CN119491202A 用于等离子体过滤的系统和方法 （应用材料公司）

201811245601.32018.10.24本公开涉及用于等离子体过滤的系统和方支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提件耦合并且经构造以实质上消除穿过等离子体2基板支撑件，所述基板支撑件限定所述基板支撑件的第一表喷淋头与所述基板支撑件之间限定的处理区隔离器，所述隔离器放置在所述基板支撑件的所述环形突出部上并且绕所述圆盘延等离子体屏蔽件，所述等离子体屏蔽件从所述隔离器径向向边缘环，所述边缘环外接所述基板支撑件，其中所述边缘环放置在所2.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件包括从所述圆盘向3.如权利要求2所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件由绕所述等离子体4.如权利要求3所述的半导体处理腔室，其中所述多个孔限定在所述等离子体屏蔽件5.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述多个孔中的每个孔由包括锥形部的6.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件限定穿过所述等离7.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述多个孔中的每个孔由小于或约0.258.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中间隙被维持在所述等离子体屏蔽件的径9.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件被维持与所述基板半导体处理像是进一步包括放置在所述隔离器和所述等离子体屏3基板支撑件，所述基板支撑件与所述喷淋头和所述腔室侧壁一起限内的第一竖直位置移动到所述处理区域内邻近所述喷淋头环形隔离器，所述环形隔离器放置在所述基板支撑件的所述环形外部等离子体屏蔽件，所述等离子体屏蔽件沿着所述基板支撑件所述等离子体屏蔽件被维持在电气接地，并且其中所述等离子体屏边缘环，所述边缘环外接所述基板支撑件，其中所述边缘环放置在所12.如权利要求11所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件由内部半径和外13.如权利要求12所述的半导体处理腔室，其中所述多个孔在所述等离子体屏蔽件的14.如权利要求12所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件在基板支撑件沿15.如权利要求12所述的半导体处理腔室，其中所述边缘环放置在所述等离子体屏蔽17.如权利要求12所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件由所述内部区域壁从邻近所述喷淋头的位置延伸到当所述基板支撑件处于所述第二竖直位置时实质上与19.如权利要求11所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件在面对所述喷淋4造以实质上消除穿过等离子体屏蔽件的等离子体泄漏。等离子体屏蔽件可与电气接地耦部分延伸穿过等离子体屏蔽件。等离子体屏蔽件可限定穿过等离子体屏蔽件的至少约5005[0012]对所公开的技术的性质和优点的进一步理解可以通过参考本说明书的剩余部分[0017]图5A至图5E示出了根据本技术的实施方式可在等离子体屏蔽件中形成的示例性6图案化和移除操作，特别是当基板上已暴露[0022]原子层蚀刻是一种利用在破坏或改性材料表面后接着进行蚀刻操作的多操作工7技术的等离子体屏蔽件可以并入以允许在不产生防止等离子体物质的适当消除的间隔量技术不应当被认为如此限制为仅与蚀刻工艺一起使用。统100的一个实施方式的俯视平面图。图1中描绘的处理工具100可含有多个处理腔室114A常可具有一个运送基板的叶片和一个空置来执行基板交换的叶片。运输机构113可在每个将基板W运输到装载锁定腔室106A至106B内的盒。基板可从装载锁定腔室106A至106B移动气过滤工艺(诸如HEPA过滤)提供。工厂界面104还板的基板定向器/对准器(未示出)。至少一个基板机器人(诸如机器人108A至108B)可定位在工厂界面104中以在工厂界面104内的各个位置之间运输基板并且将基板运输到与其连供对处理腔室中正执行的任何工艺的自适应控制。集成度量腔室117可包括各种度量装置以例如在先前论述的系统100的处理腔室区段114的一个或多个处理腔室区段中使用。通常，蚀刻腔室200可包括用于实现离子研磨操作的第一电容耦合等离子体源和用于实现蚀8通道传递来控制夹盘250的温度并且最终控制基板202此类实施方式中，网孔249可与第一RF电源耦合，使得DC电压偏置和RF电压电势均跨夹盘喷淋头225可设置在夹盘上方以将第一馈送气体分配到由第一喷淋头225和腔室壁240限定[0034]如在附图中进一步示出，蚀刻腔室200可包括能够在低处理压力下具有高处理量期望流率(例如，在氩气为第一馈送气体的情况下，50至500sccm的Ar)下维持低于或约体穿过延伸穿过第二喷淋头210的多个孔280流到第二腔室区域281中并且穿过延伸穿过第一喷淋头225的多个孔282流到第一腔室区域284中。具有孔278的附加流动分配器或挡板或顶板。副电极205和第一喷淋头225可由电介质环220电气隔离并且形成第二RF耦合的电9225接地的情况下，具有在例如13.56MHZ或60MHz下操作的一个或多个RF产生器的RF电源208可经由中继器207与副电极205耦合，所述中继器207可在其它操作模式期间(诸如在离远程等离子体单元(未示出)可与进气口耦合以将等离子体流出物提供到腔室以用于各种盘250可在由波纹管225或类似物围绕的致动机构上，以允许夹盘250移动得更接近或更远基板202升高离开夹盘250的顶表面距离H1以控制在蚀刻工艺期间由第一喷淋头225进行的的电极对自动供电来交替地激励第一等离子体270和第二等离子体[0039]腔室200还可经重新构造来执行沉积操作。等离子体292可在第二腔室区域281中间向第一喷淋头225供电以产生等离子体292的情况下，第一喷淋头225可通过电介质间隔本技术，包括由加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司(AppliedMaterialsInc.of导电圆盘325提供能量或电压。这可在半导体处理腔室300的处理区域320内形成前驱物的[0042]腔室300还可包括与基板支撑件310耦合的等离子体屏蔽件335。等离子体屏蔽件335可经构造以通过中和或消除等离子体流出物来实质上消除穿过等离子体屏蔽件的等离件310的导电圆盘325可与电源耦合以产生偏压等离子体，等离子体屏蔽件335可维持在电质或其它绝缘材料，所述电介质或其它绝缘材料可至少部分隔离等离子体屏蔽件335与导屏蔽件335的内部径向边缘。边缘环345可放置在基板支撑件310上并且可外接导电圆盘环345可随后螺栓连接到等离子体屏蔽件335或以其它方式与[0044]等离子体屏蔽件335可为环形部件，所述环形部件可在实施方式中从基板支撑件外边缘可在虚线350的平面下方定位。衬垫355可类似地在虚线350下方延伸到与等离子体来限制任何流出物或前驱物流过在等离子体屏蔽件335的外部径向边缘与腔室侧壁315的[0046]图4示出根据本技术的实施方式的示例性等离子体屏蔽件400的示意性俯视平面缘405绕等离子体屏蔽件400的内部半径限定。等离子体屏蔽件400还可具有绕等离子体屏蔽件400的外部半径限定的外边缘410。等离子体屏蔽件400可由内边缘405与外边缘410之间的宽度表征。等离子体屏蔽件400还可包括在内部半径与外部半径之间限定的内半径415。内半径415可至少部分限定等离子体屏蔽件400的内部区域420与等离子体屏蔽件400[0048]在实施方式中多个孔430可绕等离子体屏蔽件400的外部区域425延伸。如下文关移除操作)来补偿此压力影响，此举提供到等离子体屏蔽件与腔室侧壁之间的间隙区域的小于或约50mTorr、小于或约40mTorr、小于或约30mTorr、小于或约25mTorr、小于或约430可被包括在绕等离子体屏蔽件400外部区域425的数个同心环中。等离子体屏蔽件可包屏蔽件的孔可为均匀的，尽管孔可由等离子体屏蔽件上的不同环中的不同大小或轮廓表施方式中深宽比可被维持大于或约1:1以确保适当消除等离子[0052]参见图3的等离子体屏蔽件335的横截面图，连同等离子体屏蔽件400的俯视平面[0053]图5A至图5E示出了根据本技术的实施方式可在等离子体屏蔽件中形成的示例性件的外部区域425的说明。图5A示出包括锥形部的孔构造，所述锥形部从等离子体屏蔽件505a的第一表面507a延伸到第二表面509a。第一表面在实施方式中可为面对等离子体的，出了可通过提供面对所形成的等离子体的锥形面积来提供优于其它设计的改进的离子消[0057]涂层也可在等离子体屏蔽件的一些表面(诸如面对等离子体的表面)上形成。例理区域中的偏压等离子体形成。图6示出根据本技术的实施方式的方法600中的示例性操灭等离子体流出物。等离子体屏蔽件可以是在整个本技术中论述的任何等离子体屏蔽件，的污染可减少了大于约5％。所述减少可与处理腔室内的材料和其相对于等离子体的位置