CN119495570A 半导体芯片铝焊盘的制造方法 （上海华力集成电路制造有限公司）_第1页
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本发明公开了一种半导体芯片铝焊盘的制属层；在顶金属层上沉积从下到上为SiN_OX_2S2.在顶金属层(100)上沉积钝化层，所述钝化层为从下到上的SiN_OX_SiN_OX四层结所述RV工艺包括分配通孔光阻显影及分配通3[0004]铝作为表面金属层时，在半导体工艺中对铝表面的钝化层进行刻蚀打开焊盘电化学反应形成氟氧化物等晶体，极易造成刚暴露出来的Al焊盘表面发生Al焊盘结晶(Al[0009]S2.在顶金属层100上沉积钝化层，所述钝化层为从下到4[0031]本发明的半导体芯片铝焊盘的制造方法，不需要进行保护层刻蚀工艺(Cover_ETloop)，不需要在Al表面淀积阻挡层薄膜作为芯片保护层，不需要对其形成的Al焊盘(AlSiN_OX_SiN_OX四层结构的钝化层的顶层OX(氧化物)层也可起到保护作用，完整保持下三层SiN_OX_SiN的三明治结构，保留了与常规工艺相同的部分，不存在其他隐患(side5[0033]图1为本发明半导体芯片铝焊盘的制造方法一实施例顶金属层上沉积SiN_OX_[0034]图2为本发明半导体芯片铝焊盘的制造方法一实施例光刻定义出需要Al生长的区[0035]图3为本发明半导体芯片铝焊盘的制造方法一实施例去除需要Al生长的区域的钝[0036]图4为本发明半导体芯片铝焊盘的制造方法一实施例进行铝焊盘层工艺剖面示意[0037]图5为本发明半导体芯片铝焊盘的制造方法一实施例光刻定义出连接孔区域剖面[0038]图6为本发明半导体芯片铝焊盘的制造方法一实施刻蚀去除连接孔区域之外的多6[0048]S5.光刻刻蚀，去除不需要Al的铝焊盘层(AluminumPadLayer，APL)刻蚀(APL_ET)时可以保护底部的三明治结构不被破测试)的Al焊盘(Alpad)。此时Al焊盘周围的结构与常规工艺生长的Al焊盘区域周围的结[0051]实施例一的半导体芯片铝焊盘的制造方法，不需要进行保护层刻蚀工艺(Cover_SiN_OX_SiN_OX四层结构的钝化层的顶层OX(氧化物)层也可起到保护作用，完整保持下三层SiN_OX_SiN的三明治结构，保留了与常规工艺相同的部分，不存在其他隐患(side[0056]通过RV_Etch(分配通孔刻蚀)工艺，去除连接孔区域的钝化层(Passivation7[0059]基于实施例一的半导体芯片铝焊盘的制造方法，步骤S2中，在顶金属层(Topmetal)100上沉积钝化层(passivationlayer)包括以下[0074]实施例五的半导体芯片铝焊盘的制造方法，将连接孔(Vi

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