CN119439567A 显示面板以及其制造方法 （瀚宇彩晶股份有限公司）

本发明公开了一种显示面板以及其制造方电结构包括第一电极、第二电极与透明半导体2第二电极的其中之一在所述显示面板的画面显示期间作为对应的所述像素单元的像素电3形成所述发电结构的一第二电极在所述透明半导体所述发电结构的所述第一电极的步骤前进行，其中在形成所述发电结构的所述第一电极4[0003]本发明的目的是在于提供一种显示面板，其通过反射外界光线[0008]图3所示为本发明第一实施例的显示面板的具有多层结构的第一导电层的一像素[0009]图4所示为本发明一实施例的显示面板的第一导电层对于各波长的光线的反射率[0010]图5所示为本发明一实施例的显示面板的透明半导体层对于各波长的光线的吸收[0011]图6所示为本发明另一实施例的显示面板的透明半导体层对于各波长的光线的吸5[0012]图7所示为本发明第一实施例的显示面板使用图6绘示的透明半导体层的剖面示[0014]图9所示为本发明第一实施例的变化实施例的显示面板的一像素单元的剖面示意[0020]图15所示为本发明第三实施例的显示面板的多个像素单元的发电结构的俯视示6以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用包括背光(backlight)模组，其中半穿透半反射式显示面板除了以上述的外界光线作为画示面板举例可为液晶显示面板(LiquidCrystalDisplayDevice,LCDPanel)、电泳显示面板(ElectrophoreticDisplayPanel)、电润湿显示面板(ElectrowettingDisplay7100包括彼此相对设置的第一基板110与第二基板150，其中第一基板110与第二基板150可聚合物(如，聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene显示介质层140中对应各像素单元SP的部分的状态，进而对应调整光线在各像素单元SP的[0036]在本发明中，用以控制显示介质层140的状态的电极可依据需求而设计。举例而在显示介质层140的同一侧(如，像素电极与共同电极可设置在显示介质层140与第一基板(poly_silicon)、非晶硅(amorphoussilicon)、金属氧化物(metal_oxide8SW可为顶栅型(topgate)薄膜晶体管、底栅型(bottomgate)薄膜晶体管、双栅(dualgate)薄膜晶体管或其他适合的开关元件(图2中的开关元件SW以底栅型薄膜晶体管为例)。输开关信号以控制开关元件SW的开启与关闭，资料线用以传输相关于调整显示介质层140示区SPa具有反射区域RA，且像素单元SP的反射区域RA将外界光线Lo的一部分反射以形成[0042]请参考图3与图4，图4所示为本发明一实施例的显示面板的第一导电层对于各波且金属反射层RL的厚度约为1500埃。如图4所示，导电层SCL1对于外界光线Lo具有高反射9率，其中此导电层SCL1对于波长为380纳米(nm)至780纳米的光线的反射率可大于或等于75且对于较长波长范围(如，波长为550纳米至780纳米)的光线的反射率可大于或等于之间，其中发电结构130用以吸收外界光线Lo的一部分并使其转换为光电流。在本实施例构，其中透明半导体层TSM可依据所包含的材料而对应吸收特定范围波长的外界光线Lo[0046]在一些实施例中，透明半导体层TSM可包括PCBM(phenylC61_butyricacidmethylester)、P3HT(poly(3_hexylthiophene))、过渡金属二硫属化物(Transition_透明半导体层对于各波长的光线的吸收率的示意图，其中此透明半导体层TSM包含PCBM与(Near_Infrared,NIR)波段范围定义为波长为650纳米至1400纳米，则图5中包含PCBM与P3HT的透明半导体层TSM对于可见光波段的光线具有高吸收率，且在可见光波段具有一吸此类型的透明半导体层TSM可称为可见光吸收型透明半导体层。[0047]根据图4与图5，由于包含PCBM与P3HT的透明半导体层TSM对于波长为400纳米至650纳米的光线具有高吸收率，且导电层SCL1对于波长为400纳米至650纳米的光线的反射流(如，将外界光线Lo中的部分可见光进行光电转换)，因为导电层SCL1包括金属反射层半导体层TSM的其余的外界光线Lo则会被发电结构130的第一电极E1反射而形成反射光Lr，纳米的波段中的吸收率，透明半导体层TSM在小于650纳米的波段中的吸收率相对小很多。[0049]根据图4与图6，由于此类型的透明半导体层TSM对于近红外光波段的光线具有高明半导体层TSM主要对近红外光Li进行光电转换而使得近红外光Li被大幅吸收，且透明半使得外界光线Lo中的近红外光Li的大部分被透明半导体层TSM吸收而进行光电转换，而外界光线Lo中的可见光Lv的大部分被导电层SCL1反射，因此图7仅绘示反射光Lr中的可见光括发电结构130的第一电极E1，且像素单元SP中的发电结构130位于像素单元SP的显示区SPa的反射区域RA中，也就是发电结构130的第一电极E1除了作为显示面板100的光反射层[0052]在本发明中，发电结构130可设置在第一基板110与第二基板150之间的任何适合与显示介质层140之间，发电结构130的第一电极E1设置在电路元件层120与透明半导体层导体层TSM进行第二次的光电转换以及反射外界光线Lo以传送至使用者UR而让使用者UR看光线Lo可穿透第二电极E2以到达透明半导体层TSM，而反射光Lr可穿透第二电极E2传送至体层TSM吸收的外界光线Lo可传送至第一电极E1而被第一电极E1反射以形成反射光Lr，而未被透明半导体层TSM吸收的反射光Lr可传送至第二电极E2并穿透第二电极E2以传送至使[0054]在一些实施例中，开关元件SW可电连接发电结构130的第一电极E1或第二电极E2(图1与图2是以发电结构130的第一电极E1耦接开关元件SW为例)，以使第一电极E1或第二面显示期间作为对应的所述像素单元SP的像素电极以接收灰阶信号，而在显示面板100的充电期间作为对应的所述像素单元SP的发电结构130的电极以产生光电流，也就是在不同示介质层140存在于阵列基板结构AS与[0057]如图1所示，本实施例的外界光线Lo从第二基板150相反于显示介质层140的一侧射而形成的反射光Lr则依序通过透明半导体层TSM(透明半导体层TSM再次进行光电转换)、中色彩转换层可包括色阻(colorfilter)、量子点(QuantumDot,QD)材料、荧光换层可设置在第二基板150与导电层OCT之间且设置在第二基板150与显示介质层140之间简化说明并突显各实施例与上述实施例之间的差异，本发明中使用相同标号标注相同元[0061]请参考图8与图9，图8所示为本发明第一实施例的变化实施例的显示面板的剖面像素电极而接收灰阶信号，而在穿透区域TA中，背光模块的光线BL可穿过透明导电层TCL’电层SCL1包括第三电极E3和发电结构130的第一电极E1)，且发电结构130位于像素单元SP传输发电结构130所产生的光电流。导电层SCL1可为包含金属反射层的单层结构或多层结自均包括一金属反射层(如图3的金属反射层RL)，第三电极E3除了作为像素电极以调整显至使用者UR而让使用者UR看见对应的画面，而发电结构130的第一电极E1可反射外界光线[0064]根据上述，本实施例的第三电极E3作为用以反射外界光线Lo以使显示面板200显第三电极E3对于像素单元SP的面积比值可大于或等于0.5施例与第一实施例的差异在于本实施例的显示面板300还包括透明导电层PCL与绝缘层IN4，绝缘层IN4设置在发电结构130与透明导电层PCL之间，透明导电层PCL设置在绝缘层射层(如图3的金属反射层RL)，因此发电结构130的第一电极E1除了作为发电结构130的电极外，还可反射外界光线Lo以让透明半导体层TSM进行第二次的光电转换以及反射外界光线Lo以传送至使用者UR而让使用者UR看见对应的画面。而发电结构130的第二电极E2为透图。如图16所示，本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的显示面板400的发电结构得导电层SCL1、透明半导体层TSM与导电层SCL2可设置在第二基板150与显示介质层140之(即，导电层SCL1、透明半导体层TSM与导电层SCL2)可设置在导电层OCT与第二基板150之[0072]在图16中，导电层OCT中的共同电极Eop可与发电结构130彼此分离且彼此不电连130之间且设置在发电结构130与显示介质层140之间(色彩转换层CF被包括在对向基板结的透明半导体层TSM可为前面所述的可见光吸收型透明半导体层或近红外光吸收型透明半[0076]请参考图17至图20，图17至图20所示为本发明一实施例的显示面板400的制造方法在不同阶段时的结构的示意图，其中图17至图20只绘示发电结构130的形成。须说明的[0077]在下述制造方法中，膜层及/或结构的形成工艺可例如包括原子层沉积(atomic可例如包括光刻(photolithography)工艺、光刻工艺及蚀刻工艺(etchingprocess)的组