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文档简介

材料层内且临近底壁延伸的第一电流导通路径2第一沟槽，位于所述半导体材料层中，所述第一沟槽由所述漏极区，位于所述第一沟槽外周的所述半导体材场氧层，位于所述第一沟槽中，且在所述底壁和所述侧壁其中，所述半导体器件的电流导通路径包括位于所述半导延伸的第一电流导通路径以及临近所述侧壁延伸的第二电2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场氧层由浅沟槽隔离结构形面与所述底壁所在的平面之间的夹角的范围为100度形成第一沟槽，所述第一沟槽位于所述半导体材料层中，所述平面与所述底壁所在的平面之间的夹角为钝在所述第一沟槽外周的所述半导体材料层中形成漏极区，3其中，所述半导体器件的电流导通路径包括位于所述半导延伸的第一电流导通路径以及临近所述侧壁延伸的第二电壁所在的平面与所述底壁所在的平面之间的夹角的范围为1004[0003]BCD工艺除了综合了双极器件高跨导和强负载驱动能力，以及CMOS器件的高集成度和低功耗的优点之外，更为重要的是还综合了DMOS器件高压大电流驱动能力的特性。底壁延伸的第一电流导通路径以及临近所述侧壁延伸的第5平面与所述底壁所在的平面之间的夹角的范围为10形成源极区，所述源极区位于所述阱区的未被所述栅极介质层覆盖的部分的表底壁延伸的第一电流导通路径以及临近所述侧壁延伸的第平面与所述底壁所在的平面之间的夹角的范围为106图5至图15为本申请实施例提供的半导体7[0027]这里，场板可以有效地抑制表面电场，是因为在场板处形成了类似于一个MOS220中；浅沟槽隔离结构300，位于源极区230和漏极区250之间的漂移区220中；栅极结构89层120和外延层130的导电类型可以根据实际形成以是N+源极区（N+source漏极区250可以是N+漏极区（N+drain阱区210可以是P_阱区触电阻。与第一沟槽310的深度之间的差值，调整耐压路径的长短，以避免从横向调整耐压路径长体材料层100内部延伸的第一沟槽310中形成场氧层340，且场氧层340的内侧表面341与底质层350的材料包括但不限于氧化物；栅极侧墙410的材料包括但不限于氧化硅和氮氧化[0072]具体地，提供半导体材料层100可以包括：提供衬底110；在衬底110上形成埋层侧壁312所在的平面与底壁311所在的平面之间的夹角的范围为100度至110度；第一沟槽氧层340的内侧表面341为场氧层340的远离侧壁312的侧表面。由此，使得越靠近漏极区极接触通孔（图中未示出其中，源极区接触通孔610贯穿介质层600并暴露部分晶化层半导体器件结构的制备方法所制备的半导体器件均在本申请保护的范

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