施例提供的半导体结构及其制造方法至少2提供基底，所述基底包括多个沿所述基底厚度方向延伸的半导体柱形成位线，所述位线沿第一方向延伸，位于所述半导体柱的底面且形成字线，所述字线沿第二方向延伸，所述字线至少覆盖所述半形成接地线，所述接地线沿所述第二方向延伸，所述接地线穿过第一子半导体柱和所述第二子半导体柱均包括沿所述基底的厚度方向依次排列的第一掺述第二子字线至少覆盖所述第二子半导体柱的所述沟道区远离所述接地线形成第二沟槽，所述第二沟槽沿所述第二方向延伸且位于所述初始基内，所述第二沟槽在所述初始基底内的深度小于所述第一沟槽在所述初始基底内的深度，剩余的所述初始基底作为所述基底，位于所述第二沟槽之间的所述基底作为所述半导体对所述第二沟槽底部的所述基底进行掺杂工艺，以形成多个位线掺或者，形成金属层，所述金属层覆盖所述第二沟槽底部方向间隔排列。对所述半导体柱的所述初始第一掺杂区、所述初始沟道区或者所述初形成栅介质层，所述栅介质层至少覆盖暴露出的所述半导体柱的所述初始沟道区表3形成栅导电层，所述栅导电层覆盖所述栅介质层远离所述半导体形成第二填充层，所述第二填充层填充所述字线之间的间隙以及形成第四沟槽，所述第四沟槽沿所述第二方向延伸，所述第四沟槽将所形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第四沟槽暴露出的所述第一子字线基底，所述基底包括多个沿所述基底厚度方向延伸的半导体柱，所述述第二子字线至少覆盖所述第二子半导体柱的所述沟道区远离所述第一子半导体柱的一接地线，所述接地线沿所述第二方向延伸，所述接地线穿过所述4存取内存(RandomAccessMemory，RAM)可分为动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)与静态随机存取存储器(StaticRandom_AccessMemory，SRAM)两[0005]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种线和第二子字线，第一子字线至少覆盖第一子半导体柱的沟道区远离接地线的一侧表面，第二子字线至少覆盖第二子半导体柱的沟道区远离接地线的5初始沟道区或者初始第二掺杂区中的至少其中一者导电层覆盖栅介质层远离半导体柱的表面且填充半导体柱之间的间隙；图形化栅导电层，层填充字线之间的间隙以及半导体柱的初始道区和第二子半导体柱的沟道区之间，且第一子字线和第二子字线分别位于接地线的两6导体柱可以分别构成两个晶体管结构，且两个晶体管结构中间的接地线可以连接地电位，[0020]图1至图16为本公开一实施例提供的一种半导体结构的制造方法的各个步骤对应[0023]图1至图16为本公开一实施例提供的一种半导体结构的制造方法的各个步骤对应1沿AA1方向和CC1方向的剖面结构示意图，以下将结合附图对本实施例提供的半导体结构7基底200和绝缘层210内，第二沟槽202在初始基底200内的深度小于第一沟槽201在初始基形成的位线102在第二方向Y上间隔排列。第二沟槽202的底部形成金属层222后，再通过退火工艺使金属层222内的金属离子向四周8接对第二沟槽202的底部的基底100进行掺杂工艺或者直接在第二沟槽202的底部的基底的初始沟道区III在沿垂直于第二方向Y上相对的两个侧面，在沿第二方向Y上，同一字线[0043]在一些实施例中，字线103可以仅覆盖半导体柱101的初始沟道区III在沿垂直于第二方向Y上的两个侧面，以避免后续形成穿过半导体柱的初始沟道区的接地线时字线与9字线槽310，字线槽310沿第二方向Y上暴露出多个半导体柱101的初始沟道区III。参考图第二填充层302至少覆盖字线103的顶面且填充半导体柱101的初始第二掺杂区II之间的间101的初始沟道区III，接地线104将半导体柱101分隔为第一子半导体柱111和第二子半导第一掺杂区211、沟道区231和第二掺杂区221，且接地线104将字线103分隔为第一子字线213和第二子字线223，第一子字线213至少覆盖第一子半导体柱111的沟道区231远离接地线104的一侧表面，第二子字线223至少覆盖第二子半导体柱121的沟道区231远离接地线104的一侧表面。接地线104可以将第一子半导体柱111和第二子半导体柱121的沟道区231204沿第二方向Y延伸，第四沟槽204将半导体柱101分割为第一子半导体柱111和第二子半少将半导体柱101的初始第二掺杂区II分隔为相互独立的第一子半导体柱111的第二掺杂区221和第二子半导体柱121的第二掺杂区221，且至少将半导体柱101的部分初始沟道区III分隔为相互独立的第一子半导体柱111的沟道区231和第二子半导体柱121的沟道区111和第二子半导体柱121形成的晶体管结构共用同一第一掺杂区211以作为晶体管结构的源极或者漏极中的一者，且分别以各自的第二掺杂区221作为晶体管的源极或者漏极中的的是，第四沟槽204需要具有足够的宽度以将半导体柱101分隔为第一子半导体柱111和第二子半导体柱121，但第四沟槽204的宽度过宽会导致剩余的第一子半导体柱111和第二子半导体柱121的尺寸过小，不利于第一子半导体柱111和第二子半导体柱121构成晶体管结多个半导体柱101的初始第一掺杂区I，则后续形成的沿第一方向X排列的多个晶体管结构地线104穿过半导体柱101的初始沟道区III，且将半导体柱101分隔为第一子半导体柱111导体柱111和第二子半导体柱121构成的晶体管结构产生字线223，第一子字线213至少覆盖第一子半导体柱111的沟道区231远离第二子半导体柱体柱111和第二子半导体柱121的沟道区231之间，且第一子字线213和第二子字线223分别121的沟道区231正对的区域内时就可以降低第一子半导体柱111和第二子半导体柱121的[0063]在一些实施例中，在沿第三方向Z上，沟道区231的宽度可以为[0064]在一些实施例中，半导体柱101在沿第一方向X上的宽度大于半导体柱101在沿第和第二子半导体柱121后，剩余的第一子半导柱111和第二子半导体柱121尺寸可以较为均子半导体柱121的排列相较于四方排列结构具有更大的排列密度，且密度增加的同时还可以减小相邻半导体柱101对应的字线103之间[0067]在一些实施例中，第一子字线213还覆盖第一子半导体柱111的沟道区231在沿第一方向X上相对的两个侧面的部分表面；第二子字线223还覆盖第二子半导体柱121的沟道分隔为第一子半导体柱111和第二子半导体柱121，第一子半导体柱111和第二子半导体柱线104还将字线103分隔为第一子字线213和第二子字线223，如此第一子半导体柱111和第[0069]本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实