CN119497463A 背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件 （通威太阳能（成都）有限公司）

本申请提供了一种背接触太阳能电池及其光峰均能够将入射的光线朝向第一功能膜和晶2第一功能膜，所述第一功能膜包括第一隧穿层和第一掺第二功能膜，所述第二功能膜包括第二隧穿层和第二掺其相邻的所述隔离区的最底端与所述第一功能膜的顶面所述第二功能膜还包括层叠设置于所述第二掺杂层上的第二钝化层和第二减反层中在所述晶体硅基底的所述第二区域上依次形成所述第二隧穿层和所述第一掺杂氧化层具有紧靠所述隔离区的陷光工艺区，去除所述陷光所述第一掺杂氧化层并露出位于下方的所述第3采用碱液腐蚀所述第一掺杂氧化层、所述第一掺杂层和所述第一12.根据权利要求10~11任意一项所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述晶体硅基底上沉积所述第一隧穿层和所述第一掺杂层的步骤中，所述第一隧穿层、所述第一掺杂层和所述第一掺杂氧化层延伸沉积于所述所述制备方法还包括采用隔离区激光烧蚀去除位于所述隔离区上的所述第一掺杂氧13.根据权利要求10~11任意一项所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，同时采用所述制绒剂对所述晶体硅基底的正面和背或者，所述光伏组件包括如权利要求10_13任一项所述的背接触太阳能电池的制备方4利用来自正面的入射光，但是对于从背接触太阳能电池背面入射的光线的利用效率较低，距的波动方差大于所述第二边界相对于所述隔离区中线的间距的波5述陷光部的最底端与所述第一功能膜的顶面之间的高度差大于与其相邻的所述隔离区的[0016]所述第二功能膜还包括层叠设置于所述第二掺杂层上的第二钝化层和第二减反[0017]进一步地，本申请还提供了一种上述任意实施例的背接触太阳能电池的制备方[0018]在所述晶体硅基底的所述第二区域上依次形成所述第二隧穿层和所述第二掺杂部分所述第一掺杂氧化层并露出位于下方的[0025]所述制备方法还包括采用隔离区激光烧蚀去除位于所述隔离区上的所述第一掺一功能膜以及第二功能膜，第一功能膜和第二功能膜分别用于导出两种不同类型的载流谷和外扩的陷光峰均可降低从背接触太阳能电池背面入射的光线朝向第一功能膜和晶体6[0029]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚[0032]图2A为图1中第一功能膜含有陷光部的局部截面结构示意图，图2B为图2A示出的[0036]图6为在图5所示结构的基础上去除第二区域之外的第二隧穿层和第二掺杂层的7基底上的尖顶状或近似尖顶状的凸起状结构，陷光谷可以紧邻陷光峰并呈狭长的通道状，一功能膜以及第二功能膜，第一功能膜和第二功能膜分别用于导出两种不同类型的载流8[0054]可以理解，晶体硅基底100中产生的光生载流子中的一种导电类型载流子从第一110和第二功能膜120还用于钝化晶体硅基底100的表面，从而减少载流子在晶体硅基底和陷光部1100紧靠隔离区103设置，并且陷光部1100中设置有陷光谷1102和陷光峰1101中的着晶体硅基底100表面的方向上形成锯齿状结构，相较于单一的陷光峰1101，多个陷光峰1101中相邻的两个侧壁通过来回反射以进一步增强陷光部1100对于从背接触太阳能电池[0062]可以理解，陷光部1100的顶端为陷光部1100整体结构中最远离晶体硅基底100的端部与第一功能膜110的顶面之间的高度差也可以在上述任意两个高度差数值之间。该高9100的顶端和最靠近晶体硅基底100的底端。陷光部1100的底端和第一功能膜110的顶面之间的高度差大于与其相邻的隔离区103的底端和第一功能膜110的具有该陷光峰1101和陷光谷1102的陷光部1100能够显著提高入射[0073]图3为图1中第一功能膜110、隔离区103和第二功能膜120的局部俯视截面结构示同时提高陷光部1100在电池背面的面积占比，保证第一功能膜110仍具有较好的载流子收能够获得较好的光线吸收率进而产生更多的载流子，但是也会降低第一功能膜110的占比[0074]可以理解，陷光部1100具有最远离隔离区103的一端，陷光部1100最远离隔离区103的一端可以依据其中最远离隔离区103的陷光谷1102和/或陷光峰1101以进行确定。依且有利于保持第一功能膜110具有较好的载流子收集能力，从而使得背接触太阳能电池的膜110能够保持完整的钝化接触结构。采用上述具有特定间距的陷光部设计能够兼顾较好的光吸收性能且有利于保证第一功能膜110的载流子收集能力，从而使得背接触太阳能电隔离区103的第一边界1001处具有陷光部1100，因此第一边界1001整体的波动方差大于第围的第一边界设计能够兼顾较好的光吸收性能且有利于保证第一功能膜110的载流子收集边界1001整体上选取均匀分布的多个点，多个点中应当有部分的点位于陷光部1100处，同时选取位于隔离区103中心区域且与隔离区103的延伸方向基本平行的线作为基准线，分别获取第一边界1001上多个点相对于基准线的距离，并对这些所获取到的距离求方差，方差法可以获取到第二边界1002的波动方差。[0094]作为该实施例的一些示例，第一钝化层113和第二钝化层1钝化层123组成的整体层还可以覆盖隔离区1[0095]作为该实施例的一些示例，第一减反层114和第二减反层1化层130。正面钝化层130层叠设置于晶体硅基底100远离第一功能膜110和第二功能膜120[0100]参照图1所示，作为该实施例的一些示例，该背接触太阳能电池还包括第一电极150设置于第一区域101上，且电连接于第一掺杂层112。第二电极160设置于第二区域102[0101]本申请还提供了一种上述实施例中的背接触太阳能电池的制备方法。图4为该背半导体上沉积第二隧穿层121和第二掺杂层122，并对沉积的第二隧穿层121和第二掺杂层[0106]图5为在晶体硅基底100上沉积第二隧穿层121和第二掺杂层122的截面结构示意[0110]作为该实施例的另一些示例，形成第二隧穿层121和第[0111]可以理解，沉积的第二隧穿层121和第二掺杂层122不仅覆盖晶体硅基底100的背面上的第二区域102，还延伸覆盖于第一区域101和隔离区103上。作为该实施例的一些示[0112]图6为在图5所示结构的基础上去除第二区域102之外的第二隧穿层121和第二掺方式可以包括：采用目标激光310烧蚀去除第一区域101和隔离区103上的第二掺杂氧化层220，再采用碱液刻蚀去除从目标激光310烧蚀区域中露出的第二掺杂层122和第二隧穿层能够在后续的工艺中对第二隧穿层121和第二掺杂层122起到一定的保[0115]参照图6所示，位于第一区域101和隔离区103上的第二隧穿层121和第二掺杂层[0116]图7为在图6所示结构的基础上沉积第一隧穿层111和第一掺杂层112的结构示意[0120]作为该实施例的另一些示例，形成第一隧穿层111和第[0122]可以理解，露出的第一掺杂层112在后续的碱液腐蚀的过程中能够被优先腐蚀从通过设置目标激光310的光斑能量分布（即具有高能区311和低能区312能够实现对第一括高能区311和低能区312，高能区311的功率密度＞0.25J/cm2，低能区312的功率密度≤311的目标激光310能够去除第一掺杂氧化层210，而低能区312的目标激光310则难以去除[0127]作为该实施例的一些示例，目标激光310的高能区311的功率密度为0.25J/cm2~率密度也可以在上述任意两功率密度之间。采用该功率密度的目标激光310更有利于控制目标激光310对第一隧穿层111和第一掺杂层112的[0128]作为该实施例的一些示例，目标激光310的低能区312的功率密度为0.13J/cm2~蚀过程中可以将隔离区激光切换为目标激光310并照射陷光工艺区301上的第一掺杂氧化cm222邻的两个隔离区激光的光斑之间由20%~60%的照射面积相重叠，这能够尽可能充分且均匀[0136]其中，采用隔离区激光烧蚀的目的是为了去除隔离区103上的第一掺杂氧化层[0137]作为该实施例的一些示例，在采用隔离区激光烧蚀第一隧穿层111和第一掺杂层第一掺杂氧化层210仅有部分被去除，露出的第一掺杂层112和第一隧穿层111相对而言被[0142]在形成陷光部1100的过程中，可以去除剩余的第一掺杂氧化层210和第二掺杂氧化层220，即能够露出第一区域101上的第一隧穿层111及第一掺杂层112和位于第二区域斑均呈方形。照射至第一区域上的目标激光具有高能区和低能区，高能区的功率密度为[0158]试验1：采用扫描电子显微镜观测实施例1的隔离区及其靠近第一区域的表面形采用GetData软件自动识别第一边界和第二边界上的点时，只要点在沿着隔离区基准线的第二边界的点的数量的比值范围为0.5_2之间是较为合理[0164]参照图13所示，图13中陷光