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一种耐高温的电磁屏蔽石墨烯薄膜及其制本发明公开了一种耐高温的电磁屏蔽石墨轭结构的苯并噁嗪与单层石墨烯混合组装后升如下所示。本发明制备的共轭结构苯并噁嗪/石墨烯薄膜体系中石墨烯与苯并噁嗪通过共轭作新能源汽车的电子元件或者服务器终端屏蔽电2。10.一种权利要求1所述的耐高温电磁屏蔽石墨烯薄膜材料在新能源汽车的电子元器3一种耐高温的电磁屏蔽石墨烯薄膜及其制备求。在5G的射频模块中，为确保系统级封装在高频下正常工作，需要采用分区电磁干扰中还要考虑到二次污染问题，并追求质轻和高稳定性的电磁屏蔽材料，这具有非常重要的意义。[0004]石墨烯是由sp2杂化的碳原子相互连接而成的单层结构，具有高纵横比和比表面墨烯薄膜材料及其制备方法和应用，本发明制备的含噻吩基苯并噁嗪/石墨烯薄膜体系中45[0021]本发明所述的耐高温电磁屏蔽石墨烯薄膜材料在新能源汽车的电子元器件和计[0026]本发明通过简单的工艺制备了超薄的石墨烯/苯并噁嗪层层结构的薄膜，具有似的π_π共轭作用增加界面性能。同时本发明特定结构的苯并噁嗪能够修补石墨烯表面的缺[0027]本发明中按照同样工艺制备纯石墨烯薄膜会因为结合不噁嗪单体的过多或者过少对于电磁干扰屏蔽性能会产生显同时石墨烯的加入也能提高材料的耐热性能6图8为实施例1_4得到的苯并噁嗪/石墨烯复合薄膜在8_12GHz的电磁屏蔽效率对率大于98%购买于苏州碳丰石墨烯科技公司，具体为购买的石墨烯N_甲基吡咯烷酮分散步骤1、在室温条件下将1.66g(0.01mmol)2,5_二羟基对苯二甲醛，3.467。[0040]步骤2、室温下，向20ml石墨烯分散液(1mg/ml)中加入N一甲基吡咯烷酮稀释成同之处仅在于不加石墨烯5%热失重温度为273℃,800℃下的残炭率为33%。[0051]2、室温下，向20ml石墨烯分散液(1mg/ml)中加入N一甲基吡咯烷酮稀释成100ml8[0052]本实施例制备的苯并噁嗪/石墨烯薄膜5%热失重温度为358℃,10[0055]2、室温下，向20ml石墨烯分散液(1mg/ml)中加入N一甲基吡咯烷酮稀释成100ml[0056]本实施例制备的苯并噁嗪/石墨烯薄膜5%热失重温度为361℃,10[0058]实施例4采用实施例3相同的方法，不同之处仅在于，向21ml石墨烯分散液(1mg/并噁嗪单体。本实施例所制备得到的苯并噁嗪/石墨烯薄膜5%9[0069]采用现有技术中国专利CN117004179A中最优实施例1制备得到耐高温石墨烯薄膜[0071]采用现有技术中国专利CN116987362A中最优实施例1制备得到苯并噁嗪树脂基石

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