CN119495324A 磁盘装置及磁盘装置的控制方法 （株式会社 东芝）

本发明提供能够不会使写入性能下降地防止相邻磁道的品质恶化的磁盘装置及磁盘装置和所述地址处的所述磁头相对于所述磁道的定区在半径方向上靠前2个磁道处的第2扇区的定2址和所述地址处的所述磁头相对于所述磁道的定位误差登记于所述偏在向第1扇区写入数据时，所述控制器基于位于在半径方向上从所述第1扇区靠前2个所述控制器在所述第2扇区为未登记的状态、或在写入到所述第1扇区与所述第2扇区所述控制器基于位于从所述第1扇区靠内周侧2个磁道处的第3扇区的定位误差和位于所述控制器基于修正量来修正所述第1扇区的定位目标位置，所述修正在所述第3扇区为未登记的状态、或在写入到所述第1扇区与所述第3扇区之间的扇区在所述第4扇区为未登记的状态、或在写入到所述第1扇区与所述第4扇区之间的扇区在所述第3扇区或所述第4扇区为非有效状态的情况下，以使得针对在与所述半径方向正交的圆周方向上与所述第1扇区相邻的一对扇区，算出修正量初始值，所述修正量初始值是对位于从所述一对扇区靠内周侧2个磁道处的扇区的定位误差加上位于从所述一对扇区靠外周侧2个磁道处的扇区的定位误差而得到的值的一半的算出辅助偏移量，所述辅助偏移量是对所述一对扇区中的一加上所述一对扇区中的另一方的扇区的初始修正量算出修正量最佳值，所述修正量最佳值是对所述修正量加3针对在与所述半径方向正交的圆周方向上从所述第1扇区在第1方向上排列的预定数量的扇区和位于从所述第1扇区在与所述第1方向相反的第2方向上的预定数量的扇区，算出修正量初始值，所述修正量初始值是对靠内周侧2个磁道的扇区的定位误差加上靠外周通过所述预定数量的扇区中的修正量初始值以及所述修正量的线基于所述第3扇区的定位误差以及所述第4扇区的定位误差，算出用将所述磁道中的写入有数据的地址和所述地址处的所述磁头相对于所述磁道的定位在向第1扇区写入数据时，基于位于在半径方向上从所述第1扇区4[0004]系统控制器进行磁头相对于在磁盘上呈大致同心圆状地形成的多个磁道的定位[0005]本发明的实施方式提供能够不使写入性能下降地防止相邻磁道的品质恶化的磁制器基于位于在半径方向上从所述第1扇区靠前2个磁道处的第2扇区的定位误差，修正所将所述磁道中的写入有数据的地址和所述地址处的所述磁头相对于所述磁道的定位误差[0013]图6是示出目标位置的修正量和写入到靠前2个磁道的扇区的数据的定位误差的5[0014]图7是示出目标位置的修正量和写入到靠前2个磁道的扇区的数据的定位误差的[0015]图8是示出目标位置的修正量和写入到靠前2个磁道的扇区的数据的定位误差的[0016]图9是示出目标位置的修正量和写入到靠前2个磁道的扇区的数据的定位误差的及相对于目标扇区的偏离磁道限幅(offtracksli道写入表，612…目标位置轨道生成电路，613…紧缩处理电路，PE…定位误差，Trkm2、[0030]对于盘10，作为可写入数据的区域，被分配了能够由用户利用的用户数据区域10a、将从主机100等传送来的数据(或命令)在向用户数据区域10a的预定区域写入之前暂6取头15R从盘10读取到的读取信号放大并向系统控制器130(详细而言，后述的读取/写入性存储器70保存磁盘装置1的各部中的处理所需的数据等。易失性存储器70例如是DRAM[0037]缓冲存储器90是对在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等暂时地记录的半导DRAM、SRAM(StaticRandomAccessMemory：固态随机存取存储器)、SDRAM、FeRAM(FerroelectricRandomAccessmemory：铁电随机存取存储器)、或MRAM[0039]R/W通道40根据来自后述的MPU60的指示，执行从盘10向主机100传送的读取数据7[0042]MPU60包括控制写入处理的写入控制部610、以及控制读取处理的读取控制部620头15R)的中心部配置于预定位置”仅称为“将头15(写入头15W或读取头15R)定位于预定位15W或读取头15R)定位于预定位置”或“将头15(写入头15W或读取头15R)配置于预定位置”[0044]写入控制部610在作为写入处理时的目标的位置(以下，也有时称为定位目标位[0049]读取控制部620在目标读取位置配置头15(读取头15R)而读取数据。读取控制部[0051]磁盘装置1的头(磁记录再现头)15通过包含VCM14等的致动器来被控制半径方向8[0053]若基于定位控制的定位误差大，则擦除记录于相邻的磁[0056]如图2的上段所示，写入到磁道Trk0以及磁道Trk2的数据的各数据区域具有擦除许读取错误率的磁道宽度变窄(TrackSqueeze)量。TPI余量值TM由下述的式(2)表示。此9[0068]定位误差PE0、修正量OFS0以及上限值PEMX的关系能够由下述的式子来表示。此[0074]式(4)表示了在将修正量OFS0设为了定位误差PE2的情况下，磁道宽度TW1比作为与磁道Trk0的外周侧相邻的磁道Trkm1(参照图3[0076]图3是示出第1实施方式涉及的磁盘装置1的写入处理的一例的图。在图3的下段[0077]如图3的下段所示，磁道Trk2的数据区域D2朝向外周方向偏移了误差PE2地被写[0083]对于磁道宽度TW1的下限值与磁道宽度TWm1的下限值能够取得平衡那样的目标位从目标扇区靠外周侧2个磁道的扇区的定位误差PEm2而得到的值的一磁道Trk2)的数据的定位误差(在一例中为误差PE2)、和写入到位于靠外周侧2个磁道的位置的磁道(在一例中为磁道Trkm2)的数据的定位误差(对象的磁道(在一例中为磁道Trk0)的两侧相邻的磁道(在[0090]如图4所示，写入控制部610的写入处理电路C1具有偏离磁道写入表(OfftrackWriteTable)611、目标位置轨道生成电路612、物理目标位置变换器(Physicaltarget[0091]目标扇区(C，S)通过物理目标位置变换器614被变换为作为盘10的半径位置的物616输出。致动器616将控制量U作为输入而输出作为盘10的半径位置的磁头15的物理位置进行向偏离磁道写入表611的定位误差的登记以及更新的[0098]绝对值PEA在运算放大器OP1中与预定的登记判定阈值Th进行比较。运算放大器OP1在绝对值PEA超过了登记判定阈值Th的情况下将登记标志RF1作为1而输出，在绝对值PEA没有超过登记判定阈值Th的情况下将登记标志R[0100]运算放大器OP2对过去的最大定位误差PEP与当前的定位误差PE(C，S)的绝对值在绝对值PEA没有超过最大定位误差PEP的情况下将更新标志R[0103]在登记标志RF1作为1而输出且更新标志RF2作为1而输出的情况下，AND门G1将更[0105]图6是示出目标位置的修正量OFS、和写入到靠前2个磁道的扇区的数据的定位误[0111]在实施随机存取的磁盘装置1中，目标磁道的靠前2个磁道处的写入状态存在变[0112]以下，对不使用写入到靠前2个磁道处的数据的定位误差的中点作为目标位置的[0113]图7是示出目标位置的修正量OFS、和写入到靠前2个磁道的扇区的数据的定位误(C+2，S6)是记录(登记)完毕状态(有效(active)状态)，上述扇区中的定位[0124]图8是示出目标位置的修正量OFS和写入到靠前2个磁道的扇区的数据的定位误差[0129]图9是示出目标位置的修正量OFS和写入到靠前2个磁道的扇区的数据的定位误差[0138]总而言之，磁盘装置1能够算出在圆周方向上与目标扇区(C，S)相邻的一对扇区生成将写入到靠前2个磁道的扇区的数据的定位误差因不连续而产生的目标位置的修正量扇区的修正量初始值OFS、和针对从目标扇区[0151]根据第1实施方式涉及的磁盘装置1，磁盘装置1在将数据向第1扇区(在一例中为超过检测引起的写入动作停止的产生频度增加而使写入性能下降地防止相邻磁道的品质定位误差PE的绝对值超过了写入偏离磁道限幅绝对值WOS的道限幅±WOS的超出量称为超越(overrun[0158]在将超越量OVR的最大值的绝对值设为超越最大值绝对值OVMX时，定位误差的绝对值的上限值PEMX是偏离磁道限幅绝对值WOS与超越最大值绝对值OVMX之和，由式(13)表[0162]以下，对考虑偏离磁道限幅绝对值WOS来决定目标位置的修正量OFS的第2实施方将图2的中段用偏离磁道限幅绝对值WOS和超越最大值绝对值OVMX表示[0187]在此，在写入到磁道Trk0的数据的数据区域D0的定位误差PE0在内周侧以超越最周侧相邻的磁道Trk1的磁道宽度相对于下限值TWL能够确保超越最大值绝对值OVMX以上的[0193]然而，磁道Trk0的新的内周侧的偏离磁道限幅WOS0p的绝对值为原来的内周侧的[0195]也就是说，新的内周侧的偏离磁道限幅WOS0p使原来的内周侧的偏离磁道限幅+外周侧的偏离磁道限幅_WOS的概率与在内周侧超过新的内周侧的偏离磁道限幅WOS0p的概差而磁道Trk0的外周侧的偏离磁道限幅道限幅+WOS变化的情况下的修正量OFS[0202]如图12所示，磁道Trkm2的定位误差PEm2已知且定位误差PEm2超过了内周侧的偏[0209]此时，以在内周侧超过磁道Trk0的内周侧的偏离磁道限幅WOS0p的概率与在外周[0214]图13是示出第2实施方式涉及的磁盘装置1的控制构成的一例的框图，示出了图1的写入偏离磁道限幅绝对值WOS。紧缩处理电路613将与这些输入相应的偏离磁道限幅路612输出。目标位置轨道生成电路612基于被输入的偏离磁道限幅WOSp、WOSm来进行式[0232]对上述目标扇区的靠外周侧2个磁道的扇区进行了写入时的数据的定位误差PE[0233]另外，对上述目标扇区的靠内周侧2个磁道的扇区进行了写入时的数据的定位误的定位误差PE(C+2，S3)向外周方向超过了既定的外周侧的偏离磁道限幅_WOS。更具体而[0244]内周侧的偏离磁道限幅WOSp(C，S3)是从既定值的+WOS偏移了作为超过的量的超[0254]外周侧的偏离磁道限幅WOSm(C，S6)是从既定值的_WOS偏移了作为超过的量的超[0265]图15是示出目标位置的修正量OFS和相对于目标扇区的偏离磁道限幅WOSp、WOSm数据的定位误差不连续的情况下，也能够保护