CN119480619A 晶圆缓冲层边缘的清洗方法和设备 （盛美半导体设备(上海)股份有限公司）_第1页
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文档简介

司本申请提供一种晶圆缓冲层边缘的清洗方喷洒第一清洗液，以去除所述晶圆边缘的缓冲层边缘的清洗方法对晶圆表面的副产物印记进2着液点在所述晶圆的清洗线上，所述清洗线与所述晶圆边缘的距离为所述晶圆的斜边宽和/或所述第二清洗液的着液点比所述喷嘴在所述晶圆上的正投影更靠近所述晶圆的边喷洒第一清洗液和/或所述向所述标记位置喷洒第二清洗液时，所述喷嘴与所述晶圆表面3控制器，被配置为：控制所述喷嘴向所述晶圆的清洗线喷洒第一清记位置控制所述喷嘴移动，使得所述喷嘴喷洒的第二清洗液的着液点位于所述标记位置，4附、隔离等作用。缓冲层根据材料的不同也可以称为绝缘层或隔离层。在晶圆的边缘5[0015]根据本申请提供的一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，所述第一清洗液和/或所述第二清洗液的着液点比所述喷嘴在所述晶圆上的正投影更洗液和/或所述向所述标记位置喷洒第二清洗液时，所述喷嘴与所述晶圆表面形成小于9067膜边缘进行去除，还可以去除副产物印记，例如稀氢氟酸（DiluteHydrofluoricAcid，3的混合液。8区域不会电镀形成Cu膜，因此需要对边缘区域的缓冲层进行去除，且化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)无法对晶圆的边缘区域进行去除，且在CMP过程[0052]在边缘清洗过程中，HF和HNO3的混合液与TaN/Ta发生反应产生氟钽酸或氟钽酸9等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替

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