CN119495353A 一种存储芯片的测试方法及测试装置 （合肥康芯威存储技术有限公司）

区宿松路3963号智能装备科技园D3栋本发明提供一种存储芯片的测试方法及测试方法包括以下步骤：向存储芯片写入填充数数据单元中所述测试数据的数据格式与写入顺最后写入的所述测试数据和写缓存器中最后写2开启所述存储芯片的缓存功能，并向所述存储芯片中写入测试依据所述存储器中最后写入的所述测试数据和写缓存器中最后写入的所述测试数据入的所述填充数据的数据量大于所述存储器和所述缓存测试数据的数量等于所述数据单元的容量除以一9.根据权利要求1所述的一种存储芯片的测试方法，其特征在于，所述测试方法还包处理器，运行所述程序指令实现如权利要求1至权利要求9任意一项3依据所述存储器中最后写入的所述测试数据和写缓存器中最后写入的所述测试[0007]在本发明一实施例中，所述填充数据的值大于所述存储器中所述数据单元的数4明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有高低，因此不能理解相对重要性。56储芯片200的数据格式不同，避免在后续通过测试数据的数据格式获取写缓存器2022的容储芯片200中存储器203的大小为1GB，每个数据单元的容量为4KB，则存储器203中一共有需要的填充数据的数量需要依据数据单元的容量以及填充中，当写缓存器2022被测试数据写满时，再向存储芯片200中写入测试数据，且写缓存器72022中最先被写入的测试数据会被下发到存储器203中，而后写入的测试数据被存储在写[0039]请参阅图1和图2所示，在本发明一实施例中，在向存储芯片200中写入测试数据据格式的测试数据的大小为4B。而数据单元的容量例如为4KB。则向存储芯片200中发送[0041]在向存储芯片200发送了一个数据单元的第一个数据格式的测试数据后，测试数个数据格式的测试数据以及1024个第五个数据格式的测试数据等。即依次向存储芯片200测试数据按照写入顺序下发至存储器203中。则1024个第一个数据格式的测试数据先被下发至存储器203中，且1024个第一个数据格式的测试数据覆盖原来一个数据单元中的填充个数据单元内的填充数据0xFFFFFFFF，1024个0x00000004覆盖存储器203中一个数据单元内的填充数据0xFFFFFFFF，以及1024个0x00000005覆盖存储器203中一个数据单元内的填即会将写缓存器2022中的测试数据依据测试数据的写入顺序下发至存储器203中，进而保8缓存器2022中存储的测试数据会丢失，而保存至存储器203中的测试数据仍然保存在存储数据和写缓存器2022中最后写入的测试数据后，可以依据存储器203中最后写入的测试数[0052]请参阅图1和图2所示，在本发明一实施例中，当需要获取更加准确的写缓存器[0053]请参阅图3所示，本发明还提供一种存储芯片的测试装置，测试装置包括存储器9也包括外部存储设备。存储器不仅可以用于存储安装于电子设备的应用软件及各类数据，个封装的集成电路所组成，也可以是由多个相同功能或不同功能封装的集成电路所组成，完成特定功能的一系列程序指令段，该指令段用于描述所述程序在所述主机中的执行过存储器中最