CN119497440A 硅片钝化方法和电池制备方法 （天合光能股份有限公司）_第1页
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文档简介

本申请涉及一种硅片钝化方法和电池制备相沉积工艺对所述原始基材的侧面进行钝化处2采用化学气相沉积工艺对遮挡后的原始基材的侧面进行钝化处理，得到所述钝化基在所述带绒硅片的两个表面依次沉积本征非晶硅层、掺杂非晶在所述带绒硅片的两个表面依次沉积本征隧穿氧化层、掺杂多晶硅层和钝化接触层，3分别对清洗后的所述边缘钝化硅片的正面和背面进行制绒对清洗后的所述边缘钝化硅片的正面进行制绒处理，以在所述清洗后对正面制绒后的边缘钝化硅片的背面进行抛光处理，以在所述正面4[0012]采用化学气相沉积工艺对遮挡后的原始基材的侧面进行钝化处理，得到钝化基5[0031]在带绒硅片的两个表面依次沉积本征隧穿氧化层、掺杂67[0059]步骤102，采用化学气相沉积工艺对原始基材的侧面进行钝化处理，得到钝化基光伏电池制造中具有更高的光电转换效率和更低的表面复89[0134]在带绒硅片的两个表面依次沉积本征隧穿氧化层、掺杂[0146]在本申请实施例中，通过化学刻蚀在清洗后的边缘钝化硅片表面形成细小的结艺是利用碱性溶液(如氢氧化钾或乙醇水溶液)对清洗后的边缘钝化硅片表面进行各向异[0150]在本申请实施例中，首先需将清洗后的边缘钝化硅片放置在特定的制绒反应槽[0153]清洗完成后，边缘钝化硅片将通过无尘气体吹干或热风干燥的方式进行彻底干在清洗后的边缘钝化硅片的正面和背面形成金字

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