CN119446915A 一种实现晶圆背面供电的集成封装结构的制备方法 （盛合晶微半导体(江阴)有限公司）

一种实现晶圆背面供电的集成封装结构的本发明提供一种实现晶圆背面供电的集成区，STI沟槽以及掩埋式电源轨后再与第三衬底2提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底包括相对设对所述第一衬底的背面进行减薄工艺，并于减薄后的所述提供第三衬底并于所述第三衬底上形成第三氧化硅薄层，并去除所述第二氧化硅薄层并在所述第一衬底600℃以使得所述第一衬底在所述富氢层发生断裂，从而得到具有一定厚度的所述第一衬为20MeV～60MeV且氢离子的注入剂量为4e14/介电保护层的顶部齐平且所述金属互连件的底部3[0003]为了优化对有源器件的供电能力，现有的解决方案是从晶圆的背面进行布线供使用不易控制的外延锗硅层技术而造成的器件可靠性较低以及生产成本高且在去除锗硅4[0011]对所述第二衬底进行解键合工艺，去除所述第二衬底以显露所述第二氧化硅薄[0021]可选地，去除所述第二氧化硅薄层的工艺包括包括具有各向异性的干法刻蚀工程中，第二氧化硅薄层以及第一氧化硅薄层可以作为停止层以防止对第一衬底造成损伤，5[0023]图1显示为本发明的实现晶圆背面供电的集成封装结构的制备方法的步骤流程[0024]图2显示为本发明的实现晶圆背面供电的集成封装结构的制备方法中第一衬底与[0025]图3显示为为本发明的实现晶圆背面供电的集成封装结构的制备方法中形成在第[0026]图4显示为本发明的实现晶圆背面供电的集成封装结构的制备方法中对第一衬底[0027]图5显示为本发明的实现晶圆背面供电的集成封装结构的制备方法中形成STI沟[0028]图6显示为本发明的实现晶圆背面供电的集成封装结构的制备方法中形成掩埋式[0029]图7显示为本发明的实现晶圆背面供电的集成封装结构的制备方法中将第一衬底[0030]图8显示为本发明的实现晶圆背面供电的集成封装结构的制备方法中第三衬底与[0031]图9显示为本发明的实现晶圆背面供电的集成封装结构的制备方法中对第二衬底[0032]图10显示为本发明的实现晶圆背面供电的集成封装结构的制备方法中在第一衬[0033]图11显示为为本发明的实现晶圆背面供电的集成封装结构的制备方法中形成金6词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文和/或本说明书中的含发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数[0042]请参阅图1至图11，本发明提供一种实现晶圆背面供电的集成封装结构的制备方[0044]S2：对所述第一衬底101的背面1012进行减薄工艺，并于减薄后的所述第一衬底轨106位于所述STI沟槽105之间且所述掩埋式电源轨106的[0048]S6：去除所述第二氧化硅薄层1021并在所述第一衬底101上形成纳[0049]以下结合附图对有关所述实现晶圆背面1012供电的集成封装结构的制备方法做7续对第二衬底102进行减薄工艺时，第一氧化硅薄层和第二氧化硅薄层1021键合的区域可正面1011同样也涂抹键合胶，使得第一衬底101与第二衬底102通过键合胶实现临时键合，并于减薄后的所述第一衬底101的背面1012上形成有源区10第一衬底101在所述富氢层103发生断裂，从而得到具有一定厚度的所述第一衬底101的步第一衬底101进行高温退火工艺，在高温退火的作用下第一衬底101在富氢层103处发生断形成富氢层103的氢离子的注入能量及氢离子的注入剂量可根据需要进行选择，此处不作对余下的第一衬底101进行化学机械研磨工艺得到平整光滑的表面，从而有利于后续器件8之间且掩埋式电源轨106的一端分布于有源区104内，掩埋式电源轨106的另一端分布于第行减薄或解键合工艺从而去除第二衬底102，显露所述第二氧化硅薄层1021，当第二衬底102为裸硅(Si)晶圆时，第一衬底101与第二衬底102的键合界面处的第二氧化硅薄层10219化硅薄层1021进行去除以在第一衬底101上形成纳米硅通孔108，且形成的纳米硅通孔108的顶部齐平且所述金属互连件109的底部与覆盖介电保护层110以及纳米硅通孔108的底壁，最后于纳米硅通孔108的底壁开始生长金属互连件109，金属互连件109的底部与掩埋式电源轨106电连接，并对突出的金属互连件