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文档简介
一种用于电子器件散热的相变合金热沉结本发明公开了一种用于电子器件散热的相铝合金壳体以及设置在壳体内的至少两个独立顺序，从热沉的热端到冷端的方向依次填入型2相变合金储热材料按照重量百分比计的组成为：铋占比50.5～51.5镉占比20.5~相变合金储热材料按照重量百分比计的组成为：铋占比50.5～51.5镉占比20.5~占比49.5～50.5锡占比12.5～13.5铅占比26.5～27.5镉占比9.5～10.5所述低温相变合金储热材料按照重量百分比计的组成为：铋占比38.5～39.53金之中制成散热器。硅基芯片的最高使用温度是150℃,一般控制其正常工作时不超过120℃,所以储能材料的相变温度在60～120℃左右的材料均可用作相变热沉的填充物。[0003]评价一种热沉结构性能的主要维度包括整体储热的数量和工作时间内的储热效4型腔内分别填充有相变合金储热材料，相变合金储热材料按照相变温度由高到低的顺序，[0010]其中，所述高温相变合金储热材料按照重量百分比计的组成为：铋占比50.5~51.5镉占比20.5～21.5锡占比27.5～28.5所述中温相变合金储热材料按照重量[0012]其中，所述高温相变合金储热材料按照重量百分比计的组成为：铋占比50.5~51.5镉占比20.5～21.5锡占比27.5～28.5所述中温相变合金储热材料按照重量金壳体依次传递到高温相变材料、中温相变材料、低温相变材料。直至低温相变材料达到5温相变合金：铋占比49.5～50.5锡占比12.5～13.5铅占比26.5～27.5镉占比9.5~10.5低温相变合金：铋占比38.5～39.5铟占比42.5～43.5锡占比17.5~热材料按照重量百分比计的组成为：铋占比50.0锡占比13.0铅占比27.0镉占比6中温相变合金：铋占比50.2锡占比12.8铅占比27.1镉占比9.9高温相变合金：铋占比51镉占比21.3锡占比27.7％。低温相变合金的相变温度区间为70～90℃,固749.9锡占比13.1铅占比26.8镉占比10比20.9锡占比28.3％。低温相变合金的相变温度区间为60～70℃,固态导热率为20W/
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