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所述陶瓷盘上设有贯穿所述陶瓷盘的上表面和管穿过所述接合层与所述升降通道连通;陶瓷2所述陶瓷环的下部高度等于接合层的厚度和所述金属基座的台阶高7.一种静电吸盘的制造方法,适用于如权利通过流延成型工艺和注浆成型工艺制备所述将所述陶瓷罩的气体套管和升降套管对准所述金属基座上的气体通道和升降通道后,34[0002]目前,应用于刻蚀、薄膜沉积等含有腐蚀性气体的工艺过程板与晶圆基板支撑件之间的传热速率。当晶圆基板工作时,接合层的外侧面经常接触腔用的清洁Plasma气体)被喷射至静电吸盘的上表面时,会有少量的工艺气体进入气流通道和PIN孔道使得工艺气体会流入位于静电吸盘与金属基座之间的接合层区域,进而导致气流通道和PIN孔道周围的接合层也经常会接触到腐蚀性工艺气体而被腐蚀老化。而接合属基座上方,所述陶瓷盘上设有贯穿所述陶瓷盘的上表面和下表面的气体套管和升降套56陶瓷盘131上设有贯穿所述陶瓷盘的上表面和下表面的气体套管133和升降套管134;所述座101上部台阶117的高度之和,通过所述陶瓷环132的下部将所述接合层102与金属基座7部分伸入所述升降通道112内,且所述升降套管134与所述升降通道112之间设有第二密封防止了气体通道111和升降通道112内的等离子体与孔道周围的接合层102的接触,从而避升降套管134和所述陶瓷环132通过一体式共烧成型,极大改善了陶瓷盘131与陶瓷环132、气体套管133和升降套管134的密封性和连座101中的气体通道111和升降通道112内分别预埋有第一密封圈115和第二密封圈116,以8[0041]S12、通过注浆成型工艺制造包含第二陶瓷子盘1032、气体孔道1033、升降孔道静电吸附电极1311的制成材料为101上表面的气体通道111和升降通道112的顶端周向形成预留空间114,所述预留空间114瓷罩103,将所述接合层102和金属基座101的侧面以及金属基座101内的气体通道111和升周围的接合层102的接触,从而避免了等离子体对接合层102的腐蚀而造成的导热不均匀、9
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