CN119421556A 一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件 （隆基绿能科技股份有限公司）

部分以及沿着第二方向紧邻第一部分的第二部的晶化程度使得太阳能电池整体的电池效率得2第一半导体层，设置于所述第一面上，所述第一半导体层包括第一面上的第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层沿第二方向相邻布置，所述第二透明导电层与所述第一透明导电层之间具有PN隔离区，所述P3使用激光照射所述第一半导体层的第一部分，且未照射所述第一半导体层的第二部26.根据权利要求20所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述激光的波长为4一部分内即具有晶化的部分和没有晶化的另一部分，第一部分内并不是全部为晶化结构，第二部分与第二半导体相距较近，第二部分的晶化程度较小以保证第二部分的钝化效果，5层的第二部分更靠近第二半导体层，第二部分的晶化程度较小以保证第二部分的钝化效[0014]在一种实现方式中，第二部分的一部分设置于第二半导[0016]在一种实现方式中，太阳能电池还包括覆盖于第一半导体层上的第一透明导电层，第一部分在半导体基底上的投影完全位于第一透明导电层在半导体基底上的投影之6[0019]在一种实现方式中，第二部分的一部分设置于第二半导纳米晶硅层，双面异质结电池和双面杂化电池也可以适用于本申请中的边缘为非晶化结7的第二部分与第二半导体相距较近，第二部分的晶化程度较小以保证第二部分的钝化效距离邻接侧面具有第一距离。第二部分背离第一部分的一端距邻接侧面之间还有一定间8[0038]在一种实现方式中，激光的波长为325nm～532nm；和/或，激光的能量密度为[0042]图3为本发明实施例提供的一种太阳能电池的第一面上的透明导电层的局部布置[0046]图7_图18为本发明实施例提供的一种太阳能电池的制作方法的各步骤流程示意[0047]图19为本发明实施例提供的太阳能电池和现有无晶化区的太阳能电池的EL测试[0048]图20为本发明实施例提供的太阳能电池和现有无晶化区的太阳能电池的P区接触9[0058]第一部分11的晶化程度大于第二部分12的晶化程度。第一半导体层100包括非晶[0059]在实际的应用过程中，本发明实施例对半导体基底6的材料和导电类型不做具体晶化区区域，利用第一部分11较高的晶化程度使得太阳能电池整体的电池效率得到优化，盖于至少部分类金字塔顶部的部分的晶化程度，大于第一半导体层100覆盖于类金字塔基察类金字塔基部区域内无法准确得到第一半导体层100的晶化[0063]在一些可能的实现方式中，第一部分11的接触电阻小于第二部分12的接触电由于第一部分11具有晶化结构或晶化程度更高，第二部分12为非晶结构或晶化程度更低，的对比可以看出，第一半导体层100具有第一部分11的太阳能电池的整体接触电阻小于第一半导体层100不具有第一部分11的太阳能电池第一条形部1包括紧邻的第一部分11和第二部分12，即第一部分11和第二部分12沿第一条分邻接侧面叠置。采用该技术方案，第二部分12与第二半导体层2的至少部分邻接侧面叠面形成漏电通道，避免了被遮挡的电池片成为负载消耗其他有光照的电池片所产生的能底6一侧接触。由于第二半导体层2背离半导体基底6一侧表面的电流传输能力比邻接侧面分12与第二半导体层2之间传输电流的能力，太阳能电池被遮挡时，电流可以经第二部分PN隔离区10实现P区和N区的电性绝缘，第一部分11的投影位于第一透明导电层71的边界21和n型掺杂多晶硅层22时，第一半导体层100包括层叠的本征非晶硅层13和p型非晶硅层层2的邻接侧面具有一定的距离，以此叠置部分15的宽度应当是100_300μm范围内较为合层100可以包括层叠设置的第一本征非晶硅层和p型非晶硅层，第二半导体层2可以包括层叠设置的第二本征非晶硅层和n型非晶硅层，第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层均靠[0081]如此设置，对于设置于第一面的导电类型不同的第一半导体层100和第二半导体[0083]示例地，第二半导体层2可以包括层叠设置于第一面上的隧穿氧化层21和掺杂多[0084]如此设置，通过在第一面上设置导电类型不同的第二半导体层2和第一半导体层具有非晶硅层/或纳米晶硅层，杂化背接触电池也可以适用于本申请中的边缘为非晶化结多晶硅层与第二面之间还设置有隧穿氧化层，隧穿氧化层与N型掺杂多晶硅层构成隧穿钝能电池也可以适用于本申请中的第一部分11晶化程度大于第二部分12晶化程度的电池结部分11靠近半导体基底6第一面的边缘的部分可以不作为电流收晶硅层内部会有部分晶化形成纳米晶粒。当第一半导体层100为纳米晶硅层或者非晶硅和第一半导体层100上设置合理的晶化区域和非晶化区区域，使得太阳能电池整体的电池效[0097]在一些实施方式中，在第一半导体层100包括多个沿第一方向延伸的第一条形部至少一个第一条形部1的全部区域与第二部分12的晶化程度相同，即靠近边缘的至少一个第一栅线电极4导电设置于第一半导体层100的第一部分11上。第一栅线电极4的延伸方向[0103]对于具有第二半导体层2的太阳能电池，太阳能电池还包括导电设置于第二半导[0107]基于以上任一实施例所描述的太阳能电池，本发明实施半导体层100的第二部分12，使得所述第一部分11的晶化程度大于所述第二部分12的晶化[0113]采用上述技术方案的情况下，利用激光对位于第一半导体层100的第一部分11对得第一半导体层100的第一部分11的整体的晶化程度大于第二部分12的整体的晶化程度。一半导体层100的第二部分12的晶化程度小于第一部分11的晶化程度，保证了沿着第二方[0121]采用上述技术方案的情况下，第二部分12从第一部分11的边缘延伸至如图5中的半导体层2之间的间距较大，利于进一步降低第二部分12与第二半导体层2之间的漏电隐以及第一半导体层100的厚度不均匀的原因，当激光作用于第一半导体层100的边缘部分一半导体层100的两端通过激光形成晶化结构，保留第一半导体层100的两端的非晶结构，cm2等