CN119493307A 掺杂有机供体材料的氰基联苯液晶的取向方法及应用 （北华航天工业学院）

掺杂有机供体材料的氰基联苯液晶的取向本公开提出了一种掺杂有机供体材料的氰水结构化形状基板和超亲水平整基片之间大的表面能差，对小分子供体/氰基联苯液晶混合物2根据所要制备的有机供体材料/氰基联苯液晶结构化图案的形状，制备所述有机供体超疏水修饰所述有机供体材料/氰基联苯液晶结构化图案的选择并调节溶剂的表面张力；利用所述溶剂，配置具有一定浓度的掺杂滴加所述有机分散液至所述上基板及所述有机供体材料/氰基联苯液晶结构化图案的所述有机分散液在合适的温度下蒸发、收缩，在上基板沉积，形成取2.根据权利要求1所述的掺杂有机供体材料的氰基联苯液晶复合物的取向方法，其特3.根据权利要求2所述的掺杂有机供体材料的氰基联苯液晶复合物的取向方法，其特4.根据权利要求1所述的掺杂有机供体材料的氰基联苯液晶复合物的取向方法，其特9.一种取向的掺杂供体材料的氰基联苯液晶复材料的氰基联苯液晶根据权利要求1_8任一项所述的方3掺杂有机供体材料的氰基联苯液晶的取向方法及应用[0003]当前，国内外关于掺杂有机小分子供体材料的氰基联苯液晶的取向方法报道较[0007]根据所要制备的有机供体材料/氰基联苯液晶结构化图案的形状，制备所述有机[0011]滴加所述有机分散液至所述上基板及所述有机供体材料/氰基联苯液晶结构化图4上基片与和硅基板剥离，得到形状可控的有机供体材料/氰基联苯液晶复合物结构化图机小分子供体材料的氰基联苯液晶根据本发明所提出的制备方法[0023](1)本发明提供的一种掺杂有机小分子供体材料的氰基联苯液晶的取向方法，取[0024](2)本发明提供的一种掺杂有机小分子供体材料的氰基联苯液晶的取向方法，根[0025](3)本发明研究了制备掺杂有机小分子供体材料的氰基联苯液晶复合物取向方法[0026](4)采用了掺杂有机小分子供体材料的氰基联苯液晶作为光电应用的材料，该类[0027]图1为本公开的实施例1取向后的OXD_7/8OCB小分子供体/液晶复合物的光学照[0028]图2为本公开的实施例1中OXD_7/8OCB小分子供体/液晶复合物取向后的电学应用[0029]图3为本公开的实施例1中OXD_7/8OCB小分子供体/液晶复合物取向后的微米线、[0030]图4为本公开不同加热温度对OXD_7/8OCB小分子供体/液晶复合物取向后的电学5有机小分子供体为OXD_7,氰基联苯液[0039](2)微米线型硅柱的超疏水修饰：微米线型硅柱模板修饰之前需要使用乙醇和丙[0041](4)取向供体小分子OXD_7与液晶8OCB复合物在SiO2@Si硅片上，形成微米线型图6[0044]利用带探针台的半导体参数分析仪，研究OXD_7/8OCB复合物取向后的导电性有机小分子供体为OXD_7,氰基联苯液有机小分子供体为OXD_7,氰基联苯液有机小分子供体为OXD_7,氰基联苯液有机小分子供体为OXD_7,氰基联苯液[0061]本实施例的取向方法和应用与实施例1相同，区别在于步骤(3)OXD与8OCB的质量有机小分子供体为OXD_7,氰基联苯液7有机小分子供体为OXD_7,氰基联苯液[0069]本实施例的取向方法和应用与实施例1相同，区别在于氰基联苯液晶为8OCB替换有机小分子供体为OXD_7,氰基联苯液[0073]本实施例的取向方法和应用与实施例1相同，区别在于氰基联苯液晶为8OCB替换[0074]研究本发明的掺杂小分子供体材料的氰基联苯液晶取向后的电学性能，当固定其他温度加热时的电流密度提高了3个数量级。尤其是加热温度为80℃,电流密度提高了5的，加热温度为低于70℃或高于90℃,样品的电流密度明显低于70℃_90℃。只有8OCB和压时，通过OXD_7/8OCB未取向薄膜、8OCB未取向薄膜和取向后的微米线及OXD_7含量为[0076]图5(c)为施加_60V电压时各个复合液晶微米线的电流密度值与OXD_7含量的关8的是8OCB的(001)面，表明液晶分子形成了近晶相的层状有序排列，8OCB垂直站立于上基衍射峰，对应的是8OCB层状近晶相(001)面的衍射峰，第三个峰出现在6.9°,对应小分子OXD_7的B6相。8OCB的SmAd有机小分子供体为OXD_7,氰基联苯液酰胺、三氯甲烷，氯仿表面张力的值分别为33mN/m、28mN/m、26.4mN/m、二甲基甲酰胺9[0088](1)本发明提供的一种掺杂小分子供体材料的氰基联苯液晶的取向方法，取向方[0089](2)本发明提供的一种掺杂小分子供体材料的氰基联苯液晶的取向方法，根据实[0090](3)本发明研究了制备掺杂有机小分子供体材料的氰基联苯液晶复合物取向方法[0091](