《光伏电池工艺设备 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)镀膜设备技术规范》

ICS29.020

CCSL95

团体标准

T/YGAZXHXXXX—XXXX

光伏电池工艺设备等离子体增强化学气

相沉积（PECVD）镀膜设备技术规范

Photovoltaiccellprocessequipment—Technicalspecificationfor

plasmaenhancedchemicalvapordeposition(PECVD)coatingequipment

（征求意见稿）

（本草案完成时间：2025.3.19）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

广东省粤港澳大湾区战略性新兴产业发展促进会发布

T/YGAZXHXXXX—XXXX

目次

前言.................................................................................II

1范围...............................................................................1

2规范性引用文件.....................................................................1

3术语和定义.........................................................................1

4工作环境和工作条件.................................................................1

5技术要求...........................................................................2

5.1外观及结构.....................................................................2

5.2整机性能.......................................................................2

5.3工艺性能.......................................................................3

5.4自动化.........................................................................4

5.5安全...........................................................................4

6试验方法...........................................................................5

6.1外观及结构.....................................................................5

6.2整机性能.......................................................................5

6.3工艺性能.......................................................................6

6.4自动化.........................................................................8

6.5安全...........................................................................9

7检验规则..........................................................................10

7.1检验分类......................................................................10

7.2出厂检验......................................................................10

7.3型式检验......................................................................10

8标志、包装、运输和贮存............................................................10

8.1标志..........................................................................10

8.2包装..........................................................................11

8.3运输..........................................................................11

8.4贮存..........................................................................11

表1温度控制.........................................................................2

表2压力控制.........................................................................2

表3漏气率...........................................................................2

表1碎片率...........................................................................3

表2膜厚均匀性.......................................................................3

表3叠层膜整体膜厚均匀性.............................................................3

表4高温工艺单层膜厚均匀性...........................................................4

表5折射率均匀性.....................................................................4

表6整片自动化.......................................................................4

表7出厂检验........................................................................10

I

T/YGAZXHXXXX—XXXX

光伏电池工艺设备等离子体增强化学气相沉积（PECVD）镀膜设备

技术规范

1范围

本文件给出了等离子体增强化学气相沉积（PECVD）镀膜设备（以下简称“PECVD镀膜设备”）工作

环境和工作条件，规定了技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。

本文件适用于生产钝化发射极和背面电池（PERC）、钝化发射极背表面全扩散电池（PERT）、隧穿

氧化层钝化接触太阳能电池（TOPCon）和背接触电池（BC）等电池的PECVD镀膜设备的制造和检验。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB2894安全标志及其使用导则

GB/T3768声学声压法测定噪声源声功率级和声能量级采用反射面上方包络测量面的简易法

GB/T17626.2电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验

GB/T17626.3电磁兼容试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验

GB/T17626.4电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验

GB/T17626.5电磁兼容试验和测量技术浪涌（冲击）抗扰度试验

GB/T17626.16电磁兼容试验和测量技术0Hz～150kHz共模传导骚扰抗扰度试验

GB/T29845半导体制造设备的最终装配、包装、运输、拆包及安放导则

GB/T30116半导体生产设施电磁兼容性要求

SJ/T11829.1晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）设备第1部分:管式PECVD

设备

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

等离子体增强化学气相沉积plasmaenhancedchemicalvapordeposition；PECVD

利用等离子体使反应气体活性增加，提升反应速度，在基片表面发生化学反应并沉积成膜。

3.2

等离子体增强化学气相沉积镀膜设备plasmaenhancedchemicalvapordepositioncoating

equipment

PECVD镀膜设备

利用等离子体增强化学气相沉积，对光伏电池进行薄膜沉积的设备。

3.3

稼动率utilizationrate

设备实际运行时间和设备可用时间的比值。

4工作环境和工作条件

除特殊要求外，PECVD镀膜设备工作环境和工作条件应符合以下规定。

a)环境温度：5℃～38℃。

1

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b)相对湿度：小于50％。

c)电源/电压：

1)三相五线交流：380V±19V；

2)单相：220V±11V；

3)动力供给：50Hz。

d)厂房高度：大于4.7m。

e)压缩空气：质量等级Ⅰ，0.4MPa～0.6MPa。

f)冷却水：进水温度15℃～20℃，0.4MPa～0.6MPa。

5技术要求

5.1外观及结构

5.1.1表面应无明显色差、划伤、碰伤、变形和掉漆现象。

5.1.2印刷内容正确，不应错字、少字、字体残缺。

5.1.3走线整齐，无松脱、线芯裸露，电线排布应符合工程图纸，电箱清洁干净。

5.1.4门与箱体配合缝隙均匀，门框及门周边无毛刺、利边、锐角，关门应流畅，无阻塞、卡滞、异

响。

5.1.5紧固件连接应牢固，无松动、滑动现象。

5.1.6运动部位应使用顺畅无卡滞、异响，连接部位应灵活。

5.1.7拼接部位应无明显段差和缝隙。

5.1.8铭牌标识内容应正确、齐全，不应漏装、错装。

5.2整机性能

5.2.1控制性能

5.2.1.1温度控制应符合表1的规定。

表1温度控制

项目性能指标

温度控制范围/℃350～600

恒温区温度控制精度/℃±1

恒温区温度稳定性（±1℃）/4h

升温时间从室温升至工艺温度时间不超过25min

5.2.1.2压力控制应符合表2的规定。

表2压力控制

项目性能指标

恢复真空时间从大气压力至3Pa的时间不超过3min

压力控制范围/Pa150～300

压力控制精度工艺压力波动不大于±2Pa

5.2.2漏气率

应符合表3的规定。

表3漏气率

项目性能指标

冷态空管≤1

漏气率/（Pa/min）

热态空管≤2

2

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5.2.3噪声

应不大于75dB（A）。

5.2.4稼动率

应不小于98％。

5.2.5产能

应符合技术规格书。

5.2.6能耗

应符合技术规格书。

5.2.7电磁兼容性

应符合GB/T30116的规定。

5.3工艺性能

5.3.1碎片率

应符合表1的规定。

表1碎片率

硅片尺寸a

项目

182mm×182mm182mm×192mm182mm×210mm210mm

碎片率≤0.01％≤0.03％

a硅片厚度不小于125μm。

5.3.2膜厚范围

应符合技术规格书。

5.3.3膜厚均匀性

应符合表2的规定。

表2膜厚均匀性

性能指标

项目

一级二级

片内不均匀性≤4％≤5％

片间不均匀性≤4％≤5％

批间不均匀性≤3％≤4％

5.3.4叠层膜整体膜厚均匀性

应符合表3的规定。

表3叠层膜整体膜厚均匀性

项目性能指标

片内不均匀性≤5％

片间不均匀性≤5％

批间不均匀性≤4％

5.3.5高温工艺单层膜厚均匀性

应符合表4的规定。

3

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表4高温工艺单层膜厚均匀性

项目性能指标

片内不均匀性≤±5％

片间不均匀性≤±5％

批间不均匀性≤±4％

5.3.6钝化性能

应符合以下任意一个要求：

a)电流密度不大于3fA/cm²；

b)开路电压不小于745mV。

c)少子寿命

5.3.7折射率

应符合技术规格书。

5.3.8折射率均匀性

应符合表5的规定。

表5折射率均匀性

项目性能指标

片内不均匀性≤1.5％

片间不均匀性≤1.5％

批间不均匀性≤1.5％

5.3.9不良比例

应不大于0.2％。

5.3.10背面绕镀

正膜机台绕镀到背面距边宽度应小于1mm，且背面无明显边缘烧黑显现。

5.4自动化

应符合表6的规定。

表6整片自动化

项目性能指标

碎片率≤0.03％

漏吸、掉片/（次/每班）≤5

卡、堵片/（次/每班）≤5

不良比例（吸盘印、皮带印、划伤、石墨舟印等）≤0.01％

182规格槽花篮≥8000

产能/（片/小时）

210规格槽花篮≥7000

5.5安全

5.5.1电气

5.5.1.1应符合GB/T5226.33的规定。

5.5.1.2带电金属部分，应设有防护罩及安全护栏等防护设施。

5.5.1.3电气元器件、每个柜体应有接地保护，出现意外情况切断总电源后，数据或程序不应丢失。

4

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5.5.2急停

5.5.2.1应设有急停按钮，按钮不宜配置防护盖。

5.5.2.2应具有断电或报警触发时的安全停机功能。

5.5.2.3急停按钮高度应不高于1.64m。

5.5.2.4急停护罩应具备至少2个缺口，且急停护罩上端面应向内留有10mm宽护边。

5.5.3维修

5.5.3.1安全门、维修门处都应安装联动防护开关，安全联锁装置的本体固定和安装应使用专用螺丝，

且只有专用工具能拆解；安全门不应设置联锁装置屏蔽方式。

5.5.3.2安全门开启后，操作界面应弹出“维修中”或类似表述的提示信息；维修完后，确认提示信

息前应不能关闭安全门，确认提示信息后应能关闭安全门。

5.5.3.3机台内外部应设置维修完成确认按钮，按钮应符合以下规定：

a)安全门打开后按钮应被激活，维修时应先确认内部按钮，再关闭安全门，确认外部按钮，内

外按钮都确认后，机台才可恢复正常操作。

b)按钮安装位置应醒目，操作简易。

5.5.3.4机台内部作业端上方应配备安全绳挂钩，机台顶部应预留安全绳挂钩孔位。

5.5.4运动控制

5.5.4.1防护设计

人员易触及的可动零部件，应进行封闭或隔离，步进电机同步带、同步齿形轮应该加设防护罩；对

操作人员在PECVD镀膜设备运行时可能触及的运动部件，配备安全门装置，搬舟侧具备安全门开关状态

提醒功能，维修通道安全门配置电子安全锁与上位机虚拟按钮和机台内部安全确认按钮形成多重防护网。

5.5.4.2抱死功能

机械手升降电机应具备抱死功能。

5.5.4.3负载超限控制

运动电机设置过载保护，当电机载荷大于正常电机载荷1.5倍时，电机应自动抱死，驱动器不再供

脉冲，电机停止。

6试验方法

6.1外观及结构

在室内500lx光照下，对照技术规格书或说明书，以目视、手触检查。

6.2整机性能

6.2.1控制性能

按SJ/T11829.1进行。

6.2.2漏气率

当炉内压力不大于0.665Pa时，记录压力值后关闭角阀，关闭5min后再次记录炉内压力，按式（1）

计算漏气率。

式中：

()PP12

Q＝·······································································(1)

t

式中：

Q——系统漏率，单位为帕每分钟（Pa/min）；

5

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P1——初始炉内压力，单位为帕（Pa）；

P2——经过一段时间后炉内压力，单位为帕（Pa）；

t——压力变化所经历的时间，单位为分钟（min）。

6.2.3噪声

设备负载运行中，用精度为2dB的声级计，按GB/T3768的规定进行试验。

6.2.4稼动率

以PECVD镀膜设备连续满产30d为统计周期，按公式（2）计算：

T

U=1100％·······································································(2)

T2

式中：

U——稼动率；

t1——设备实际运行时间；

t2——设备可用时间。

6.2.5产能

结果按式（3）计算。

Cd

C1＝×100％··································································(3)

24Tj

式中：

C1——单日总产量，单位为片每小时；

Cd——单日总产硅片数量，单位为片；

Tj——计划性维护时间，单位为小时。

6.2.6能耗

读取机台电表数据得出能耗。

6.2.7电磁兼容

6.2.8静电放电抗扰度按GB/T17626.2进行试验。

6.2.9射频电磁场辐射抗扰度按GB/T17626.3进行试验。

6.2.10电快速瞬变脉冲群抗扰度按GB/T17626.4进行试验。

6.2.11浪涌（冲击）抗扰度按GB/T17626.5进行试验。

6.2.120Hz～150kHz共模传导骚扰抗扰度按GB/T17626.16进行试验。

6.3工艺性能

6.3.1碎片率

以PECVD镀膜设备连续满产30d为统计周期，结果按式（4）计算。

P

S＝×100％········································································(4)

A

式中：

S——碎片率；

P——非人为原因造成的碎片数量；

A——机台投入数量。

6.3.2膜厚范围

使用椭圆偏振仪，测量硅片的四角和中间点厚度，四角取点时距硅片边沿10mm～20mm，计算平均

值。

6

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6.3.3膜厚均匀性

6.3.3.1片内不均匀性

使用椭圆偏振仪，测量硅片的四角和中间点厚度，四角取点时距硅片边沿10mm～20mm。按式（5）

计算。

YYmaxmin

Pn＝100％·································································(5)

2Yav

式中：

Pn——片内不均匀性；

Ymax——片内最大测量值，单位为纳米（nm）；

Ymin——片内最小测量值，单位为纳米（nm）；

Yav——片内测量值的平均值。

6.3.3.2片间不均匀性

选取X份硅片，使用椭圆偏振仪，测量硅片的四角和中间点厚度，四角取点时距硅片边沿10mm～20

mm，并涵盖该设备特有的最大膜厚和最小膜厚区域。按式（6）计算。

Pmax-Pmin

W=n100％······························································(6)

2Pav

式中：

Wn——片间不均匀性；

Pmax——X份硅片中片内平均值的最大值，单位为纳米（nm）；

Pmin——X份硅片中片内平均值的最小值，单位为纳米（nm）；

Pav——X份硅片中片内平均值的平均值。

6.3.3.3批间不均匀性

选取X批硅片，一批有X份，使用椭圆偏振仪，测量硅片的四角和中间点厚度，四角取点时距硅片边

沿10mm～20mm，按式（7）计算。

W-W

R=maxmin100％································································(7)

2Wav

式中：

R——批间不均匀性；

Wmax——X批硅片中片间平均值的最大值，单位为纳米（nm）；

Wmin——X批硅片中片间平均值的最小值，单位为纳米（nm）；

Wav——X份硅片中片间平均值的平均值。

6.3.4叠层膜整体膜厚均匀性

按6.3.3进行。

6.3.5高温工艺单层膜厚均匀性

按6.3.3进行。

6.3.6钝化性能

6.3.7将PECVD镀膜设备置于完全黑暗的实验室中，施加反向偏压（0.5V或1V），使用半导体参数

分析仪或高精度源表测量反向电流密度，按式（8）计算电流密度。

I

J＝················································································(8)

A

式中：

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J——电流密度，单位为飞安没平方厘米（fA/cm²）；

I——测量得到的电流，单位为飞安（fA）；

A——测量面积，单位为平方厘米（cm²）。

6.3.8向PECVD镀膜设备施加正向偏压，记录电流和电压，从电流电压曲线中找到电流为零时的电压，

即为开路电压。

6.3.9折射率

利用椭偏仪测量光在材料中的偏振状态，从而确定材料的折射率。

6.3.10折射率均匀性

按SJ/T11829.1进行。

6.3.11不良比例

以PECVD镀膜设备连续满产运行90d为统计周期，统计有长粉、烧片、局部钝化失效、黑斑、气流

印梳齿、顶齿印、吸盘印、崩边、脱晶、划伤、爆膜的不良现象的电池片数量，计算不良电池片与投入

总数量值的百分比。

6.3.12背面绕镀

自然光下使用精度不小于1mm的游标卡尺进行测量，目测检查外观。

6.4自动化

6.4.1碎片率

以PECVD镀膜设备连续满产90d为统计周期，结果按式（9）计算。

C3

×100％·······································································(9)

CA

式中：

η——碎片率；

C3——非人为原因造成的碎片数量；

CA——总产量。

6.4.2漏吸、掉片

以PECVD镀膜设备连续满产90d为统计周期，结果按式（10）计算。

D1

D＝·············································································(10)

B

式中：

D——掉片，单位为次每班；

D1——统计周期内单台PECVD镀膜设备漏吸、掉片数，单位为次；

B——统计周期内总班数，单位为班。

6.4.3卡、堵片

以PECVD镀膜设备连续满产90d为统计周期，结果按式（11）计算。

e

E＝·············································································(11)

B

式中：

E——掉片，单位为次每班；

e——统计周期内单台PECVD镀膜设备漏吸、掉片数，单位为次；

B——统计周期内总班数，单位为班。

6.4.4不良比例

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PECVD镀膜设备运行7d，统计不良电池片数量，计算不良电池片与总产量的百分比。

6.4.5产能

以PECVD镀膜设备连续满产90d为统计周期，结果按式（12）计算。

CA

C2＝······································································(12)

2160Tj

式中：

C2——产能，单位为片每小时；

CA——总产量，单位为片；

Tj——计划性维护时间，单位为小时。

6.5安全

6.5.1电气

按GB/T5226.33进行试验。

6.5.2急停

6.5.2.1目测检查急停按钮是否安装在合适位置，用分度值不大于1mm的测量用具对设定位置进行测

量。

6.5.2.2在PECVD镀膜设备正常运行时断电，检查是否停机；在PECVD镀膜设备正常运行时引发报警

器，检查是否停机。重启后，确认本地存储参数（设备重要的工艺、通讯等参数）是否丢失，是否和停

机前一致。

6.5.2.3目测计数，用分度值不大于1mm的测量用具进行测量。

6.5.2.4目视检查传输及工艺过程中是否有暂停按钮。

6.5.3维修

6.5.3.1目测确认是否安装联动防护开关，使用普通工具拆解确认是否可拆；启动联锁装置，查看安

全门是否屏蔽联锁装置。

6.5.3.2开启安全门，检查是否弹出提示信息；在没有确认提示信息情况下关闭安全门，检查是否能

关闭。

6.5.3.3目测检查按钮位置，按以下步骤进行：

a)打开安全门；

a)在未确认内外部按钮时关闭安全门，记录关闭情况；

b)确认内部按钮，且不确认外部按钮，关闭安全门，记录关闭情况；

c)确认外部按钮，关闭安全门，记录关闭情况；

d)关闭安全门，确认机器运行正常后，重复步骤a）；

e)在未确认内外部按钮时关闭安全门，记录关闭情况；

f)确认外部按钮，且不确认内部按钮，关闭安全门，记录关闭情况；

g)确认内部按钮，关闭安全门，记录关闭情况。

6.5.3.4检查机台内部作业端上方是否配备安全绳挂钩，使用挂钩，检查预留孔位是否能挂上挂钩。

6.5.4运动控制

目视及操作检查。

6.5.4.1防护设计

目测、手触检查是否设置防护罩。

6.5.4.2抱死功能

模拟机台掉电情况，目视检查机械手升降电机是否抱死，机械手是否坠落。

6.5.4.3负载超限控制

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将载荷加至额定载荷1.5倍，检查电机、驱动器运行情况。

7检验规则

7.1检验分类

检验分为出厂检验和型式检验。

7.2出厂检验

按表7的规定进行逐台检验，检验项目符合要求时，判定该PECVD镀膜设备合格，其中任一项不合格

进行返修整改，直至合格。

表7出厂检验

项目名称要求章条号检验方法章条号

外观及结构5.16.1

控制性能5.2.16.2.1

安全5.56.5

7.3型式检验

7.3.1型式检验项目为第5章中的所有项目。

7.3.2除另有规定，在出厂检验合格的PECVD镀膜设备中随机抽取1台作为试验样品。

7.3.3有下列情况之一时，应进行型式检验：

a)新产品投产或老产品转厂生产，应在生产鉴定前进行型式试验；

b)连续生产的产品，应每两年对出厂验收合格的产品进行型式试验；

c)当改进产品设计和工艺，影响产品性能时，应对首批投入生产的产品进行型式试验；

d)停产两年以上的产品，恢复生产时应进行型式试验；

e)国家质量监督机构要求时。

7.3.4当检验项目全部符合要求时，判型式检验合格；若有任意一项不符合要求，应加倍取样复检。

若复检结果全部符合要求则判型式检验合格；若仍有不符合要求的项目，则判型式检验不合格。

8标志、包装、运输和贮存

8.1标志

8.1.1铭牌应在醒目位置，应至少包括以下内容：

a)产品名称；

b)产品型号；

c)制造编号(或出厂日期)或生产批次号或代码；

d)额定电压、电流、功率；

e)外形尺寸和重量；

f)制造厂名称、地址、联系方式。

8.1.2零件、部件和导线标志应符合以下规定：

a)接线柱、接线板、插头座、接插件、线缆的代号及其连接点、端头应加以标记；

b)控制装置和检测装置附近，应有表示用途(如“接通”、“断开”等)的清晰标记或图形符号；

c)控制面板上的开关、旋钮、按钮、指示灯等应有字迹清晰、格式规范的文字标识；

d)导线两端应采用塑料套管并印有相应的导线编号，且应与电路图保持一致。

8.1.3安全标志、安全警示标识应符合以下规定：

a)安全标志图形的含义、颜色组合与使用方法应符合GB2894的规定；

b)存在安全隐患的装置上应有醒目的安全标识，如注意夹伤、电击、高温等；

c)管道标识应注明各介质名称和流向；

10

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d)可能对人体造成伤害的部分，应设置醒目的警告标识。

8.1.4包装标志应符合以下规定：

a)储运图示标志应符合GB/T191的规定；

b)包装箱上应具有“易碎物品”“禁止翻滚”“向上”“怕湿”等储运图示标志，需要吊装的

包装箱应有“由此吊起”标志；

c)包装箱应至少包含商品分类图示标志、名称、型号和规格、包装箱体积和重量、收货地点和

单位、发货单位、包装日期等信息。

8.2包装

8.2.1应符合GB/T29845的规定。

8.2.2应分类装箱，同时采用防潮包装、防震包装等防护包装。

8.2.3包装箱外壁应设置文字说明，如名称、箱号、用途及运输存储安全注意事项等。

8.2.4包装箱外壁应有检测倾斜标识，易碎、精密仪器需有易碎、精密等标识。

8.2.5包装采用实木底托，雨膜、铝膜、木箱应360°包裹，严禁有破损。

8.2.6包装中采取防止雨淋、受潮生锈、腐蚀、振动及碰撞的措施。

8.2.7随同备件、附件以及拆卸下的部件或零件应加标签进行标记。随机备件、附件应采用防潮密封

包装。

8.2.8表面不应直接与对镀（涂）层有影响的材料（如橡胶、海绵、聚氯乙烯等）接触。

8.2.9随机文件应采用防潮密封包装，放在包装箱内明显位置，并加以固定。

8.2.10随机文件至少包括以下文件：

a)设备使用说明书；

b)电气控制图；

c)平面布局图；

d)二次配信息表；

e)备件配置清单；

f)易损易耗件清单；

g)主要配置清单；

h)产品合格证。

8.3运输

8.3.1应符合GB/T29845的规定。

8.3.2搬运时应符合以下要求：

a)搬运时应平稳，缓起慢放，避免磕碰划伤表面，避免破坏精度；

b)采用起吊方式搬运时，吊索捆绑位置选择可以承重部位，应避开仪表及结构脆弱部位，起吊

时应控制升降速度，防止倾倒或坠落；

c)使用叉车时，两叉牙长度应超过PECVD镀膜设备中心100mm以上；

d)采用气垫搬运时，气垫应放在底部的承重梁下，每台PECVD镀膜设备配置的气垫应不少于4

个。

8.3.3运输时应符合以下要求：

a)运输时应采取防震、防潮、防晒及防污措施，用敞篷车运输时需加盖篷布；

b)装载时应注意包装箱重心高度一般不超过2m，堆放应整齐牢靠；

c)包装件应放置平衡，不允许偏向一侧；

d)不应与易燃、易爆、易腐蚀的物品同车装运；

e)装车和运输过程中应有防止跌落的紧固措施。

8.4贮存

应存放在仓库中，仓库应清洁、通风，且无腐蚀性介质，环境温度-5℃～40℃，相对湿度不大于

75％。不同型号规格的PECVD镀膜设备应分别放置，摆放整齐，不应倒置；与腐蚀性、易燃、易爆物品

隔离存放；小型和精密部件应放置在器材架上；包装件应堆放在带枕木的底座上，枕木高度应不低于200

mm。

11

T/YGAZXHXXXX—XXXX

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团体标准

《光伏电池工艺设备等离子体增强化学

气相沉积（PECVD）镀膜设备技术规范》

（征求意见稿）

编制说明

标准编制组

2025年3月

一、工作简况

（一）任务来源

根据2025年1月10日广东省粤港澳大湾区战略性新兴产业发展促进

会发布的《关于<光伏电池工艺设备低压扩散设备技术规范>等三项团

体标准立项的通知》，由拉普拉斯新能源科技股份有限公司牵头申报的团

体标准《光伏电池工艺设备等离子体增强化学气相沉积（PECVD）镀

膜设备技术规范》获批立项。

（二）立项目的和意义

本团体标准的制定旨在规范光伏电池工艺中PECVD镀膜设备的技术

水平，确保设备性能的稳定性和可靠性，规范炉管内径、载片量、硅片尺

寸和温度等工艺参数。通过统一的技术规范，可以提高光伏电池产品的质

量和市场竞争力，推动光伏产业的可持续发展。

随着全球能源结构的转型和可再生能源的快速发展，光伏产业作为清

洁能源的重要组成部分，其技术进步和产业升级对实现碳中和目标具有重

要意义。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术作为光伏电池制造

中的关键工艺，对提高电池效率和降低成本起着决定性作用。然而，当前

国内外尚缺乏统一的PECVD镀膜设备技术规范，这限制了光伏产业的健

康发展和技术交流。因此，制定《光伏电池工艺设备等离子体增强化学气

相沉积（PECVD）镀膜设备技术规范》团体标准显得尤为迫切和必要。

（三）起草单位

本标准由拉普拉斯新能源科技股份有限公司牵头编制。

（四）主要工作过程

1.标准预研阶段

2024年10月6日，拉普拉斯新能源科技股份有限公司召开标准立项

1

讨论会。会议决定以拉普拉斯新能源科技股份有限公司积累多年的

PECVD镀膜设备研发和生产制造经验为基础，检索对比国内外PECVD

镀膜设备相关标准，组建标准编制组，开始进行预研工作。

2.标准立项阶段

经过前期的讨论和资料检索，基本确定拟立项标准的编制目的、意义、

框架和主要内容等。

2024年12月31日，拉普拉斯新能源科技股份有限公司向广东省粤

港澳大湾区战略性新兴产业发展促进会提交了《团体标准立项申请书》。

2025年1月10日，广东省粤港澳大湾区战略性新兴产业发展促进会发布

《关于<光伏电池工艺设备等离子体增强化学气相沉积（PECVD）镀膜

设备技术规范>团体标准立项通知》，正式批准《光伏电池工艺设备等离

子体增强化学气相沉积（PECVD）镀膜设备技术规范》立项。

3.调研和初稿阶段

标准立项后，编制组进行了新一轮的标准查新，并根据立项任务书的

计划，着手起草初稿，并于2025年1月22日完成标准草案。

草案完成后，编制组于2025年2月20日对标准草案的全文框架、技

术指标等进行研讨，研讨会后编制组对标准草案进行了修改。2025年3

月3日，编制组对于文本细节、指标限值进一步确认和完善。

经过两次研讨后，编制组于2025年3月19日形成《光伏电池工艺设

备等离子体增强化学气相沉积（PECVD）镀膜设备技术规范》（征求意

见稿）和编制说明。

二、标准化对象简要情况及制修订标准的原则

（一）标准化对象简要情况

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术结合了化学气相沉积

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（CVD）原理与等离子体技术，能在较低温度下生成高质量薄膜，并精

确控制其特性。PECVD（等离子体增强化学气相沉积）镀膜设备通过机

械泵和分子泵维持沉积腔内的真空和低气压条件，工艺气体被引入腔室，

在射频电源激发的电场作用下发生化学反应，生成固体薄膜。分解产物吸

附在基底表面，逐渐形成晶核并生长为连续薄膜。

PECVD镀膜设备广泛应用于多个领域，除了电池工艺外，还包括：

为车载传感器、车灯透镜等提供防水、防潮和防腐蚀保护；为助听器、医

用手机等设备做防水防尘处理。

（二）制定原则

1.适用性原则。制定本标准的出发点是统一PECVD镀膜设备的技术

要求，保证产品质量，实现国产替