CN119506841A 托盘承载装置、加载腔室、半导体工艺设备及传输方法 （北京北方华创微电子装备有限公司）

转机构用于旋转时通过与所述托盘的边缘接触2所述托盘旋转机构(815)和所述至少两个托盘定心机构(816)围绕所述基座(817)均匀所述升降部(820)用于支撑所述衬底(13每一所述支撑件(14a)对应一个所述过孔，所述升降轴(821)用于带动所述支撑件4.根据权利要求1所述的托盘承载装置，其特征在于，所述托盘旋转所述转轮(15a)的侧面与所述托盘(14)的边缘接触，所述转轮(15a)通过所述转轴所述第一驱动电机(818a)用于驱动所述转轴(15b)沿所述转轴(15b)的轴5.根据权利要求1所述的托盘承载装置，其特征所述定心滚轮(16a)的侧面与所述托盘(14)的边缘接触，所述定心滚轮(1所述曲柄转轴(16b)的轴体与所述第二驱动电机(818b)连接；所述轴体与所述基座之所述第二驱动电机(818b)用于驱动所述曲柄转轴(16b)的轴体沿所述轴体的轴线转所述加载腔上盖(800a)设于基座(817)的上方，所述加载腔基体(800b)设于所述基座3所述托盘容置部(1)、所述第一衬底容置部(2)和所述第二衬底容置部(7)分布在所述半导体工艺设备的第一端，并围成机械手空间，所述第一机械手(600)位于所述机械手空所述托盘容置部(1)用于存放托盘，所述第一衬底容置部(2)用于存放待处理的衬底，所述第二衬底容置部(7)用于存放处理后的所述第一机械手(600)用于在所述托盘容置部(1)和所述加载腔室(800)之间传输所述载腔室(800)和所述第二衬底容置部(7)之间传输处所述第二机械手(10)用于在所述加载腔室(800)和所述工艺腔室(11)之间传输承载所所述工艺腔室(11)用于对所述衬底进行半导体工9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于所述图像识别系统(9)用于获取所述加载腔室(800)内所述托盘的第一姿态偏差和所述衬底的第二姿态偏差，向所述位置调整机构(3)发送所述第一姿态偏差和所述第二姿态所述第一机械手(600)还用于在存在所述第一姿态偏差时将所述加载腔室(800)内的所述托盘传输至所述位置调整机构(3)，并将调整姿态后的所述托盘传回所述加载腔室所述位置调整机构(3)用于根据所述第一姿态偏差调整所述托盘的姿态，根据所述第若所述托盘在所述加载腔室内的姿态准确，所述加载腔室将第一机械手将衬底传输至所述加载腔室内所4第二机械手将预热后承载所述衬底的所述托盘传输至工艺腔所述衬底执行半导体工艺；若所述托盘在所述加载腔室内的姿态不准确，则图像识别系统若所述衬底在所述托盘内的位置不准确，则图像识别系统所述加载腔室分离冷却后的所述托盘和所述待第一机械手取走脱离所述托盘的所述衬底后，所述升降轴下降，所述5[0002]碳化硅(SiC)是一个具有独特物理和化学特性的IV_IV族化合物材料。Si原子和C[0003]气相外延是指含外延层材料的物质以气相形式流向衬底，在衬底上发生化学反6[0019]所述第二机械手用于在所述加载腔室和所述工艺腔室之间传输承载所述衬底的7[0031]可选地，当所述半导体工艺设备中包括所述位置调整机构和所述图像识别系统[0032]可选地，当所述半导体工艺设备中包括所述位置调整机构和所述图像识别系统[0033]可选地，所述加载腔室包括升降部以及贯穿加载腔上盖和加载腔基体的循环管支撑件当前支撑的所述衬底脱离所述托盘的步骤，直至所述托盘内的所有所述衬底被取8术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范9果托盘14在基座817的位置发生偏移，机械手会将发生偏移的托盘14直接传输至工艺腔室[0058]托盘旋转机构815和至少两个托盘定心机构816围绕基座817均匀分布设置；托盘[0066]在一个示例中，上述升降部820还包括升降电机819，若支撑件14a设置在升降轴[0068]升降轴821带动上方的支撑件14a上升，以使支撑件14a当前支撑的衬底13脱离托以使升降轴821对准下一个衬底13对应的支撑件14a，返回执行升降轴821带动上方的支撑[0070]进一步地，用于承载衬底13的单片式托盘的衬底取放流程与多片式托盘基本相式托盘中对准一个支撑件14a的位置)和中动电机818a；转轮15a的侧面与托盘14的边缘接触，转轮15a通过转轴15b与第一驱动电机818a连接。第一驱动电机818a用于驱动转轴15b沿转轴15b的轴线转动，以带动转轮15a旋其原理都是通过转轮15a的旋转带动托盘14进行转动。整套托盘旋转机构15通过第一驱动[0073]可选地，参考图5所示，托盘旋转机构815还可以包括第一轴承15c和第一联轴器像识别系统9)与第二驱动电机818b进行实时反馈控制，其目的是保证在托盘定心机构816可以通过托盘旋转机构815调整升降部820所支撑的衬底，使升降部820可以对托盘14与其[0079]本申请第二方面提供一种加载腔室，该加载腔室可以设于SiC外延设备等半导体穿加载腔上盖800a和加载腔基体800b的循环管道21调节加载腔室800内部的温度，能够提[0084]本申请第三方面提供一种半导体工艺设备，该半导体工艺设备可以包括SiC外延[0085]托盘容置部1、第一衬底容置部2和第二衬底容置部7分布在半导体工艺设备的第室12位于半导体工艺设备的第二端，各个加载腔室800挂载在搬送室12靠近机械手空间的衬底容置部7用于存放处理后的衬底13。其中托盘14可以包括石墨托盘，衬底13可以包括[0087]第一机械手600用于在托盘容置部1和加载腔室800之间传输托盘14，在第一衬底[0088]加载腔室800用于在执行半导体工艺前对托盘14和衬底13进行工艺前处理，在执[0093]图像识别系统9用于获取加载腔室800内托盘14的第一姿态偏差和衬底13的第二[0094]第一机械手600还用于在存在第一姿态偏差时将加载腔室800内的托盘14传输至[0095]位置调整机构3用于根据第一姿态偏差调整托盘14的姿态，以使托盘14的姿态准指将调整位置后的托盘14传输至加载腔室800；在经过图像识别系统9记录其位置信息后，600挂载取片手指将调整位置后的衬底13传输至托盘14内部的凹槽。第二机械手10将加载腔室800内放置完毕的托盘14和衬底13转移到工艺腔室11内完成衬底的半导体工艺(如外800内的盘片分离机构将衬底13与托盘14分离，再将工艺后的衬底13放置到第二衬底容置送室12各边外侧分别挂载一个加载腔室800或者工艺腔室11，这样该半导体工艺设备共包腔室800或者工艺腔室11，这样搬送室12的侧面空间可以容纳更多的工艺腔室11和加载腔部7为工艺后衬底的放置区域，一定数量的工艺后衬底被批量地存放至第二衬底容置部7，设备，以传输上述任一实施例所述的半导体工艺设备处理的衬底，该衬底可以包括SiC衬[0112]在一个实施例中，当半导体工艺设备中包括位置调整机构3和[0113]在一个实施例中，当半导体工艺设备中包括位置调整机构3和[0119]升降轴821带动上方的支撑件14a上升，以使支撑件14a当前支撑的衬底13脱离托于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结