CN119517914A 半导体装置封装及其制造方法 （日月光半导体制造股份有限公司）

201910531324.02019.06.19构包含以第一距离与所述衬底间隔开的第一表与所述第一表面相对的第二表面以及从所述第述第一天线的所述第一表面和所述第二表面是2第二天线，其安置在所述第一天线上方且具有暴露所述第一天线3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中在截面图中所述开口的宽度大于所述5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一天线的所述第一天线图案与所述第二天线图案之间的距离小于所述第一天线的所述第一天线图案的宽度或所述第一截面图中所述第一天线的所述开口的所述宽度小于所述第二天线的所第二天线，其安置在所述电路结构上方且包含第二介电层，其8.根据权利要求7所述的半导体装置封装，其中所述第一天线和所述第二天线相对于9.根据权利要求7所述的半导体装置封装，其进一步包括至少部分与所述第一天线重第二天线图案，其中所述第二天线图案和所述第一天线12.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述第二天线图案14.根据权利要求13所述的半导体装置封装，其中所述第一支撑结构和所述第二支撑3第二天线图案，其至少部分覆盖所述第一天线图案且具有所述第二侧表面与所述第一天线图案的至少一侧边表20.根据权利要求18所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述电路结构下方移除第二保护层与第三保护层的一部分形成阶梯结构或4装进一步包含安置在第一支撑结构的第一表面上方的第一天线，第一天线具有第一表面、一保护层以覆盖天线和馈送元件；(c)在第一保护层上形成开口以暴露天线和馈送元件的5造的半导体装置封装或半导体装置封装的一[0039]以下公开内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实6或层压多个预浸材料/片材而形成的多层结构。[0046]天线12可以安置在支撑结构11的阶梯结构上。天线12安置在支撑结构11的表面底部表面暴露于空气。在一些实施例中，天线图案12a的顶部表面和底部表面直接接触空7出具有暴露于空气(或真空，具有近似地1的有近似地4的Dk的介电材料覆盖的表面的另一天线的峰值[0053]实验可以在两条天线上进行，一条天线具有由具有近似地2的Dk的介电材料覆盖覆盖两条天线的介电材料的厚度相同的条件下，具有由具有近似地2的Dk的介电材料覆盖的表面的天线具有的峰值增益是具有由具有近似地4的Dk的介电材料覆盖的表面的另一天[0060]天线12包含从保护层12m的顶部表面穿透到保护层12m的底部表面的开口12o。开8体的实例可包含但不限于通过堆叠或层压多个预浸材料/片材而形[0065]在一些实施例中，金属表面处理层可以安置在天线图案12a(未示出)的顶部表面顶部表面。金属表面处理层可包含但不限于无电镀镍浸镀金(ENIG)或任何其它合适的材护层12m的横向表面可以通过间隙(未示出)与阶梯结9结构30t沿平行于天线图案31的顶部表构30t从天线图案31延伸到保护层32中。伸出结构30t可防止保护层32被从天线图案31剥3可以通过在支撑结构11e上堆叠支撑结构11d形成。粘合剂层21安置在衬底10与支撑结构[0081]出于形成支撑结构11_4的阶梯结构的目的保护层22安置在层11f、11g和11h中的13安置在支撑结构11的表面11s3上。支撑结构11包含连接到表面11s3的表面11s4。表面[0085]如图5A中所示，信号可以通过天线12的开口12o从金属层10m1耦合到天线13的天装置封装类似于图5B中的半导体装置封装，不同之处在于图5B中所示的连接结构12f被支层18m和互连结构18v。支撑结构18囊封金属层18m和互连结构18v。金属层18m和互连结构包含安置在支撑结构11_2和11_3之间的天线13。天线12安置在支撑结构11_1的阶梯结构天线图案13a与天线图案12a对齐的情况中，信号可以通过耦合在天线13与天线图案12a之发射到天线12/从天线12接收信号。金属层10m1的图案中的一些可充当馈送元件以用于将[0110]在一些实施例中，阻焊层12r可延伸超过保护层12m的边缘并且覆盖天线图案12a[0112]在一些实施例中，阻焊层13r可延伸超过保护层13m的边缘并且覆盖天线图案13a在天线图案13a的表面的一部分上时，阻焊层13r可防止天线图案13a的部分上的氧化(例以安置在由阻焊层13r限定的开口内。支撑结构11可以受由阻焊层10r限定的开口的限制。开口可以提供更好的定位给支撑结构11。由阻焊层13r限定的开口可以提供更好的定位给支撑结构11。由阻焊层10r限定的开口可以防止在回焊过程期间支撑结构11的非期望的渗层13r限定的开口可以防止在回焊过程期间支撑结构11[0117]天线13可以由一或多个支撑结构11支撑。天线13可以安置在支撑结构11的表面[0120]天线图案12a可以通过一或多个支撑结构11与天线图案13a对齐。天线图案12a和天线图案13a可以通过一或多个支撑结构11在垂直于衬底10的顶部表和支撑结构11_6。支撑结构11_5包含顶部表面11s1。支撑结构11_6包含表面11s1和表面与衬底10的顶部表面间隔开并且支撑结构11_6的表面11s1以第二距离与衬底10的顶部表13a可包含通过保护层13m暴露的一或多个表面。天线图案13a可包含暴露于空气的一或多13a可包含通过保护层13m暴露的一或多个表面。天线图案13a可包含暴露于空气的一或多中的一些可充当导电衬垫。经图案化导电层13c的图案中的一些可充当馈送元件以用于将[0138]在一些实施例中，经图案化导电层13c的钻石形图案可防止在天线13的制造过程预浸体的实例可包含但不限于通过堆叠或层压多个预浸材料/片材而形成的多层结构。在[0145]参考图7D，天线图案31的一部分和载体30的一部分被移除以形成开口32o。开口[0147]参考图7F，载体30被从天线图案31和保护层32移除以暴露天线图案31的底部表30t。举例来说，保护层32形成在天线图案31的外表面上并且在由天线图案31限定的间隙预浸体的实例可包含但不限于通过堆叠或层压多个预浸材料/片材而形成的多层结构。在[0156]参考图8D，天线图案31的一部分和载体30的一部分被移除以形成开口32o。开口[0158]参考图8F，载体30被从天线图案31和保护层32移除以暴露图案导电层30t的底部[0161]参考图9B，保护层32形成在载体30上以覆盖或囊封天线图案31a和经图案化导电以在平行于载体30的顶部表面的方向上的距离相对于护层32完全地覆盖或囊封天线图案31b的横向表面。举例来说，保护层32形成在天线图案31b的横向表面上并且在由天线图案31b限定的间隙内。保护层32暴露天线图案31b的顶部图案化导电层30t以距离d1与天线图案31a的底部表面间隔开。经图案化导电层30t以距离[0167]参考图9D，天线图案31的一部分和载体30的一部分被移除以形成开口32o。开口[0169]参考图9E，载体30被从天线图案31和保护层32移除以暴露天线图案31的底部表示的操作是用于制造图4A或4B中所示的半导体装置封装的方法。替代地，在图11A、11B、[0174]参考图11B，保护层58被提供在封装主体52上方。保护层58覆盖或囊封封装主体的实例可包含但不限于通过堆叠或层压多个预浸材料/片材而形成的[0187]参考图10A，提供衬底40。衬底40可包含由介电层覆盖或囊封的互连结构(RDL)40r。衬底40可包含在衬底40的顶部表面上的导电层40m1和导电衬垫40m2。在一些实施例[0189]参考图10C，绝缘层41的一部分被移除以形成一或多个开口(或腔室)41h1和41h2[0190]参考图10D，导电材料被填充在开口41h2内以形成导电通孔41v1。在一些实施例[0192]参考图10F，绝缘层42的一部分被移除以形成阶梯结构42s1(或梯子结构)并且暴线被放置在绝缘层42的阶梯结构42s1上具有直接地连接到导电衬垫40m2及类似者可在本文中用于描述的简易以描述如图中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定空间描述是相对于图中所示的定向来指示的。应理解，本文中所使用的空间描述仅出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施方案可以任何定向或方式在空间上布置，其前提是本发明的实施例的优点是不会因此类布置而有偏差。地用作用于设计或修改其它过程的基础以及用于执行相同或相似目的和/或获得引入本文