CN119495342A 一种存储器及其操作方法、存储器系统和可读存储介质 （长江存储科技有限责任公司）

本公开实施例提供一种存储器及其操作方括存储单元阵列和耦接至所述存储单元阵列的及编程确认命令的过程和进行至少两次初始化2所述第一信号发生电路被配置为：在所述接口电路接收编程操作对应所述第二信号发生电路被配置为：在所述接口电路接收编程操作对应4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第一初始化操作包括温度检测操所述第三信号发生电路被配置为：在所述接口电路接收编程确认命令所述时钟信号电路被配置为：在所述微控制单元进行第一初始化操作、所述第四信号发生电路被配置为：在所述接口电路接收编程操作对应3收编程操作对应的编程数据的过程和进行第四初始化8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述第四初始化操作包括温度检测操所述第三信号发生电路被配置为：在所述接口电路接收编程确认命令所述时钟信号电路被配置为：在所述微控制单元进行第四初始化操作和所述第一信号发生电路在所述接口电路接收编程操作对应的编程命令之后发送第一程操作对应的编程地址的过程和进行第一初始化操作的过程操作对应的编程地址相关且和编程操作对应的编所述第二信号发生电路在所述接口电路接收编程操作对应的编程地址之后发送第二4程操作对应的编程数据的过程和进行第二初始化操作的过所述接口电路接收编程操作对应的编程数据和编程所述第三信号发生电路在所述接口电路接收编程确认命令之后发送第三初始化操作所述时钟信号电路在所述微控制单元进行第一初始化操作、第二初始所述接口电路接收编程操作对应的编程命令和所述第四信号发生电路在所述接口电路接收编程操作对应的编程地址之后发送第四对应的编程数据的过程和进行第四初始化操作的过程所述接口电路还接收编程操作对应的编程数据和编程所述第三信号发生电路在所述接口电路接收编程确认命令之后发送第三初始化操作所述时钟信号电路在所述微控制单元进行第四初始化操作和第三初始化操作的过程机程序被执行时可以实现如权利要求12至19中任一项所述的存储器56四初始化操作和第三初始化操作，所述第四初始化操作和编程操作对应的编程数据无关；7[0043]所述第一信号发生电路在所述接口电路接收编程操作对应的编程命令之后发送收编程操作对应的编程地址的过程和进行第一初始化[0048]所述第二信号发生电路在所述接口电路接收编程操作对应的编程地址之后发送收编程操作对应的编程数据的过程和进行第二初始化[0053]所述第三信号发生电路在所述接口电路接收编程确认命令之后发送第三初始化四初始化操作和第三初始化操作，所述第四初始化操作和编程操作对应的编程数据无关；[0059]所述第四信号发生电路在所述接口电路接收编程操作对应的编程地址之后发送操作对应的编程数据的过程和进行第四初始化操作8[0064]所述第三信号发生电路在所述接口电路接收编程确认命令之后发送第三初始化[0067]所述时钟信号电路在所述微控制单元进行第四初始化操作和第三初始化操作的存储器包括存储单元阵列和耦接至所述存储单元阵列的外围电路；所述外围电路被配置和编程数据以及编程确认命令的过程和进行至少两次初始化操作的过程在时间上至少部9[0082]下面将结合本公开实施方式及附图，对本公开实施方式中的技术方案进行清楚、的编程操作过程中，输入类型(CycleType)包括编程命令(Command，CMD)、编程地址芯片处于繁忙(busy)状态。图1还示意出从输入编程地址到输入编程数据的时间间隔列的外围电路，其中，外围电路包括接口电路(NANDInterface，NAND_IF)和微控制单元(MicrocontrollerUnit，MCU)。接口电路依次接收编程命令(command)、编程地址编程确认命令(command)之后触发(trigger)微控制单元执行编程算法的固件(Firmmare)，从而对存储单元阵列进行编程操作。编程算法的固件在被触发之后首先进行初始化操作顺序执行编程脉冲(progpulse)/验证(verify)，直到所有存储单元达到编程态所需的目据以及编程确认命令之后进行一次初始化操作，只有完成初始化操作之后才可以进行编程地址和编程数据以及编程确认命令的过程和进行第四初始化操作的过程在时间上至少储串110包括串联耦合并且垂直地堆叠的多个存储单元108。每个存储单元108可以保持连储单元108可以是包括浮栅晶体管的浮栅类型的存储单元，或者是包括电荷捕获晶体管的[0098]在一些实施例中，每个存储单元108可以是具有两种可能的存储状态并且因此可[0099]如图3所示，每个存储串110可以包括在其源极端处的源极选择晶体管(SourceSelectiveTransistor，SST)112和在其漏极端处的漏极选择晶体管(DrainSelective施例中，同一存储块(Block)106中的所有存储串110具有阵列共源极(ArrayCommon在一些实施例中，每个存储串110被配置为通过经由一个或多个漏极选择栅极线(Drain线124耦合，字线124选择存储单元108的哪一行受读取和编程操作的影响。在一些实施例[0101]需要说明的是，图3示意出的存储页即为物理页，指的是物理层面上一层存储单[0102]参考图4，图4为本公开实施例提供的包括存储串的存储单元阵列的剖面示意括硅(例如，单晶硅)、硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)、锗(Ge)、绝缘体上硅(Silicon_On_[0103]存储堆叠层130可以包括交替的栅极导电层132和栅极电介质层134。存储堆叠层130中的栅极导电层132和栅极电介质层134的对的数量可以确定存储单元阵列102中的存储单元108的数量。栅极导电层132可以包括导电材料，导电材料包括但不限于钨(W)、钴每个栅极导电层132可以包括围绕存储单元108的控制栅极，并且可以在存储堆叠层130的极选择栅极线118、或者在漏极选择栅极线120与源极选择栅极线118之间横向地延伸作为线118和漏极选择栅极线120将电压信号和/或电流信号施加到每个目标存储单元108以及从每个目标存储单元108感测电压信号和/或电流信号来促进存储单元阵列102的操作。外围电路104可以包括使用金属_氧化物_半导体(MetalOxideSemiconductor，MOS)技术形102和耦接至存储单元阵列102的外围电路104；外围电路104包括接口电路136和微控制单程数据无关指的是进行第二初始化操作的过程中需要使用编程操作对应的编程地址且无102和耦接至存储单元阵列102的外围电路104；外围电路104包括接口电路136和微控制单作对应的编程地址相关且和编程操作对应的编程数据无关的第二初始化操作。示例性地，接收编程操作对应的编程数据的过程和进行第四初始化操作的过数据的过程和微控制单元138进行第四初始化操作的过[0148]如图6和图7所示，接口电路136接收编程操作对应的编程确认命令之后可以触发子程序的执行(即，第四初始化操作)在用户输入编程操作对应的编程地址后即可触发执善部分初始化操作所占用的时间对编程性能以在接口电路接收编程操作对应的编程数据的过程中，微控制单元进行第四初始化操作；[0156]示例性地，可以在接口电路接收编程操作对应的编程地通过检测微控制单元的时钟信号电路是否输出时钟信号的转变即可判断是否使用本公开过检测微控制单元的寄存器是否发生翻转即可判断是否使用本公开实施例提供的存储器时序参数，具体的电压/时序参数的计算可以根据实际情况进行灵活的选择，在此不再赘线偏置电压传输到偏置开关(biasswitch)阵列中。可以在接口电路接收编程操作对应的的过程中，一旦接口电路接收编程操作对应的编程数据的过程结束之后立即发送复位命口电路接收编程操作对应的编程命令、编程地址和编程数据的过程中已经进行温度检测[0161]此外，可以通过在版图上观察静态随机存取存储器(StaticRandomAccess膝上型计算机等的移动设备的数据储存器以及企业存储阵列。制器202还被配置为处理关于从存储器100读取的或者被写入到存储器100的数据的纠错码人计算机存储器卡国际协会(PersonalComputerMemoryCardInternational[0180]第一信号发生电路在接口电路接收编程操作对应的编程命令之后发送第一初始作对应的编程地址的过程和进行第一初始化操作的过[0185]第二信号发生电路在接口电路接收编程操作对应的编程地址之后发送第二初始作对应的编程数据的过程和进行第二初始化操作的过[0190]第三信号发生电路在接口电路接收编程确认命令之后发送第三初始化操作信号[0196]第四信号发生电路在接口电路接收编程操作对应的编程地址之后发送第四初始对应的编程数据的过程和进行第四初始化操作的过程[0201]第三信号发生电路在接口电路接收编程确认命令之后发送第三初始化操作信号[0204]时钟信号电路在微控制单元进行第四初始化操作和第三初始化操作的过程中均计算机程序被执行时可以实现如上述技术方[0206]本公开实施例中，计算机可读存储介质可以包括：随机存储器(RandomAccess存储器包括存储单元阵列和耦接至所述存储单元阵列的外围电路；所述外围电路被配置和编程数据以及编程确认命令的过程和进行至少两次初始化操作的过程在时间上至少部构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本公开的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味