CN119496480A 一种抑制杂波的高q值体声波谐振器及其制备方法 （杭州电子科技大学）

一种抑制杂波的高Q值体声波谐振器及其制本发明公开了一种抑制杂波的高Q值体声波2压电堆叠结构，所述压电堆叠结构位于衬底上，所述压电堆叠2.根据权利要求1所述的抑制杂波的高Q值体声所述第二上电极的边部与第一上电极的边缘和压电层之间3.根据权利要求2所述的抑制杂波的高Q值体所述第一空气气隙设置在所述第二上电极的边部与压电层之间所述第二空气气隙设置在所述第二上电极的边部与第一上电极4.根据权利要求3所述的抑制杂波的高Q值体声波谐振器，5.根据权利要求3所述的抑制杂波的高Q值6.根据权利要求1所述的抑制杂波的高Q值体声波谐在衬底的上方形成压电堆叠结构，所述压电堆叠结构位于衬底上8.根据权利要求7所述抑制杂波的高Q值体声3[0001]本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种抑制杂波的高Q值体声波谐振器及其需要的纵向声波外，谐振结构还存在各类杂波，其中以横向传播的Lamb波影响最为显著。[0005]公开号为CN114938213A的发明专利申请公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备[0006]本发明提供了一种抑制杂波的高Q值体声波谐振器，该体声波谐振器具有合适Q4所述第二上电极的边部与第一上电极的边缘和压电层之间[0015]另一方面，本发明还提供一种根据所述的抑制杂波的高Q值体声波谐振器的制备5[0016]本发明利用在第一上电极的边缘处生长第二牺牲层，通过控制第二牺牲层的尺图4为本发明具体实施例提供的在下电极103和种子层102上形成压电层104的剖图5为本发明具体实施例提供的在压电层10图6为本发明具体实施例提供的在压电层104上形成第一上电极106上形成第二牺图7为本发明具体实施例提供的在第一上电极106和第二牺牲层112上形成第二上图8为本发明具体实施例提供的在第二上电极图10为本发明具体实施例提供的抑制杂波的高Q值体声波谐振器与普通空气桥结图11为本发明具体实施例提供的抑制杂波的高Q值体声波谐振器与普通空气桥结图12为本发明具体实施例提供的抑制杂波的高Q值体声波谐振器的不同宽度下垂6[0022]本发明具体实施例提供该上电极从下到上包括第一上电极10二上电极107的边部与第一上电极109的边缘和压电层之间设有空气桥，该第二上电极107的边部与第一上电极109的边缘之间设有第二空气气隙110，该第二上电极107的边部与压[0028]（5）如图5所示，在压电层103表面通过热蒸发或磁控溅射等方法沉积100nm金属7理得到设计所需图案。[0040]上述实例中的薄膜体声波谐振器可以为空腔型FBAR，即所述的空腔101通过释放所述牺牲层以形成空腔；或者所述薄膜体声波谐振器也可以为布拉格反射层结构的FABR，[0041]图10的a和b为空气桥结构下，有下垂臂结构和无下垂臂的有下垂臂结构的体声波谐振器的下垂臂部的宽度为1.2um_2um，需要注意的是下垂部宽度为1.7_2um时谐振器Q值低于无下垂臂结构，具有下垂臂部结构的8[0043]图12为具有下垂臂结构的谐振器Q值随下垂臂宽度变化而震荡变化且通过对下垂器，同时宽度的变化并不影响其对杂波的抑制作用，单一的空气桥结构的谐振器其Q值为9