CN119486101A 半导体结构及其形成方法 （长鑫科技集团股份有限公司）

本公开实施例提供一种半导体结构及其形构包括沿第三方向依次间隔设置的多个栅极结2位于所述衬底上沿第一方向间隔排布的字线结构，每个所述多个有源柱结构，设置于每一所述栅极结构的外壁所述第一方向与所述第二方向相交、且位于所述衬底所在的平面内；所所述第一隔离结构位于所述第一沟槽中邻近所述栅极结构的内壁，所述第3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其栅极结构沿所述第一方向的尺寸大于所述凹陷部沿所述第一方向的其中，邻接所述第一沟槽的部分所述有源柱结构构成所述第一所述位线与所述第一源漏极连接，且嵌入于所述第一沟槽中与所述第一隔离结构相所述电容结构与所述第二源漏极连接，且嵌入于所述第二沟槽中与所述第所述间隔层位于沿所述第三方向排布的多个所述位线之间、沿所述第3形成沿第三方向延伸贯穿所述子区域的字线结构，每个所述字线结构形成环绕所述栅极结构、且间隔设置的多个有源柱结构；所述有源柱结所述第一方向与所述第二方向相交，且平行于所述衬底所在平面，所述刻蚀所述子区域，形成沿所述第三方向延伸在所述第三沟槽的部分内壁形成第一初始有源柱结构；所述第一在具有所述第一初始有源柱结构的所述第三沟槽中形成所去除在所述第一方向上延伸进入所述第二牺牲层与所述间隔层之间的部分所述第一其中，剩余的嵌入于所述第二牺牲层与所述间隔层之间的部分第剩余的延伸进入所述第二牺牲层与所述间隔层之间于所述第二牺牲层侧壁的所述第一初始有源柱结构之间的在所述第一沟槽和所述第二沟槽中邻近所述栅极结构的内壁分别形成所述第一隔离在形成所述第一沟槽和所述第二沟槽的同时，去除所述在形成所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之后或者同时，4述第二区域中的沿所述第一方向靠近所述第一区域一侧的所述第一牺牲层，形成第六沟去除所述堆叠结构中剩余的所述第一牺牲层，形成第七沟槽在所述第七沟槽中形成与所述第二源漏极相接在所述第三沟槽的内壁和底部形成第二初始去除所述第三沟槽底部和所述间隔层侧壁的所述第二初始有源柱结刻蚀所述子区域，直至暴露出最底层的所述通过所述第八沟槽，侧向刻蚀去除部分第一牺牲层和部分第二牺牲层5[0002]目前，为了实现半导体结构尺寸的微缩，通常采用环形沟道结构(Channel_All_6[0034]去除在所述第一方向上延伸进入所述第二牺牲层与所述间隔层之间的部分所述[0036]剩余的延伸进入所述第二牺牲层与所述间隔层之间的部分第一初始有源柱结构、7[0039]在所述第一沟槽和所述第二沟槽中邻近所述栅极结构的内壁分别形成所述第一一源漏极和第二源漏极，邻接所述第一沟槽的部分所述有源柱结构构成所述第一源漏极；[0041]在形成所述第一沟槽和所述第二沟槽的同时，去除所述堆叠结构中的第二牺牲[0044]在一些实施例中，邻接所述第二沟槽的部分所述有源柱结构构成所述第二源漏第三沟槽的尺寸大于位于所述第二牺牲层之间的所述一方向间隔排布的字线结构，每个字线结构包括沿第三方向依次间隔设置的多个栅极结8非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个于本领域技术人员而言显而易见的是，本公开可以无需一个或多个这些细节而得以实施。9[0063]目前，多采用六倍的特征尺寸平方(6F2)的六方排布方式和掩埋字线来制造小尺近栅极结构的内壁。由于有源柱结构沿第二方向的至少一端具有开口朝向第二方向的沟面的顶表面以及与正面相对的背面的底表面；在忽略顶表面和底表面的平整度的情况下，方向两侧且邻接沟槽的部分有源柱结构140构成源漏极(即图中181和182)；隔离结构160；[0068]需要说明的是，图2为本公开实施例提供的图1中半导体结构100的俯视图以及沿[0069]本公开实施例中，衬底110可以是硅衬底、锗衬底、锗化硅衬底、绝缘体上硅一字线结构120贯穿沿Z轴方向排列的多个有[0075]本公开实施例中，有源柱结构140沿Y轴方向的两端均具有开口朝向Y轴方向的沟[0079]本公开实施例中，第一隔离结构161和第二隔离结构162可以是任意一种绝缘材[0081]本公开实施例中，由于第一隔离结构161位于第一沟槽171中邻近栅极结构130的第一沟槽171和第二沟槽172，且邻接第一沟槽171的部分有源柱结构140构成第一源漏极结构和漏极之间的距离，减少GIDL的产生；还增加了电容结构和第二源漏极182的接触面状的电容结构190可以减少倾倒或者折断的可能性，多个电容结构190在Z轴方向上堆叠形提供的半导体结构形成方法的流程示意图，图5至图20为本公开实施例提供的半导体结构层211a、初始第二牺牲层212a和初始第一牺牲层211a，以形成如图5所示的初始堆叠结构度更高且电容结构190密度越大。实施时，初始间隔层210a可以为三层，初始第一牺牲层和初始第二牺牲层212a可以通过以下任一沉积工艺形成：化学气相沉积(ChemicalVapor211之间的第三沟槽173的尺寸d1大于位于第二牺牲层212之间[0117]需要说明的是，由于第一牺牲层211相对于第二牺牲层212具有较大的选择刻蚀形成第三沟槽173时，位于第一牺牲层211之间的第三沟槽173的尺寸大于位于第二牺牲层[0122]步骤S1022b，去除第三沟槽173底部和间隔层210侧壁的第二初始有源柱结构[0123]实施时，可以通过干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺，刻蚀第二初始有源柱结构有第一初始有源柱结构140a的第三沟槽173中形续可以同时形成第一沟槽171和第二沟槽172。在其他实施例中，若第一初始有源柱结构例中以第一初始有源柱结构140a全部嵌入于第一牺牲层211中[0127]这里，栅极绝缘材料可以是高介电常数(HK)材料或者氧高介电常数材料例如可以包括氧化铪(HfO2)、氧化硅铪(HfSiO2)、氧化锆(ZrO2)和氧化铝者湿法刻蚀工艺去除部分初始第一绝缘结构220a，暴露出第一牺牲层211沿X轴方向的两[0132]去除在X轴方向上延伸进入第二牺牲层212与间隔层210之间的部分第一初始有源一沟槽171和第二沟槽172；源漏极包括位于有源柱结构140沿Y轴方向两端的第一源漏极二沟槽172的部分有源柱结构140构成第二[0138]在一些实施例中，隔离结构160包括位于第一沟槽171中邻近栅极结构130内壁的175中填充任意一种绝缘材料，形成如图17所示的初始第一隔离结构161a和初始第二隔离电介质层192和第二电极层193构成如图2所示[0155]本公开实施例提供的方法形成的半导体结构与上述实施